探测器制造技术

本发明专利技术提供能够使从芯片背面电极至测定器连接点的杂散电感降低的探测器。探测器具备：晶片卡盘(18)，其具有导电性的支承面(18a)；探针卡(24)，其在与支承面(18a)对置的面具有多个探针(25)；台构件(50)，其具有导电性的台面(50a)且与晶片卡盘(18)一体地移动，台面(50a)形成为与支承面(18a)平行且与支承面(18a)电连接；导电性接触件(52)，其配置在与台面(50a)对置的位置；以及平板状配线构件(70)，其配置在与台面(50a)平行且接近的位置，一端与导电性接触件(52)电连接，且该平板状配线构件(70)朝向晶片卡盘(18)侧延伸设置。

detector

The present invention provides a detector capable of reducing stray inductance from the electrode on the back side of a chip to the connecting point of a tester. The detector consists of a wafer chuck (18) with a conductive supporting surface (18a), a probe card (24), a plurality of probes (25) on the surface opposite the supporting surface (18a), a table member (50), a conductive table surface (50a) and a wafer chuck (18) moving in one body, and a table surface (50a) forming parallel to the supporting surface (18a) and with the supporting surface (1). 8a) electrically connected; conductive contact (52) disposed in a position opposite to the mesa (50a); and flat wiring member (70) disposed in a position parallel to and close to the mesa (50a), one end electrically connected to the conductive contact (52), and the flat wiring member (70) extends toward the side of the wafer chuck (18).

