The invention belongs to the technical field of semiconductor chip manufacturing, in particular to a semiconductor chip manufacturing process, which adopts an etching machine, which comprises a box, a bias device, a mechanical chuck, a suction pump, an excitation coil, a driving motor, a connecting rod and a regulating device, and a driving motor shaft connected with a machine through a universal shaft. The mechanical chuck is used to fix the wafer; one end of the connecting rod is hinged on the outer ring of the mechanical chuck; the other end of the connecting rod is sliding through a ball and installed in the cam groove of the inner wall of the box; the excitation coil is used to excite the etching gas into plasma; the bias device is used to bias the wafer in the mechanical chuck; and the regulating device is used for the heading box. An etching gas is injected into the body, and the suction pipe is arranged at the bottom of the box body, and the suction tube is used to separate the etching reaction product. By driving the motor to control the rotation of the mechanical chuck, connecting rod is set in the outer ring of the mechanical chuck, and the connecting rod slides in the cam groove, which makes the wafer swing in the mechanical chuck and facilitates the separation of the etching reaction products.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片生产工艺
本专利技术属于半导体芯片制造
,具体的说是一种半导体芯片生产工艺。
技术介绍
在半导体制造过程中,需要对晶圆表面进行刻蚀,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。现有技术中也出现了一些等离子刻蚀工艺的技术方案,如申请号为2014103562551的一项中国专利公开了刻蚀装置及刻蚀方法,其中刻蚀装置包括:反应腔;晶圆固定装置,晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部;气体注入口,气体注入口设置在反应腔底部,用于向反应腔通入刻蚀气体;激励线圈,激励线圈环绕反应腔设置,用于将刻蚀气体激发成等离子体;以及偏压提供装置,偏压提供装置与晶圆固定装置相连,用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。采用该工艺对晶圆刻蚀,能够提高刻蚀反应产物的排离速度,但是该工艺是依靠刻蚀反应产物的自重下落,其效率较低;同时由于注气口位置固定,刻蚀气体输入反应腔不能快速充盈整个反应腔,造成局部区域气体浓度较高,造成晶圆不同区域刻蚀程度不同,从而影响产品质量。
技术实现思路
为了弥补现有技术的不足,本专利技术提出的一种半导体芯片生产工艺,该工艺采用刻蚀机,刻蚀机 ...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:步骤一:将晶圆的一面研磨成镜面;步骤二:将步骤一中的晶圆送入高温扩散炉管内,使晶圆表面产生浅薄而均匀的二氧化硅;步骤三:将步骤二中的晶圆送入光刻机内进行曝光显影;步骤四:将步骤三中的晶圆送入刻蚀机内进行等离子体刻蚀;步骤五:将步骤四中的晶圆送入离子注入机进行离子注入;步骤六:将步骤五中的晶圆输送至下一工序;其中,所述的刻蚀机包括箱体(1)、偏压装置(11)、机械卡盘(12)、抽吸管(13)和激励线圈(14);其特征在于:还包括驱动电机(5)、连杆(6)和调节装置(7);所述驱动电机(5)安装在箱体(1)顶部,所述驱动电机(5)转轴通过万向轴连接着机械卡盘(12),所述机械卡盘(12)用于固定晶圆;所述连杆(6)一端铰接在机械卡盘(12)外圈;所述连杆(6)另一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内;所述激励线圈(4)环绕箱体(1)设置,激励线圈(4)用于将刻蚀气体激发成等离子体;偏压装置(11)与箱体(1)相连,偏压装置(11)用于对机械卡盘(12)中的晶圆施加偏压;所述调节装置(7)设置箱体(1)底板上,所述调 ...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:步骤一:将晶圆的一面研磨成镜面;步骤二:将步骤一中的晶圆送入高温扩散炉管内,使晶圆表面产生浅薄而均匀的二氧化硅;步骤三:将步骤二中的晶圆送入光刻机内进行曝光显影;步骤四:将步骤三中的晶圆送入刻蚀机内进行等离子体刻蚀;步骤五:将步骤四中的晶圆送入离子注入机进行离子注入;步骤六:将步骤五中的晶圆输送至下一工序;其中,所述的刻蚀机包括箱体(1)、偏压装置(11)、机械卡盘(12)、抽吸管(13)和激励线圈(14);其特征在于:还包括驱动电机(5)、连杆(6)和调节装置(7);所述驱动电机(5)安装在箱体(1)顶部,所述驱动电机(5)转轴通过万向轴连接着机械卡盘(12),所述机械卡盘(12)用于固定晶圆;所述连杆(6)一端铰接在机械卡盘(12)外圈;所述连杆(6)另一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内;所述激励线圈(4)环绕箱体(1)设置,激励线圈(4)用于将刻蚀气体激发成等离子体;偏压装置(11)与箱体(1)相连,偏压装置(11)用于对机械卡盘(12)中的晶圆施加偏压;所述调节装置(7)设置箱体(1)底板上,所述调节装置(7)用于向箱体(1)内注入刻蚀气体,所述抽吸管(13)设在箱体(1)底部,抽吸管(13)用于抽离刻蚀反应产物。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺,其特征在于:所述调节装置(7)包括转盘(71)、弧形叶片(72)、气孔(73)和进气管(8);所述进气管(8)安装在箱体(1)底板中心;所述转盘(71)转动安装在进气管(8)端头;所述转盘(71)外圈设有一组弧形叶片(72);所述弧形叶片(72)内弧面设有一组气孔(73);所述气孔(73)的轴向与转盘(71)的同心圆相切且向晶圆方向倾斜。3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片生产工艺,其特征在于:所述进气管...
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