一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种负极对接双向整流二极管，包括管壳、焊片、引线和二极管芯片，所述管壳的内部封装有焊片和二极管芯片，左右两侧的焊片外侧均设有引线。本发明专利技术还公开了一种负极对接双向整流二极管的制造工艺，此产品的加工流程包含以下步骤：步骤一：第一层二极管芯片分向；步骤二：分向二极管芯片转换方向；步骤三：分向二极管芯片预焊盘装填；步骤四：焊片预焊盘装填；步骤五：第二层二极管芯片分向；本发明专利技术具有以下优点：一个管壳封装封装两个负极对接整流二极管芯片，实现双向整流、保护功能，两个引脚，引线压扁式SMA外形封装，两个整流二极管芯片分向，负极对接，叠加组装焊接工艺，负极对接双向整流二极管生产工艺。

A negative butt butt bidirectional rectifier diode and its manufacturing process

The invention discloses a bidirectional rectifier diode with negative pole butt connection, which comprises a tube shell, a solder pad, a lead and a diode chip. The inside of the tube shell is encapsulated with a solder pad and a diode chip, and both sides of the solder pad are provided with a lead. The invention also discloses a manufacturing process of a negative electrode butt bidirectional rectifier diode. The manufacturing process of the product comprises the following steps: the first layer diode chip divides direction; the second step: divides direction to the diode chip; the third step: divides direction to the diode chip pre-pad filling; the fourth step: solder pad pre-pad mounting. The invention has the following advantages: one shell package encapsulates two negative pole butt rectifier diode chips, realizes bidirectional rectification and protection function, two pins, lead flattened SMA shape package, two rectifier diode chips divide direction, negative pole butt, overlap assembly and welding. The technology is connected with the negative pole to connect the bidirectional rectifier diode.

