热处理设备及其热处理方法技术

一种热处理设备及其热处理方法，所述热处理设备包括热处理腔体、热处理灯、用于放置晶圆的晶圆基座，还包括：遮光板，设置于所述热处理腔体内；遮光板控制部件，与所述遮光板耦接，所述遮光板控制部件带动所述遮光板移动至预设隔离位置，以阻隔所述热处理灯对所述晶圆的热辐射，或者带动所述遮光板移动至离开所述预设隔离位置，以使所述晶圆接受所述热处理灯的热辐射，所述预设隔离位置位于所述热处理灯和晶圆基座之间。本发明专利技术方案可以更精确地对晶圆接受所述热处理灯的热辐射的辐射量进行控制，从而提高半导体器件的品质。

【技术实现步骤摘要】
热处理设备及其热处理方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种热处理设备及其热处理方法。
技术介绍
在现有的半导体制造工艺中，在对晶圆(Wafer)进行离子注入之后，通常采用热处理工艺，对离子注入导致的晶格缺陷进行修复，以规则排列晶格。具体地，通常在热处理设备中设置热处理灯，在放置晶圆至热处理腔体后，加大功率将热处理灯从非工作状态(Idle)升温至工作状态，例如从200摄氏度左右升温至1050摄氏度，待热处理结束后，再通过降低功率或冷却气体的流动等方法，对所述热处理腔室进行降温。随着半导体尺寸的逐步减小，需要更加精准地控制热处理的高温工艺，对设备(例如热处理灯)复杂度的要求大大增加。具体而言，从浸入式退火(SoakAnnealing)、快速升温退火(RapidThermalAnnealing，RTA)、尖峰式退火(SpikeAnnealing)、激光退火(LaserAnnealing)至毫秒级快速热退火(MescAnnealing)，高温作业时间从数十秒降低至毫秒级。亟需一种热处理设备，能够实现对高温作业时间的精确控制。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种热处理设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理设备，所述热处理设备包括热处理腔体、热处理灯、用于放置晶圆的晶圆基座，其特征在于，还包括：遮光板，设置于所述热处理腔体内；遮光板控制部件，与所述遮光板耦接，所述遮光板控制部件带动所述遮光板移动至预设隔离位置，以阻隔所述热处理灯对所述晶圆的热辐射，或者带动所述遮光板移动至离开所述预设隔离位置，以使所述晶圆接受所述热处理灯的热辐射，所述预设隔离位置位于所述热处理灯和晶圆基座之间。

【技术特征摘要】
1.一种热处理设备，所述热处理设备包括热处理腔体、热处理灯、用于放置晶圆的晶圆基座，其特征在于，还包括：遮光板，设置于所述热处理腔体内；遮光板控制部件，与所述遮光板耦接，所述遮光板控制部件带动所述遮光板移动至预设隔离位置，以阻隔所述热处理灯对所述晶圆的热辐射，或者带动所述遮光板移动至离开所述预设隔离位置，以使所述晶圆接受所述热处理灯的热辐射，所述预设隔离位置位于所述热处理灯和晶圆基座之间。2.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述遮光板的材料选自：石英、陶瓷、多晶氧化铝、多晶氧化锆、表面镀有硅膜的多晶氧化铝以及表面镀有硅膜的多晶氧化锆。3.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述遮光板朝向所述热处理灯的一侧具有反射材料层。4.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，所述遮光板控制部件包括：可相对移动的第一支架与第二支架，所述遮光板固定于所述第一支架，所述第二支架固定于所述热处理腔体内；第一电磁铁与第二电磁铁，所述第一电磁铁固定于所述第一支架，所述第二电磁铁固定于所述第二支架；电磁铁控制器，用于控制所述第一电磁铁和第二电磁铁相互吸引，以带动所述第一支架向所述第二支架移动，或者控制所述第一电磁铁和所述第二电磁铁相互排斥，以带动所述第一支架远离所述第二支架。5.根据权利要求4所述的热处理设备，其特征在于，所述第二支架具有滑槽，所述第一支架沿所述滑槽相对于所述第二支架移动。6.根据权利要求1所述的热处理设备，其特征在于，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱宇航，周颖，倪明明，洪纪伦，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32