半导体光调制元件制造技术

本发明专利技术提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明专利技术的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。

Semiconductor optical modulation element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光调制元件
本专利技术涉及一种光通信领域中的作为高速的光调制器来发挥功能的半导体光调制元件。
技术介绍
除了要求光通信容量的增大以外，还要求为此所使用的光器件的小型、低耗电化。作为掌控这些特性的重要的要素器件，可以举出马赫-策德尔型(MZ：Mach-Zehnder)光调制器，且进行了大量的研发。特别是近年来，为了实现进一步的小型、低耗电化，从以铌酸锂(LN)为材料的光调制器变为了以InP为代表的化合物半导体材料的光调制器受到关注。关于化合物半导体光调制器的特征，以下简单进行说明。为了使之作为光调制器来动作而利用电(电场)与传输光的相互作用。一般而言，将封入光的芯层设为非掺杂层，从上层依次通过p型以及n型的包层夹住该层，并施加反向偏置电压，由此，实现光与电的强相互作用。再者，此处所使用的p型半导体与n型半导体相比，材料的电阻率以及光学吸收率大约高一个数量级以上，因此，在调制动作的高速化、低光损耗化方面存在较大的问题。此外，由于p型半导体与电极的接触面积同n型相比相当小，因此，接触电阻增大会导致进一步的频带劣化。为了解决这些问题，此前实行过以下所示的两种方案的途径(半导体层的改良、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光调制元件，其是马赫‑策德尔型半导体光调制元件，通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域、以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层朝向基板面至少层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.02 JP 2015-1124481.一种半导体光调制元件，其是马赫-策德尔型半导体光调制元件，通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域、以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层朝向基板面至少层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。2.根据权利要求1所述的半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在不对光的折射率进行调制的部分，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：小木曾义弘，尾崎常祐，柏尾典秀，菊池顺裕，神德正树，
申请(专利权)人：日本电信电话株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP