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本发明提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管极其制作方法，通过在薄膜晶体管设置第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及部分所述第一绝缘层，使部分所述重掺杂区域裸露，通过透明电极使得所述源漏极或第二...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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