紫外发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种紫外发光二极管，紫外发光二极管包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；应力调变层，位于所述n型层上；量子阱发光层，位于所述应力调变层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。本实用新型专利技术在外延结构的n型层与量子阱发光层之间引入AlxGayIn1‑x‑yN应力调变层，将组分Al调整至70％以上，可以减少后续生长量子阱发光层时的翘曲，并同时改善该量子井发光层的表面温度均匀性，进而提升外延结构发光波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管
本技术属于半导体照明器件设计及制造领域，特别是涉及一种紫外发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。紫外发光二极管(UVLightEmittingDiode，UV-LED)是一种能够直接将电能转化为紫外光线的固态的半导体器件。随着技术的发展,紫外发光二极管在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面有着广阔的市场应用前景。除此之外，紫外LED也越来越受到照明市场的关注。因为通过紫外LED激发三基色荧光粉，可获得普通照明的白光。近年来紫外发光二极管随着产品功率提升与技术精进，加上寿命长、体积小等优势，已逐渐取代较低功率的汞灯。同时国际禁汞的《水俣公约》将于2020年生效，这一政策将加速紫外发光二极管规模化应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；量子阱发光层，位于所述n型层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述紫外发光二极管还包括应力调变层，其位置包括位于所述n型层内、位于所述n型层及所述量子阱发光层之间以及位于所述量子阱发光层内中的一种；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。

【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括：缓冲层；n型层，位于所述缓冲层上；量子阱发光层，位于所述n型层上；以及p型层，位于所述量子阱发光层上；所述紫外发光二极管还包括应力调变层，其位置包括位于所述n型层内、位于所述n型层及所述量子阱发光层之间以及位于所述量子阱发光层内中的一种；所述应力调变层由晶格常数小于所述n型层、所述量子阱发光层及所述p型层的材料构成，用以调变所述紫外发光二极管外延结构的翘曲。2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述应力调变层的材料包含AlxGayIn1-x-yN，其中x≥70％，y≥0，x+y≤1。3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述量子阱发光层的发光波长介于210nm～320nm之间。4.根据权利要求1所述的紫外发...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓昌正，陈圣昌，邓和清，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35