【技术实现步骤摘要】
一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺
本专利技术涉及二极管及其制造工艺
，具体为一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺。
技术介绍
双向整流二极管应用在线路中与其它器件并联，防雷击烧坏产品，实现保护作用。现有方案一，半波整流桥：两个整流二极管芯片组成的半波整流桥封装在一个管壳内，有三个引脚，共阴极或共阳极。现有方案二，两个整流二极管安装在线路板中，通过线路设计实现两个二极管共阴极或共阳接连接。现有缺陷：1.现有半波整流桥为三端器件，线路中占空间大、生产成本高；2.使用两个整流二极管，需要复杂线路设计，两次贴片安装，占用空间大、生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种负极对接双向整流二极管及其制造工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种负极对接双向整流二极管，包括管壳、焊片、引线和二极管芯片，所述管壳的内部封装有焊片和二极管芯片，左右两侧的焊片外侧均设有引线，所述引线穿过管壳的外侧面设置，左右两个引线呈对称状设置。优选的，所述焊片设有三个，所述二极管芯片设有两个，二极管芯片和焊片呈间隔状排列，两个二极管芯片呈对称状分布在两两焊片之间。一种负极对接双向整流二极管的制造工艺，此产品的加工流程包含以下步骤：步骤一：第一层二极管芯片分向，将整流二极管芯片放入芯片分向吸盘，通过摇动芯片分向吸盘，使用整流二极管芯片落入芯片分向吸盘方孔进行分向，负极全部朝上；步骤二：分向二极管芯片转换方向，将分向后的负极朝上二极管芯片利用转换吸盘，再次转换二极管芯片方向，使全部二极管芯片正极全部朝上；步骤三：分向二极管芯片预焊盘装填，把正极朝上的分向二极管芯片放入预焊用石墨焊接板，使其在预焊用石墨焊接板孔内全部负极朝上；步骤四：焊片预焊盘装填，负极朝上的整流二极管芯片上面再装填一层焊片；步骤五：第二层二极管芯片分向，将整流二极管芯片放入芯片分向吸盘，通过摇动芯片分向吸盘，使用整流二极管芯片落入芯片分向吸盘方孔进行分向，负极全部朝上；步骤六：第二层分向二极管芯片预焊盘装填，将第二次分向二极管芯片装填到已经完成第一层分向二极管芯片和第一层焊片装填的预焊盘内，即在第一层焊片上再装填入第二层分向后负极朝下的整流二极管芯片，实现两个二极管芯片负极对接；步骤七：二极管芯片组预焊，将完成二极管芯片、焊片叠层装填的预焊用石墨焊接盘通过焊接炉进行预焊；步骤八：已预焊二极管芯片组焊接盘装填，用吸盘将预焊好的二极管芯片组吸起，装填到已装填好下层引线和焊片的石墨船中；步骤九：负极对接两二极管芯片叠加产品焊接，在已预焊二极管芯片组上层再装填一层焊片，盖上层引线，最后放入焊接炉进行焊接，从而获得两个二极管芯片负极对接双向整流二极管。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术结构设置合理，功能性强，具有以下优点：1.一个管壳封装两个负极对接整流二极管芯片，实现双向整流、保护功能；2.两个引脚，引线压扁式SMA外形封装；3.两个整流二极管芯片分向，负极对接，叠加组装焊接工艺；4.负极对接双向整流二极管生产工艺。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术功能结构示意图；图3为本专利技术应用线路结构示意图。图中：1管壳、2焊片、3引线、4二极管芯片。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-3，本专利技术提供一种技术方案：一种负极对接双向整流二极管，包括管壳1、焊片2、引线3和二极管芯片4，管壳1的内部封装有焊片2和二极管芯片4，左右两侧的焊片2外侧均设有引线3，引线3穿过管壳1的外侧面设置，左右两个引线3呈对称状设置。进一步地，焊片2设有三个，二极管芯片4设有两个，二极管芯片4和焊片2呈间隔状排列，两个二极管芯片4呈对称状分布在两两焊片2之间。一种负极对接双向整流二极管的制造工艺，此产品的加工流程包含以下步骤：步骤一：第一层二极管芯片分向，将整流二极管芯片放入芯片分向吸盘，通过摇动芯片分向吸盘，使用整流二极管芯片落入芯片分向吸盘方孔进行分向，负极全部朝上；步骤二：分向二极管芯片转换方向，将分向后的负极朝上二极管芯片利用转换吸盘，再次转换二极管芯片方向，使全部二极管芯片正极全部朝上；步骤三：分向二极管芯片预焊盘装填，把正极朝上的分向二极管芯片放入预焊用石墨焊接板，使其在预焊用石墨焊接板孔内全部负极朝上；步骤四：焊片预焊盘装填，负极朝上的整流二极管芯片上面再装填一层焊片；步骤五：第二层二极管芯片分向，将整流二极管芯片放入芯片分向吸盘，通过摇动芯片分向吸盘，使用整流二极管芯片落入芯片分向吸盘方孔进行分向，负极全部朝上；步骤六：第二层分向二极管芯片预焊盘装填，将第二次分向二极管芯片装填到已经完成第一层分向二极管芯片和第一层焊片装填的预焊盘内，即在第一层焊片上再装填入第二层分向后负极朝下的整流二极管芯片，实现两个二极管芯片负极对接；步骤七：二极管芯片组预焊，将完成二极管芯片、焊片叠层装填的预焊用石墨焊接盘通过焊接炉进行预焊；步骤八：已预焊二极管芯片组焊接盘装填，用吸盘将预焊好的二极管芯片组吸起，装填到已装填好下层引线和焊片的石墨船中；步骤九：负极对接两二极管芯片叠加产品焊接，在已预焊二极管芯片组上层再装填一层焊片，盖上层引线，最后放入焊接炉进行焊接，从而获得两个二极管芯片负极对接双向整流二极管。工作原理：产品性能优良关键在二极管芯片叠加后焊接质量（即二极管芯片整齐性），二极管芯片叠加后整齐度的保证，是通过专用工装具预焊工艺实现的，根据二极管芯片形状为正方形，设计正方形二极管芯片分向吸盘和正方形预焊板，保证了多层二极管芯片整齐叠加预焊到一起，然后再组装预焊后的二极管芯片和引线，从而保证了焊接后的产品二极管芯片叠加整齐。产品生产工艺流程：（1）两芯片负极对接叠加组装焊接；（2）焊接后半成品注塑封装、后固化；（3）注塑封装半成品引线去残胶；（4）注塑封装后半成品引线压扁、切弯脚成型；（5）成型后半成品引脚镀锡；（6）半成品双向电性参数测试，激光打标。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负极对接双向整流二极管，其特征在于：包括管壳（1）、焊片（2）、引线（3）和二极管芯片（4），所述管壳（1）的内部封装有焊片（2）和二极管芯片（4），左右两侧的焊片（2）外侧均设有引线（3），所述引线（3）穿过管壳（1）的外侧面设置，左右两个引线（3）呈对称状设置。

【技术特征摘要】
1.一种负极对接双向整流二极管，其特征在于：包括管壳（1）、焊片（2）、引线（3）和二极管芯片（4），所述管壳（1）的内部封装有焊片（2）和二极管芯片（4），左右两侧的焊片（2）外侧均设有引线（3），所述引线（3）穿过管壳（1）的外侧面设置，左右两个引线（3）呈对称状设置。2.根据权利要求1所述的一种负极对接双向整流二极管，其特征在于：所述焊片（2）设有三个，所述二极管芯片（4）设有两个，二极管芯片（4）和焊片（2）呈间隔状排列，两个二极管芯片（4）呈对称状分布在两两焊片（2）之间。3.一种如权利要求1-2任意一项所述的一种负极对接双向整流二极管的制造工艺，其特征在于：此产品的加工流程包含以下步骤：步骤一：第一层二极管芯片分向，将整流二极管芯片放入芯片分向吸盘，通过摇动芯片分向吸盘，使用整流二极管芯片落入芯片分向吸盘方孔进行分向，负极全部朝上；步骤二：分向二极管芯片转换方向，将分向后的负极朝上二极管芯片利用转换吸盘，再次转换二极管芯片方向，使全部二极管芯片正极全部朝上；步骤三：分向二极管芯片预...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱礼贵，候玉军，
申请(专利权)人：日照鲁光电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37