The invention discloses a fast and accurate hot-carrier testing structure for MOS devices, including two identical adjacent devices (6), which filter out temperature effects by current differential amplifiers, including averaging multiple sets of identical devices to reduce the impact of process heterogeneity, including the use of multi-stage buffers to connect pads and gates. To increase the driving capacity, AC stress can be used for testing, including the use of decoder chip selection of different test modules, reuse of different modules of the pad.
【技术实现步骤摘要】
一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路
本专利技术涉及半导体可靠性领域，特别是关于一种加速热载流子注入测试并更精确的预测MOS(金属氧化物半导体)器件热载流子寿命预测技术背景通过不断缩小器件的特征尺寸，增加集成度以提高电子产品的性能并降低成本，这就要求不断缩小器件关键尺寸，优化芯片架构，采用多阈值电压等技术，力求实现更多的功能并降低器件功耗。由于市场和技术对摩尔定律的追随，集成电路可靠性问题在其应用中越来越受到重视。功能性、经济性、可靠性、安全性始终都是衡量芯片的主要指标。在军事、航天等领域对系统可靠性以及相关的质量相较于民品有着更加严格的要求，甚至对集成电路的可靠性甚至性能更加受到重视。MOS器件工艺进入深亚微米之后，栅氧厚度和沟道长度大幅度减小，而器件的工作电压却相对保持在了一个较高的值，使得沟道区横向与纵向电场变得足够大，载流子由源极到漏极的过程中，能够获得足够的动能，成为高能载流子(热载流子)。热载流子注入(Hotcarrierinjection)效应就是这些载流子经过碰撞电离，电子-电子散射等过程进入氧化层，造成氧化层损伤，从而使MOS...
【技术保护点】
1.一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路，起特征在于：包括使用两个相邻器件，通过电流差分放大器，滤除温度影响，包括使用多组一样的器件取均值，降低工艺不均匀性带来的影响，包括使用多级缓冲器连接焊盘与栅极，增加驱动能力，可以使用交流应力进行测试，包括使用译码器对不同测试模块进行片选，复用不同模块的焊盘。
【技术特征摘要】
1.一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路，起特征在于：包括使用两个相邻器件，通过电流差分放大器，滤除温度影响，包括使用多组一样的器件取均值，降低工艺不均匀性带来的影响，包括使用多级缓冲器连接焊盘与栅极，增加驱动能力，可以使用交流应力进行测试，包括使用译码器对不同测试模块进行片选，复用不同模块的焊盘。2.根据权利要求1所述的快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路，其特征在于：所述两个MOS器件紧邻放置组成器件组；所述两个器件的器件类型与尺寸皆相同；所述两个器件分别用保护环将衬底接出后连接电流差分放大器的两个端口，两个器件之间与器件组四周皆使用保护环将器件良好隔离。3.根据权利要求1所述的快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路，其特征在于：所述电路采用多组一样的器件组，降低工艺不均匀性带来的影响，增加测试精确性。4....
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