【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法
本专利技术涉及功率器件封装结构及方法
，特别是涉及一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法。
技术介绍
由于Si基功率器件的性能已逼近甚至达到了其材料的本征极限，研究人员从19世纪80年代开始就把目光转向宽禁带半导体器件，如SiC、GaN等。宽禁带半导体器件具有高击穿电场、高热导率、耐高温、高电子饱和速率和极佳的抗辐射能力等特性，除普遍应用于汽车电子外，还应用军用武器系统、核能开发、航空航天、石油地质勘探等领域，器件封装面临着高温、大温度范围的工作条件。由此导致的可靠性问题将非常突出。例如美国NASA研制的6H-SiC掩埋栅JEFT在600℃高温下表现出很好的低泄漏开关特性，但在此温度下只工作了30个小时，器件性能就开始发生退化，其退化的原因经分析表明在于长期高温下接触金属的氧化问题，因此如何对器件内部工作环境进行有效散热，使其内部金属器件工作环境温度较低，成为了急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何对器件内部工作环境进行有效散热，使其内部金属器件工作环境温度较低。为了解决以上...
【技术保护点】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：包括正电极（11）和负电极（12），所述正电极（11）和负电极（12）之间设有碳化硅功率器件（1），所述负电极（12）下方设有封装基板（4），所述封装基板（4）外侧设有外壳，所述封装基板（4）下方设有散热器（5），所述封装基板（4）和负电极（12）之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球（3），所述导热金属球（3）一端与负电极（12）粘结，另一端与封装基板（4）粘结，且相邻导热排的所述导热金属球（3）之间相互抵触，并形成散热间隙（33）。
【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：包括正电极（11）和负电极（12），所述正电极（11）和负电极（12）之间设有碳化硅功率器件（1），所述负电极（12）下方设有封装基板（4），所述封装基板（4）外侧设有外壳，所述封装基板（4）下方设有散热器（5），所述封装基板（4）和负电极（12）之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球（3），所述导热金属球（3）一端与负电极（12）粘结，另一端与封装基板（4）粘结，且相邻导热排的所述导热金属球（3）之间相互抵触，并形成散热间隙（33）。2.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：相邻所述导热排的导热金属球（3）上下平齐。3.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：相邻所述导热排的导热金属球（3）交错设置。4.根据权利要求2所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构，其特征在于：所述导热金属球（3）相互靠近的一侧均开设有第一接触面（32）。5.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：江苏芯澄半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。