光电子部件制造技术

一种包括波导的光电子部件，波导包括光学有源区域(OAR)，OAR具有上表面和下表面；下部掺杂区域，其中下部掺杂区域位于OAR的下表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第一方向从OAR侧向向外延伸；上部掺杂区域，其中上部掺杂区域位于OAR的上表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第二方向从OAR侧向向外延伸；和位于下部掺杂区域与上部掺杂区域之间的本征区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子部件
本专利技术涉及光电子部件，更具体地涉及带具有波导脊的光学有源区域的光电子部件。
技术介绍
在平面光波回路/波导中的光学调制器和光电二极管的构造中，可能会存在性能和制造的容易性及成本方面的问题。在诸如SiGe调制器和Ge光电检测器之类的PIN结器件的情况下，需要通用结构以使得设计和制造将它们集成所在的器件更简单。对于具有硅/锗(SiGe)介质的调制器来说，采用集总电极的弗朗兹-凯尔迪什(FK)效应被用于实现小尺寸、高速度、低驱动功率消耗和制造的容易性。硅/锗区域提供可有效用于在光谱的C-和L-波段中操作的电吸收效应。在调制器波导结构中，有源波导可由SiGe制成，并且SiGe波导可以在它们的侧面上被掺杂，以提供有效的电接触并在SiGe波导中产生电场。PIN器件可跨越有源本征区域创建场，并且此场的形状可能会影响性能。因此，可采用这样的设计框架，其允许器件设计者获得最有效的场，同时也容易制造。基本上器件分为垂直和水平的类别。垂直器件通常在结构的顶部和底部具有触点。在本专利技术的实施方案中，器件场是有效垂直的(虽然可能是稍微斜的)，但触点是侧向的，同时结构也是相对容易制造的。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电子部件，其包括：包括波导脊的光学有源区域(OAR)，所述OAR具有上表面和下表面；下部掺杂区域，其中所述下部掺杂区域位于所述OAR的所述下表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第一方向从所述波导脊侧向向外延伸；上部掺杂区域，其中所述上部掺杂区域位于所述OAR的所述波导脊的所述上表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第二方向从所述波导脊侧向向外延伸；和位于所述下部掺杂区域与所述上部掺杂区域之间的本征区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 GB 1611427.4;2015.11.12 US 62/254674;201.一种光电子部件，其包括：包括波导脊的光学有源区域(OAR)，所述OAR具有上表面和下表面；下部掺杂区域，其中所述下部掺杂区域位于所述OAR的所述下表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第一方向从所述波导脊侧向向外延伸；上部掺杂区域，其中所述上部掺杂区域位于所述OAR的所述波导脊的所述上表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第二方向从所述波导脊侧向向外延伸；和位于所述下部掺杂区域与所述上部掺杂区域之间的本征区域。2.如权利要求1所述的光电子部件，其进一步包括在第一接触表面处接触所述下部掺杂区域的第一电极和在第二接触表面处接触所述上部掺杂区域的第二电极；其中所述第一接触表面以所述第一方向从所述波导脊侧向偏移；和其中所述第二接触表面以所述第二方向从所述波导脊侧向偏移。3.如权利要求2所述的光电子部件，其中所述第一接触表面和第二接触表面沿着侧向平面彼此对准。4.如权利要求2或权利要求3所述的光电子部件，其中所述上部掺杂区域包括第一掺杂区和第二掺杂区；其中所述上部掺杂区域的所述第二掺杂区中的掺杂剂浓度高于所述上部掺杂区域的所述第一掺杂区中的掺杂剂浓度；和其中所述上部掺杂区域的所述第二掺杂区包括所述第二接触表面。5.如权利要求4所述的光电子部件，其中所述上部掺杂区域的第一掺杂区在所述OAR的所述波导脊的所述上表面处和/或与之相邻，且所述第二掺杂区位于以所述第二方向从所述波导脊侧向移位的位置处。6.如任意前述权利要求所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域包括第一掺杂区和第二掺杂区；其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区中的掺杂剂浓度高于所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区中的掺杂剂浓度；和其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区包括所述第一接触表面。7.如权利要求6所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区位于所述OAR的正下方；和所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述OAR内，从所述波导脊侧向移位，所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区具有包括所述第一接触表面的上表面和与所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区直接接触的下表面。8.如权利要求7所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述OAR的高度降低的部分内。9.如权利要求8所述的光电子部件，其中所述OAR的高度降低的所述部分是在添加所述下部掺杂区域的掺杂剂物质之前所述OAR的已经被蚀刻的部分。10.如权利要求6所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区位于所述OAR的正下方；所述OAR包括以所述第一方向延伸的平板，所述平板在以所述第一方向从所述波导脊侧向移位的位置处呈现穿过其厚度的通孔；和其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区内，在所述通孔的正下方。11.如前述权利要求中任一项所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域与所述OAR的所述下表面部分地相邻，并在所述下表面处部分地迁移到所述OAR中。12.如前述权利要求中任一项所述的光电子部件，其中所述上部掺杂区域完全位于所述OAR内。13.如前述权利要求中任一项所述的光电子部件，其中所述OAR由响应于所施加电场的施加而出现弗朗兹-凯尔迪什效应的电吸收材料形成。14.如前述权利要求中任一项所述的光电子部件，其中所述OAR由适合于在当跨越所述上部掺杂区域和下部掺杂区域施加偏压时检测到光后产生电流的光吸收材料形成。15.根据权利要求1所述的光电子部件，其中所述光学有源区域(OAR)包括波导脊、所述波导脊的第一侧上的第一平板和所述波导脊的第二侧上的第二平板，所述OAR具有上表面和下表面；其中所述下部掺杂区域位于与所述OAR的下表面的一部分相邻处；所述下部掺杂部分还沿着所述OAR的所述第一平板侧向并与之相邻、以...

【专利技术属性】
技术研发人员：余国民，H阿贝依阿素，D勒奥瑟，K马苏达，A特里塔，A兹科依耶，
申请(专利权)人：洛克利光子有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB