【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体结构及半导体发光元件本申请是2013年1月25日申请的，申请号为201310029644.9，专利技术名称为“氮化物半导体结构及半导体发光元件”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件，尤其是指一种具有空穴提供层的氮化物半导体结构及半导体发光元件，属于半导体
技术介绍
近年来，发光二极管的应用面日趋广泛，已成为日常生活中不可或缺的重要元件；且发光二极管可望取代现今的照明设备，成为未来新世代的固态照明元件，因此发展高节能高效率及更高功率的发光二极管将会是未来趋势；氮化物LED由于具有元件体积小、无汞污染、发光效率高及寿命长等优点，已成为最新兴光电半导体材料之一，而第三主族氮化物的发光波长几乎涵盖了可见光的范围，更使其成为极具潜力的发光二极管材料。第三主族氮化物如氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)以及氮化铝(AlN)等材料具有一宽能带间隙，在光电半导体元件中扮演相当重要的角色，其能带范围从直接带隙为0.7eV的InN，到3.4eV的GaN，甚至于6.2eV的AlN，发出的光波长范围从红、绿、蓝、到深...
【技术保护点】
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上，并具有多重量子井结构，其中所述多重量子井结构由多个井层与多个阻障层交替堆叠而成；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层之邻近于所述发光层的第一区的碳浓度高于所述P型复合半导体层之远离于所述发光层的第二区，且所述第一区的能隙大于所述多重量子井结构之所述井层的能隙。
【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上，并具有多重量子井结构，其中所述多重量子井结构由多个井层与多个阻障层交替堆叠而成；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层之邻近于所述发光层的第一区的碳浓度高于所述P型复合半导体层之远离于所述发光层的第二区，且所述第一区的能隙大于所述多重量子井结构之所述井层的能隙。2.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层之邻近于所述发光层的第一区的碳浓度高于所述P型复合半导体层之远离于所述发光层的第二区，且所述第一区的氢浓度低于所述第二区的氢浓度。3.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层之邻近于所述发光层的第一区的碳浓度高于所述P型复合半导体层之远离于所述发光层的第二区，所述第一区的材质包括铟，且所述P型复合半导体层之位在所述第一区与所述第二区之间的一第三区的材质包括铝。4.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型半导体层上，并具有多重量子井结构，其中所述多重量子井结构由多个井层与多个阻障层交替堆叠而成；以及一P型复合半导体层，位于所述发光层上，其中所述P型复合半导体层包括邻近于所述发光层的第一区、远离于所述发光层的第二区与夹于所述第一区与所述第二区之间的一第三区，所述第一区的能隙大于所述多重量子井结构之所述井层的能隙，所述第一区的材质包括铟，且所述第三区的材质包括铝，且所述第一区掺杂四族元素的浓度大于所述第二区掺杂四族元素的浓度。5.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一N型复合半导体层；一发光层，位于所述N型...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊德，李玉柱，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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