The invention discloses a phase inverter clamped sensitive amplifier circuit. The source of the first and second PMOS transistors are connected with the power supply voltage terminal, the gate and drain of the first PMOS transistor are connected with the gate of the second PMOS transistor and the drain of the first NMOS transistor, the source of the first NMOS transistor is connected with the positive of the first voltage controlled current source. The drain of the second PMOS transistor is connected with the reverse input of the first comparator and the drain of the second NMOS transistor; the source of the second NMOS transistor is connected with the positive end of the second voltage controlled current source and the end of the second capacitor; the negative end of the first and second voltage controlled current source and the first and second electricity. The other end of the capacitor is grounded; the gate input feedback voltage of the first and second NMOS transistors; the forward input reference voltage VREF of the first comparator, the output of which is the output of the circuit. The invention can increase the margin of reading.
【技术实现步骤摘要】
反相器钳位的灵敏放大器电路
本专利技术涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种反相器钳位的灵敏放大器(SA)电路。
技术介绍
灵敏放大器应用于NVMMemory(非易失性存储器)读电路。一般的SA电路应用反相器作为读模式下BL(漏极)的钳位反馈电路。参见图1所示,现有的反相器钳位的灵敏放大器电路,由四个PMOS晶体管PM0~PM3、两个NMOS晶体管NM0、NM1,两个反相器FB1、FB2,两个电容C1、C2,两个压控电流源VD0、VD1,一个比较器CMP1组成。PMOS晶体管PM0~PM3的源极与电源电压端VDD相连接,PMOS晶体管PM0的漏极与PMOS晶体管PM1的漏极和栅极、PMOS晶体管PM2的栅极、NMOS晶体管NM0的漏极相连接,其连接的节点记为VE。NMOS晶体管NM0的源极与反相器FB1的输入端、压控电流源VD0的正端和电容C1的一端相连接;压控电流源VD0的负端和电容C1的另一端接地GND。反相器FB1的输出端与NMOS晶体管NM0的栅极相连接。PMOS晶体管PM2的漏极与PMOS晶体管PM3的漏极、NMOS晶体管NM1的漏极、比较器CMP1的反向输入端相连接,其连接的节点记为VF。NMOS晶体管NM1的源极与反相器FB2的输入端、压控电流源VD1的正端和电容C2的一端相连接;压控电流源VD1的负端和电容C2的另一端接地GND。反相器FB2的输出端与NMOS晶体管NM1的栅极相连接。比较器CMP1的正向输入端输入参考电压VREF,其输出端作为电路的输出端SOUT。PMOS晶体管PM0、PM3的栅极输入准备信号PREB。上述灵敏放大器钳位电 ...
【技术保护点】
1.一种反相器钳位的灵敏放大器电路,其特征在于:由两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个压控电流源、两个电容、一个比较器组成;第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接,第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VE;第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接;第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地;第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VF;第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接;第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地;第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压;第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF,其输出端作为电路的输出端SOUT。
【技术特征摘要】
1.一种反相器钳位的灵敏放大器电路,其特征在于:由两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个压控电流源、两个电容、一个比较器组成;第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接,第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VE;第一NMOS晶体管的源极与第一压控电流源的正端、第一电容的一端相连接;第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地;第二PMOS晶体管的漏极与第一比较器的反向输入端、第二NMOS晶体管的漏极相连接,其连接的节点记为VF;第二NMOS晶体管的源极与第二压控电流源的正端、第二电容的一端相连接;第二压控电流源的负端和第二电容的另一端接地;第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极输入反馈电压;第一比较器的正向输入端输入参考电压VREF,其输出端作为电路的输出端SOUT。2.如权利要求1所述的灵敏放大器电路,其特征在于;还包括一反馈电路,其由第四PMOS晶体管~第七PMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管组成;第四PMOS晶体管的源极和第五PMOS晶体管的源极相连接,第四PMOS晶体管的漏极与第六PMOS晶体管的源极相连接,第六PMOS晶体管的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘芳芳,邵博闻,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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