【技术实现步骤摘要】
像素结构、其制作方法与薄膜晶体管本申请是中国申请号为201610081525.1、申请日为2016年2月5日、题为“像素结构、其制作方法与薄膜晶体管”的申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种像素结构、其制作方法与薄膜晶体管。
技术介绍
家用电器设备的各式电子产品之中。其中,应用薄膜晶体管(thinfilmtransistor;TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。薄膜晶体管式的液晶显示器主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成,其中,薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管,以及,与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极(pixelelectrode),以构成像素结构。对于所设置的薄膜晶体管中,薄膜晶体管包含栅极、漏极、源极与通道层,以构成像素结构中的开关组件。然而,于薄膜晶体管的结构之中,由于会有寄生电容产生于其中的问题,像素结构的效能将可能会受到此寄生电容的影响。进一步而言,当薄膜晶体管结构中有寄生电容产生时,液晶显示器的画面品质将可能会受影响,例如,寄生电容将可能造成液晶显示画面有亮暗不均的问题。
技术实现思路
本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种像素结构,包含:一基板;一栅极,设置于该基板上;一通道层,设置于该基板上;一第一绝缘层,设置于该栅极与该通道层之间;一源极,电性连接于该通道层;一漏极,电性连接于该通道层,该源极以及该漏极包含金属;以及一第二绝缘层,设置于垂直投影落于该通道层内的该漏极的一部分与该栅极之间,其中垂直投影落于该通道层内的该漏极的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第一距离,而垂直投影落于该通道层内的该源极的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第二距离,其中该第一距离至少包含该第二绝缘层的厚度,且该第一距离大于该第二距离;一钝化层,位于该第一绝缘层、该通道区、该第二绝缘层、该源极与该漏极之上,其 ...
【技术特征摘要】
2015.12.24 TW 1041435801.一种像素结构,包含:一基板;一栅极,设置于该基板上;一通道层,设置于该基板上;一第一绝缘层,设置于该栅极与该通道层之间;一源极,电性连接于该通道层;一漏极,电性连接于该通道层,该源极以及该漏极包含金属;以及一第二绝缘层,设置于垂直投影落于该通道层内的该漏极的一部分与该栅极之间,其中垂直投影落于该通道层内的该漏极的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第一距离,而垂直投影落于该通道层内的该源极的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第二距离,其中该第一距离至少包含该第二绝缘层的厚度,且该第一距离大于该第二距离;一钝化层,位于该第一绝缘层、该通道区、该第二绝缘层、该源极与该漏极之上,其中该钝化层具有一通孔,以至少暴露部分该漏极;以及一像素电极,位于该钝化层上,并通过该通孔与该漏极电性连接,其中该像素电极、该漏极、该钝化层与该栅极于基板的垂直投影至少部分重叠。2.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:江晏彰,丘兆仟,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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