【技术实现步骤摘要】
探测器
本专利技术涉及对形成在半导体晶片上的多个芯片进行电气检查的探测器。
技术介绍
在半导体制造工序中，对薄圆板状的半导体晶片实施各种处理，从而形成半导体装置(设备)所分别具有的多个芯片(裸芯)。对各芯片进行电气特性检查，然后利用切割机切开，之后固定于引线框等而进行组装。上述电气特性的检查通过由探测器与测定器构成的晶片检测系统进行。探测器将晶片固定于晶片卡盘，并使探针与各芯片的电极接触。测定器与探针电连接，为了进行电气检查而对各芯片施加电流、电压并测定特性。功率晶体管、功率MOSFET(场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor；绝缘栅双极晶体管)、LED(LightEmittingDiode；发光二极管)、半导体激光器等半导体装置(设备)一般在晶片的表面形成有电极(芯片表面电极)，并且在晶片的背面也形成有电极(芯片背面电极)。例如，在IGBT中，在晶片的表面形成有栅电极以及发射极电极，在晶片的背面形成有集电极。为了在上述那样的在晶片的两面形成有多个具有电极的芯片的晶片中进行晶片级检查，在晶片卡盘设置有导电性的支承面(晶片载置面)，所述支承面以接触的状态保持晶片的背面，并作为测定器的测定电极发挥作用。该支承面经由从晶片卡盘引出的电缆而与测定器电连接。而且，在进行检查的情况下，将晶片保持于晶片卡盘，在使探针与在晶片的表面形成的各芯片的电极(芯片表面电极)接触的状态下进行各种测定。然而，将晶片卡盘与测定器之间连接的电缆配设为经由在构成探测器的壳体的侧面或背面等设置的连接器而在壳体的内外迂回的状态，因此其长度通常需要为1～3m左右。因此，在芯片背面电极与测定器之间形成的电路径变长，其电阻、电感变大，因此存在产生高频测定、动态测定的测定误差，从而无法以要求的精度适当地进行晶片级检查的问题。为了解决这样的问题，例如，专利文献1中记载了一种检查装置，该检查装置具备以与晶片卡盘的导电性的支承面相面对的方式设置的卡盘引线板、以及固定于晶片卡盘的周边部的顶针。根据该检查装置，在芯片背面电极与测定器之间形成的电路径经由顶针与卡盘引线板而构成，因此与上述的以往的结构相比能够减小在上述电路径中产生的电阻、电感。然而，在专利文献1所记载的检查装置中，顶针固定于晶片卡盘，因此芯片背面电极与测定器之间的电路径的长度根据所检查的芯片在晶片上的位置而发生变化。例如，在对存在于晶片的中央附近的芯片进行检查的情况和对存在于晶片的端部附近的芯片进行检查的情况下，上述电路径的长度不同。因此，在上述电路径中产生的电阻、阻抗根据所检查的芯片在晶片上的位置而发生变化，对高频测定、动态测定产生不利影响，存在无法高精度地进行晶片级检查的问题。针对这种问题，本专利技术申请人提出了一种探测器，该探测器构成为使固定于与台构件相面对的位置的接触件与同晶片卡盘一体地移动的导电性的台构件电接触(参照专利文献2)。根据该探测器，不受所检查的芯片在晶片上的位置影响，在芯片背面电极与测定器之间形成的电路径中的电阻、阻抗小且变动少，因此能够稳定地进行高频测定、动态测定，能够高精度地进行晶片级检查。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-138865号公报专利文献2：日本特开2014-110381号公报然而，在如专利文献2所述那样构成为使固定于与台构件相面对的位置的接触件与同晶片卡盘一体地移动的导电性的台构件电接触的探测器中，存在从芯片背面电极至测定器连接点的电路径的配线长度，从而存在该距离引起的杂散(残留)电感对动态测定、静态测定的大电流测定的波形产生不利影响的问题。为了适当地进行这种测定，需要尽可能地降低杂散电感。然而，在具有上述那样的结构的探测器中，无法缩短芯片背面电极与上述接触件之间的距离，因此认为杂散电感的降低存在极限。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于提供能够在从芯片背面电极至测定器连接点的电路径中降低杂散电感的探测器。用于解决课题的方案为了实现上述目的，本专利技术的第一方式的探测器具备：晶片卡盘，其具有导电性的支承面；探针卡，其在与支承面对置的面具有多个探针；台构件，其具有导电性的台面且与晶片卡盘一体地移动，台面形成为与支承面平行且与支承面电连接；导电性接触件，其配置在与台面对置的位置；以及平板状配线构件，其配置在与台面平行且接近的位置，一端与导电性接触件电连接，且该平板状配线构件朝向晶片卡盘侧延伸设置。根据本方式，在从芯片背面电极至测定器连接点的电路径中，将导电性接触件作为折回点而通过平板状配线构件实现了接近平行平板型的结构，从而能够大幅度降低杂散电感。本专利技术的第二方式的探测器以第一方式为基础，其中，探测器具有保持探针卡的头部台，平板状配线构件沿着头部台的与台面对置的面配设。根据本方式，能够将平板状配线构件容易地配置在与台面平行且接近的位置。本专利技术的第三方式的探测器以第二方式为基础，其中，在头部台与平板状配线构件之间设置有间隔构件。根据本方式，能够使平板状配线构件与台面之间的距离(间隔)进一步接近，因此能够进一步降低杂散电感。本专利技术的第四方式的探测器以第一至第三方式中的任一方式为基础，其中，台构件构成为与晶片卡盘分离，且台面与支承面经由台连接用配线构件而电连接。本方式是本专利技术的一个优选的方式。根据该方式，台构件与晶片卡盘热分离，因此即使在晶片级检查时对晶片卡盘进行加热、冷却的情况下，晶片卡盘的温度变化也难以向台构件传递而能够得到隔热效果，因此能量效率良好，并且防止了台构件的热变形。由此，导电性接触件相对于台构件的台面的接触位置(Z方向的高度)不会发生变动，导电性接触件能够始终以一定的接触压力与台构件的台面抵接。因此，能够不受晶片卡盘的温度变化的影响，而提高晶片级检查的测定精度、可靠性。本专利技术的第五方式的探测器以第四方式为基础，其中，台连接用配线构件由平板状的挠性配线构件构成。根据本方式，能够容易且高可靠性地将台面与支承面连接，并且能够进一步接近平行平板型的结构，因此能够进一步降低杂散电感。本专利技术的第四方式的探测器以第一至第三方式中的任一方式为基础，其中，台构件与晶片卡盘一体地构成。根据本方式，台构件与晶片卡盘一体地构成，因此能够进一步接近平行平板型的结构，能够进一步降低杂散电感。专利技术效果根据本专利技术，在从芯片背面电极至测定器连接点的电路径中，将导电性接触件作为折回点而通过平板状配线构件实现了接近平行平板型的结构，从而能够大幅度降低杂散电感。附图说明图1是示出晶片检测系统的基本结构的一例的整体概要图。图2是示出晶片卡盘与台构件之间的关系的俯视图。图3是示出所检查的芯片在晶片上的位置与导电性接触件的相对位置关系的图。图4是示出作为本专利技术的实施方式的晶片检测系统的结构例的主要部分的概要图。图5是从上方俯视观察图4所示的晶片检测系统时的概要图。图6是示出在头部台的背面隔着间隔构件而配设有平板状配线构件的结构例的概要图。图7是示出将台构件的台面与晶片卡盘的支承面经由平板状的挠性配线构件而电连接的结构例的概要图。图8是示出将台构件设为与晶片卡盘一体的结构时的结构例的概要图。图9是图8所示的晶片卡盘的俯视图。附图标记说明10…探测器、11…基台、12…移动基座、13…Y轴移动台、14…X轴移动台、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测器，具备：晶片卡盘，其具有导电性的支承面；探针卡，其在与所述支承面对置的面具有多个探针；台构件，其具有导电性的台面且与所述晶片卡盘一体地移动，所述台面形成为与所述支承面平行且与所述支承面电连接；导电性接触件，其配置在与所述台面对置的位置；以及平板状配线构件，其配置在与所述台面平行且接近的位置，一端与所述导电性接触件电连接，且该平板状配线构件朝向所述晶片卡盘侧延伸设置。

【技术特征摘要】
2017.03.07 JP 2017-0430801.一种探测器，具备：晶片卡盘，其具有导电性的支承面；探针卡，其在与所述支承面对置的面具有多个探针；台构件，其具有导电性的台面且与所述晶片卡盘一体地移动，所述台面形成为与所述支承面平行且与所述支承面电连接；导电性接触件，其配置在与所述台面对置的位置；以及平板状配线构件，其配置在与所述台面平行且接近的位置，一端与所述导电性接触件电连接，且该平板状配线构件朝向所述晶片卡盘侧延伸设置。2.根据权利要求1所述的探...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上公之辅，寺田正二，重泽祐治，明星知幸，
申请(专利权)人：株式会社东京精密，
类型：发明
国别省市：日本,JP