The invention provides a sensitive amplifier for use in a flash memory. The sensitive amplifier comprises a pre-charging circuit, a first capacitor, a first inverter and a first transmission gate in parallel with the first inverter, wherein the pre-charging circuit connects the reference voltage end of the flash memory. The reference voltage terminal adjusts its potential according to the state of the flash memory until the output voltage of the first inverter changes, and one end of the first capacitor is connected. The reference voltage end is connected with the input end of the first inverter and the first end of the first transmission gate at the other end; the output end of the first inverter is connected with the second end of the first transmission gate.
【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种灵敏放大器。
技术介绍
现代通信产品中广泛应用存储技术,灵敏放大器(也即读出放大器)是存储电路的一个关键组件,在传统的闪存存储器的单端灵敏放大器(如图1所示,包括存储单元100、列译码器200和电流镜电路300)中,如图2所示,由于参考电压端A’在T1时间段被预充电到电源电压VDD,在T2时间段做读取‘1’的操作时,参考电压端A’要被放电好几百毫伏,才能达到第二级的灵敏放大器400的翻转电压点,从而导致需要较长的数据读取时间(整个T2时间段)。在非易失闪存单元,例如NORflash,处于弱擦除状态,读取电流较小时,尤为明显。另外,对于第二级的灵敏放大器400,其结构内的晶体管M100和M200的性能指标失配也会导致灵敏放大器翻转电压点存在变化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种灵敏放大器,以解决现有的闪存存储器中的灵敏放大器的数据读取时间久的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种灵敏放大器,所述灵敏放大器用于一闪存存储器中,所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门,其中:所述预充电电路连接所述闪存存储器的参考电压端,并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的字线上预充电,预充电结束后参考电压端的电位保持不变;所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位,直至所述第一反相器的输出电压变化;所述第一电容的一端连接所述参考电压端,另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端;所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。可选的,在所述的灵 ...
【技术保护点】
1.一种灵敏放大器,所述灵敏放大器用于一闪存存储器中,其特征在于,所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门,其中:所述预充电电路连接所述闪存存储器的参考电压端,并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的字线上预充电,预充电结束后参考电压端的电位保持不变;所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位,直至所述第一反相器的输出电压变化;所述第一电容的一端连接所述参考电压端,另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端;所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。
【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器,所述灵敏放大器用于一闪存存储器中,其特征在于,所述灵敏放大器包括预充电电路、第一电容、第一反相器和与所述第一反相器并联的第一传输门,其中:所述预充电电路连接所述闪存存储器的参考电压端,并通过所述参考电压端向所述闪存存储器的字线上预充电,预充电结束后参考电压端的电位保持不变;所述参考电压端根据所述闪存存储器的状态调整其电位,直至所述第一反相器的输出电压变化;所述第一电容的一端连接所述参考电压端,另一端连接所述第一反相器的输入端和所述第一传输门的第一端;所述第一反相器的输出端连接所述第一传输门的第二端。2.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述灵敏放大器还包括第二反相器和第三反相器,其中,所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端,所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端。3.如权利要求1所述的灵敏放大器,其特征在于,所述预充电电路包括第一晶体管和第二传输门,其中:所述第一晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第一晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极,所述第一晶体管的源极连接电源电压,第二传输门一端连接所述第一晶体管的漏极,另一端连接所述参考电压端。4.如权利要求3所述的灵敏放大器,其特征在于,所述第一传输门由第一控制信号控制,当所述第一控制信号的电平为接地电平时,所述第一传输门的两端电位相等,当所述第一控制信号的电平为电源电压时,所述第一传输门的两端电位相异。5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛斌,毛智锋,张圣波,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。