一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘同轴套设有连接环，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，三号通孔内设有弹簧，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块。本发明专利技术中，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极
本专利技术涉及干蚀刻装备，尤其涉及一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极。
技术介绍
在干蚀刻装备的电极组装体中，蚀刻工艺进行时，工艺气体通过气体注入管被注入，并进入上部电极上形成的多个气体喷射孔内。此时，根据上部电极上的电压生成等离子，根据这种等离子形成了在晶片上的氧化膜或者金属膜等的蚀刻。但是，以往的电极组装体用上部电极气体供给盘和连接环是一体的，所以气体供给盘或者连接环其中一个受损时必须把整个上部电极替换掉。尤其是导入工艺气体的气体供给盘与连接环相比，不仅寿命短而在不同工艺条件下更易受损。这种情况下，以往的气体供给盘只要受损就要把高价的上部电极整个替换掉，造成了极大的资源浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极，以解决气体供给盘与连接环其中一个部件损坏后需要整体更换上部电极的技术问题。本专利技术为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：本专利技术提供一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘，气体供给盘均匀设有多个气体喷射孔，气体供给盘同轴套设有连接环，连接环开设有多个连接孔，气体供给盘外壁同轴固接有一号限位环，一号限位环的环体开设有若干一号通孔，一号通孔纵向设置，连接环内壁同轴固接有二号限位环，二号限位环设置在一号限位环下方，二号限位环开设有若干二号通孔，二号通孔与一号通孔位置相对应，一号通孔与二号通孔内共同插设有堵栓，堵栓上端固接有限位块，堵栓的下端开设有三号通孔，三号通孔水平设置，三号通孔的开口处均设有限位凸起，三号通孔的两端均设有活动块，活动块通过限位凸起限位在三号通孔内，三号通孔内设有弹簧，弹簧的两端分别与活动块接触，活动块远离弹簧的一端均固接有顶块，顶块设置在二号通孔的下方。优选地，一号通孔以及二号通孔均设有四个，一号通孔以及二号通孔均沿所在环体圆周均匀设置。优选地，一号限位环下端固接有若干凸条，凸条长度方向与一号限位环直径方向一致，二号限位环上端开设有若干凹槽，凸条与凹槽位置相对应。优选地，凸条以及凹槽均为V型。优选地，凸条以及凹槽均设有四个，凸条以及凹槽均沿所在环体圆周均匀设置。优选地，堵栓套设有垫圈，垫圈设置在限位块与一号通孔之间。优选地，顶块远离二号通孔的一端为光滑的曲面。本专利技术在使用过程中，先将一号限位环上的一号通孔与二号限位环上的二号通孔对齐，然后插入堵栓，插入堵栓的过程中，先按压三号通孔两端的顶块，使顶块进入三号通孔内，然后将堵栓插入一号通孔与二号通孔内即可，当堵栓完全插入后，在弹簧的作用下，活动块像向三号通孔的开口处滑动，从而推动顶块，顶块即可伸出三号通孔，在限位块以及顶块的夹持作用下，一号限位环以及二号限位得以被固定，后期若是需要拆卸时，只需按压顶块，再拔出堵栓即可。本专利技术通过一号限位环、一号通孔、二号限位环、二号通孔以及堵栓之间结构的相互配合，使得上部电极中的气体供给盘与连接环得以分离，且堵栓结构特殊，不需要动用其他辅助工具则可完成固定，避免了使用螺栓螺母安装时，对上部电极造成的损伤以及安装或拆卸时的繁琐。一号通孔以及二号通孔的均匀设置则使本专利技术受力更加均匀，有利于上部电极结构的稳定。在对准一号通孔与二号通孔的过程中，只需要转动气体供给盘，从而带动一号限位环转动，在转动过程中，凸条会插入凹槽内，从而使得一号限位环与二号限位环固定住，进而完成一号通孔与二号通孔的自动对齐，避免了人工对齐时的繁琐。凸条与凹槽均为V型则可方便凸条插入凹槽，使得对齐过程更加方便快捷。设置垫圈则可增加一号限位环与二号限位的紧密结合程度。顶块设有光滑的曲面则方便堵栓从一号通孔以及二号通孔内插入。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供了一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极，上部电极中的气体供给盘与连接环为可拆卸连接，从而方便后期更换以及维修，且安装以及拆卸过程都极为简易。附图说明图1为本专利技术中气体供给盘的仰视图。图2为本专利技术中连接环的俯视图。图3为本专利技术中气体供给盘的侧视图。图4为本专利技术中气体供给盘与连接环的连接示意图。图5为本专利技术中A部分的放大图。附图标记：1-气体供给盘，2-气体喷射孔，3-一号限位环，4-一号通孔，5-凸条，6-连接环，7-二号限位环，8-二号通孔，9-连接孔，10-凹槽，11-堵栓，12-限位块，13-三号通孔，14-限位凸起，15-活动块，16-弹簧，17-顶块，18-垫圈。