一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管极其制作方法，通过在薄膜晶体管设置第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层，使部分所述重掺杂区域裸露，通过透明电极使得所述源漏极或第二栅极与部分所述重掺杂区域电性连接，减少了制作接触孔所需的光罩，有效的降低了面板阵列制造过程中的周期，节省了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及平板显示器领域，特别涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管机器制作方法。
技术介绍
低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)的器件的面积，进而提升像素的开口率，增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。但是LTPS工艺复杂，在阵列工艺中，基板阵列成膜的的层别较多，一般需要10层及以上的膜层结构；较多的光罩数量，导致产品制作产能时间增长，增加了光照成本以及运营成本。因此，如何能有效的降低LTPSArray侧阵列基板的制作周期，提升产品的良率，有效提升产品生产产能，降低成本，是目前面板设计行业关注的重点。在现有技术中，TFT结构都使用金属与多晶硅接触，金属与多晶硅接触需要光罩来制作过孔，同时金属与像素电极连接同样需要过孔。因此，整体工艺下来需要较多的光罩来实现各层间的联通性。本专利技术基于此项技术提出了改进。专利技术内容本专利技术提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板，在所述基板上形成硅沟道层；在所述硅沟道层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成所述薄膜晶体管的第一栅极；对部分所述硅沟道层进行离子掺杂形成掺杂区域；在所述第一栅极上形成第二绝缘层、源漏极以及第三绝缘层；以及在所述低温多晶硅薄膜晶体管上形成第一接触孔，所述第一接触孔使部分所述源漏极和部分所述掺杂区域裸露；在所述第三绝缘层上形成第一透明电极，所述第一透明电极将所述源漏极和所述硅沟道层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板，在所述基板上形成硅沟道层；在所述硅沟道层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成所述薄膜晶体管的第一栅极；对部分所述硅沟道层进行离子掺杂形成掺杂区域；在所述第一栅极上形成第二绝缘层、源漏极以及第三绝缘层；以及在所述低温多晶硅薄膜晶体管上形成第一接触孔，所述第一接触孔使部分所述源漏极和部分所述掺杂区域裸露；在所述第三绝缘层上形成第一透明电极，所述第一透明电极将所述源漏极和所述硅沟道层电性连接。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成硅沟道层包括步骤：提供一基板，在所述基板上形成一遮光薄膜；所述遮光膜层经图案化处理形成一遮光层；在所述遮光层上形成一缓冲层；在所述缓冲层上形成一硅沟道层薄膜；所述硅沟道层薄膜经图案化处理形成所述硅沟道层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掺杂区域包括轻掺杂区域和重掺杂区域，所述重掺杂区域包括第一重掺杂区域和第二重掺杂区域，所述第一透明电极将所述源漏极和所述第一重掺杂区域电性连接。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一接触孔通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层，使所述第一重掺杂区域和部分所述源漏极裸露。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括第二接触孔，所述第二接触孔通过贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层，使所述第二重掺杂区域和部分所述第二栅极裸露。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖军城，田超，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42