薄膜晶体管及制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其中，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。本发明专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法、一种阵列基板和一种显示装置。所述薄膜晶体管具有较高的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示装置领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、包括所述薄膜晶体管的阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，用于对显示装置的分辨率要求越来越高。容易理解的是，分辨率越高、则像素单元的尺寸越小，这就增加了显示装置的制造难度。尤其是，对于有机发光二极管显示装置而言，每个像素单元内都设置有多个薄膜晶体管，当制造高分辨率的有机发光二极管显示装置时，每个像素单元内的薄膜晶体管尺寸更小，对制造精度的要求更高，从而提高了制造成本。因此，如何降低显示装置的制造难度成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、包括所述薄膜晶体管的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。所述薄膜晶体管结构简单、易于制造且性能优越，可以降低显示装置的制造难度。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其中，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。优选地，所述电极孔为圆形通孔，所述有源层本体的形状为圆环形，所述第一电极的形状为圆形，所述第二电极的形状为圆环形。优选地，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间，且所述栅极环绕所述电极孔设置。优选地，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极设置在所述栅绝缘层上，所述薄膜晶体管还包括绝缘间隔层，所述绝缘间隔层覆盖所述栅极所在的层，所述第一电极和所述第二电极设置在所述绝缘间隔层上，所述第一电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第一过孔与所述有源层本体相连，所述第二电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第二过孔与所述有源层本体相连。优选地，所述有源层本体由低温多晶硅材料制成。优选地，所述薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层设置在所述有源层厚度方向的一侧，且所述有源层本体在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层内。优选地，所述遮光层为圆形，所述遮光层由钼制成，所述薄膜晶体管还包括设置在所述遮光层与所述有源层本体之间的缓冲层。作为本专利技术的第二个方面，提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中，所述制造方法包括：形成包括有源层的图形，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔；形成包括第一电极和第二电极的图形，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连；形成包括栅极的图形，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。优选地，所述制造方法还包括在形成包括有源层的图形的步骤之前进行的：形成包括遮光层的图形，所述有源层本体在所述遮光层上的投影位于所述遮光层内。优选地，所述遮光层由钼制成，所述制造方法还包括在形成遮光层的图形的步骤和形成包括有源层的图形的步骤之间进行的：形成缓冲层。优选地，形成包括有源层的图形的步骤包括：形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，获得低温多晶硅层；对所述低温多晶硅层进行化学机械研磨；对化学机械研磨后的低温多晶硅层进行图形化，以获得所述有源层。优选地，所述电极孔为圆形通孔，所述有源层本体为圆环形，所述第一电极的形状为圆形，所述第二电极的形状为圆环形。优选地，所述制造方法包括在形成包括有源层的图形的步骤与形成包括栅极的图形的步骤之间进行的形成栅绝缘层的步骤，所述栅极环绕所述电极孔设置。优选地，形成包括第一电极和第二电极的图形的步骤在形成包括栅极的图形的步骤之后进行，所述制造方法还包括在形成包括栅极的图形的步骤与形成包括第一电极和第二电极的步骤之间进行的以下步骤：形成绝缘间隔层；形成贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，以使得所述第一电极通过所述第一过孔与所述有源层本体相连、所述第二电极通过所述第二过孔与所述有源层本体相连。作为本专利技术的第三个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为本专利技术所提供的上述薄膜晶体管。作为本专利技术的第四个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本专利技术所提供的上述阵列基板。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术所提供的薄膜晶体管的俯视示意图；图2是所述薄膜晶体管的有源层的示意图；图3是图1中所示的薄膜晶体管的I-I剖视图；图4是本专利技术所提供的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图5是本专利技术所提供的阵列基板中的像素电路的示意图；图6是本专利技术所提供的阵列基板的制备方法中，形成遮挡层的图形的示意图；图7是步骤S412的示意图；图8是在步骤S412之后获得的多晶硅层的扫描图片。附图标记说明101：有源层本体102：电极孔110：第一电极111：第一过孔120：第二电极121：第二过孔130：栅极140：绝缘间隔层150：栅绝缘层200：栅线300：数据线30：栅极引线具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，如图1所示，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极110、第二电极120和栅极130，其中，如图2所示，所述有源层包括有源层本体101和形成在该有源层本体101上的电极孔102。第一电极110在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于电极孔102中。第二电极120在有源层所在层的正投影的至少一部分环绕有源层本体101。第一电极110和第二电极120均与有源层本体101相连。栅极130与所述有源层、第一电极110、第二电极120均绝缘间隔。本专利技术中，对如何实现“第一电极110在有源层所在层的正投影的至少一部分位于电极孔102中”并不做特殊的限制，例如，如图3中所示，可以将第一电极110和第二电极120沿厚度方向与有源层本体101间隔设置。为了将有源层本体101与栅极130绝缘间隔，所述薄膜晶体管还可以包括栅绝缘层150，该栅绝缘层150设置在栅极130和所述有源层之间，并且，栅极130环绕所述电极孔设置。在本专利技术中，对薄膜晶体管的具体类型并没有特殊的要求。所述薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管。在图3中所示的具体实施方式中，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，具体地，栅绝缘层150设置在有源层本体101上方，栅极130设置在栅绝缘层150上，绝缘间隔层140覆盖栅极130所在的层，第一电极110和第二电极120设置在绝缘间隔层140上，第一电极110通过贯穿绝缘间隔层140和栅绝缘层150的第一过孔111与有源层本体101相连，第二电极120通过贯穿绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其特征在于，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其特征在于，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极孔为圆形通孔，所述有源层本体的形状为圆环形，所述第一电极的形状为圆形，所述第二电极的形状为圆环形。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间，且所述栅极环绕所述电极孔设置。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极设置在所述栅绝缘层上，所述薄膜晶体管还包括绝缘间隔层，所述绝缘间隔层覆盖所述栅极所在的层，所述第一电极和所述第二电极设置在所述绝缘间隔层上，所述第一电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第一过孔与所述有源层本体相连，所述第二电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第二过孔与所述有源层本体相连。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层本体由低温多晶硅材料制成。6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层设置在所述有源层厚度方向的一侧，且所述有源层本体在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层内。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为圆形，所述遮光层由钼制成，所述薄膜晶体管还包括设置在所述遮光层与所述有源层本体之间的缓冲层。8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：形成包括有源层的图形，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔；形成包括第一电极和第二电极的图形，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，宋尊庆，李小龙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11