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术，但下述实施例仅仅为本专利技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本专利技术的保护范围。如图1-5所示，一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘1，气体供给盘1均匀设有多个气体喷射孔2，气体供给盘1同轴套设有连接环6，连接环6开设有多个连接孔9，气体供给盘1外壁同轴固接有一号限位环3，一号限位环3的环体开设有四个一号通孔4，一号通孔4纵向设置，连接环6内壁同轴固接有二号限位环7，二号限位环7设置在一号限位环3下方，二号限位环7开设有四个二号通孔8，二号通孔8与一号通孔4位置相对应，一号通孔4以及二号通孔8均沿所在环体圆周均匀设置，一号通孔4与二号通孔8内共同插设有堵栓11，堵栓11上端固接有限位块12，堵栓11套设有垫圈18，垫圈18设置在限位块12与一号通孔4之间，堵栓11的下端开设有三号通孔13，三号通孔13水平设置，三号通孔13的开口处均设有限位凸起14，三号通孔13的两端均设有活动块15，活动块15通过限位凸起14限位在三号通孔13内，三号通孔13内设有弹簧16，弹簧16的两端分别与活动块15接触，活动块15远离弹簧16的一端均固接有顶块17，顶块17设置在二号通孔8的下方，顶块17远离二号通孔8的一端为光滑的曲面；一号限位环3下端固接有四个凸条5，凸条5长度方向与一号限位环3直径方向一致，二号限位环7上端开设有四个凹槽10，凸条5与凹槽10位置相对应，凸条5以及凹槽10均为V型，凸条5以及凹槽10均沿所在环体圆周均匀设置。本专利技术在使用过程中，先将一号限位环3上的一号通孔4与二号限位环7上的二号通孔8对齐，然后插入堵栓11，插入堵栓11的过程中，先按压三号通孔13两端的顶块17，使顶块17进入三号通孔13内，然后将堵栓11插入一号通孔4与二号通孔8内即可，当堵栓11完全插入后，在弹簧16的作用下，活动块15像向三号通孔13的开口处滑动，从而推动顶块17，顶块17即可伸出三号通孔13，在限位块12以及顶块17的夹持作用下，一号限位环3以及二号限位7得以被固定，后期若是需要拆卸时，只需按压顶块17，再拔出堵栓11即可。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本专利技术的优选例，并不用来限制本专利技术，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘（1），所述气体供给盘（1）均匀设有多个气体喷射孔（2），所述气体供给盘（1）同轴套设有连接环（6），所述连接环（6）开设有多个连接孔（9），其特征在于，所述气体供给盘（1）外壁同轴固接有一号限位环（3），所述一号限位环（3）的环体开设有若干一号通孔（4），所述一号通孔（4）纵向设置，所述连接环（6）内壁同轴固接有二号限位环（7），所述二号限位环（7）设置在所述一号限位环（3）下方，所述二号限位环（7）开设有若干二号通孔（8），所述二号通孔（8）与所述一号通孔（4）位置相对应，所述一号通孔（4）与所述二号通孔（8）内共同插设有堵栓（11），所述堵栓（11）上端固接有限位块（12），所述堵栓（11）的下端开设有三号通孔（13），所述三号通孔（13）水平设置，所述三号通孔（13）的开口处均设有限位凸起（14），所述三号通孔（13）的两端均设有活动块（15），所述活动块（15）通过所述限位凸起（14）限位在所述三号通孔（13）内，所述三号通孔（13）内设有弹簧（16），所述弹簧（16）的两端分别与所述活动块（15）接触，所述活动块（15）远离所述弹簧（16）的一端均固接有顶块（17），所述顶块（17）设置在所述二号通孔（8）的下方。...

【技术特征摘要】
1.一种半导体干蚀刻装备的分离型上部电极,包括水平设置的气体供给盘（1），所述气体供给盘（1）均匀设有多个气体喷射孔（2），所述气体供给盘（1）同轴套设有连接环（6），所述连接环（6）开设有多个连接孔（9），其特征在于，所述气体供给盘（1）外壁同轴固接有一号限位环（3），所述一号限位环（3）的环体开设有若干一号通孔（4），所述一号通孔（4）纵向设置，所述连接环（6）内壁同轴固接有二号限位环（7），所述二号限位环（7）设置在所述一号限位环（3）下方，所述二号限位环（7）开设有若干二号通孔（8），所述二号通孔（8）与所述一号通孔（4）位置相对应，所述一号通孔（4）与所述二号通孔（8）内共同插设有堵栓（11），所述堵栓（11）上端固接有限位块（12），所述堵栓（11）的下端开设有三号通孔（13），所述三号通孔（13）水平设置，所述三号通孔（13）的开口处均设有限位凸起（14），所述三号通孔（13）的两端均设有活动块（15），所述活动块（15）通过所述限位凸起（14）限位在所述三号通孔（13）内，所述三号通孔（13）内设有弹簧（16），所述弹簧（16）的两端分别与所述活动块（15）接触，所述活动块（15）远离所述弹簧（16）的一端均固接有顶块（17），所述顶块（17）设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹英世，
申请(专利权)人：合肥微睿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34