【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示装置领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、包括所述薄膜晶体管的阵列基板和包括所述阵列基板的显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，用于对显示装置的分辨率要求越来越高。容易理解的是，分辨率越高、则像素单元的尺寸越小，这就增加了显示装置的制造难度。尤其是，对于有机发光二极管显示装置而言，每个像素单元内都设置有多个薄膜晶体管，当制造高分辨率的有机发光二极管显示装置时，每个像素单元内的薄膜晶体管尺寸更小，对制造精度的要求更高，从而提高了制造成本。因此，如何降低显示装置的制造难度成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法、包括所述薄膜晶体管的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。所述薄膜晶体管结构简单、易于制造且性能优越，可以降低显示装置的制造难度。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其中，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其特征在于，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、第一电极、第二电极和栅极，其特征在于，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，所述第二电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分环绕所述有源层本体，且所述第一电极与所述第二电极均与所述有源层本体相连，所述栅极与所述有源层、所述第一电极、所述第二电极均绝缘间隔。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极孔为圆形通孔，所述有源层本体的形状为圆环形，所述第一电极的形状为圆形，所述第二电极的形状为圆环形。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间，且所述栅极环绕所述电极孔设置。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层覆盖所述有源层，所述栅极设置在所述栅绝缘层上，所述薄膜晶体管还包括绝缘间隔层，所述绝缘间隔层覆盖所述栅极所在的层，所述第一电极和所述第二电极设置在所述绝缘间隔层上，所述第一电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第一过孔与所述有源层本体相连，所述第二电极通过贯穿所述绝缘间隔层和所述栅绝缘层的第二过孔与所述有源层本体相连。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层本体由低温多晶硅材料制成。6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层设置在所述有源层厚度方向的一侧，且所述有源层本体在所述遮光层上的正投影位于所述遮光层内。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为圆形，所述遮光层由钼制成，所述薄膜晶体管还包括设置在所述遮光层与所述有源层本体之间的缓冲层。8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：形成包括有源层的图形，所述有源层包括有源层本体和形成在所述有源层本体上的电极孔；形成包括第一电极和第二电极的图形，所述第一电极在所述有源层所在层的正投影的至少一部分位于所述电极孔中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，宋尊庆，李小龙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。