The invention provides a special PN junction transient voltage suppression diode for lightning arrester, which is characterized in that a silicon dioxide insulating layer is fabricated on the upper surface of a N-type circular silicon chip larger than or equal to 30 square millimeters, and a circular photolithographic window larger than or equal to 20 square millimeters is fabricated on the silicon dioxide insulating layer and passes through circular light. A special PN junction is formed by diffusing a P-shaped region in the cutting window, pressing a circular positive electrode on the circular lithographic window, pressing a circular negative electrode on the lower part of the N-shaped silicon chip, and encapsulating an insulating shell between the circular positive electrode and the circular negative electrode, which forms the transient voltage of the special PN junction used in the lightning arrester. Suppression diode. It solves the problem that the general transient voltage restraint diode has small breakdown current and can not meet the demand of large current capacity of power line arrester. It has the advantages of large breakdown current and suitable for making power line arresters.
【技术实现步骤摘要】
一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管
本专利技术涉及一种二极管，具体的说是一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
目前，市面上现有的瞬态电压抑制二极管虽然都具有非线性电压特性，但击穿电流较小，不能满足电力线路避雷器大通流容量的需求，因而只适用于瞬态电压抑制和部分电路的过压保护，不能用于电力线路的过压保护和防雷避雷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管，可以解决一般的瞬态电压抑制二极管击穿电流较小的问题，具有击穿电流较大，适合制作电力线路避雷器等优点。本专利技术包括N型圆硅芯片、二氧化硅绝缘层、圆形光刻窗口、P型区、超大PN结、圆台形正电极、圆台形负电极和绝缘外壳，所采用的技术方案是：在一块大于等于30平方毫米的N型圆硅芯片的上表面制作一个二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上制作一个大于等于20平方毫米的圆形光刻窗口，通过圆形光刻窗口扩散出一个P型区，形成一个特殊PN结，在圆形光刻窗口处压上一个圆台形正电极，在N型圆硅芯片下部压上一个圆台形负电极，在圆台形正电极和圆台形负电极之间封装一个绝缘外壳，即构成了避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管。本专利技术的有益效果在于：通过上述技术方案的配置，构成了一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管，不仅具有一个特殊PN结，能形成较大的击穿电流，还因设置了一对圆台形正电极和圆台形负电极，使其在组装避雷器时能方便的多片堆叠，提高工作电压，并减小接触电阻，不仅能满足一般电力线路避雷器大通流容量的需求，还能满足高压电力线路避雷器高电压、大通流容量的需求。解决了一般的瞬态电...
【技术保护点】
1.一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管，包括N型圆硅芯片（1）、二氧化硅绝缘层（2）、圆形光刻窗口（3）、P型区（4）、特殊PN结（5）、圆台形正电极（6）、圆台形负电极（7）和绝缘外壳（8），其特征在于：在一块大于等于30平方毫米的N型圆硅芯片（1）的上表面制作一个二氧化硅绝缘层（2），在二氧化硅绝缘层（2）上制作一个大于等于20平方毫米的圆形光刻窗口（3），通过圆形光刻窗口（3）扩散出一个P型区（4），形成一个特殊PN结（5），在圆形光刻窗口（3）处压上一个圆台形正电极（6），在N型圆硅芯片（1）下部压上一个圆台形负电极（7），在圆台形正电极（6）和圆台形负电极（7）之间封装一个绝缘外壳（8），即构成了避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管。
【技术特征摘要】
1.一种避雷器用特殊PN结瞬态电压抑制二极管，包括N型圆硅芯片（1）、二氧化硅绝缘层（2）、圆形光刻窗口（3）、P型区（4）、特殊PN结（5）、圆台形正电极（6）、圆台形负电极（7）和绝缘外壳（8），其特征在于：在一块大于等于30平方毫米的N型圆硅芯片（1）的上表面制作一个二氧化硅绝缘层（2），在二氧化硅绝缘层（2）上制作一个...
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