A semiconductor device and a manufacturing method for low cost semiconductor devices. The pin-to-pin joint (3bc) of the plurality of lead wires of the package (7) includes the first area (3bd) in which the Ag coating (8b) is carried out on the top surface, the second area (3be) in which the Ni coating (8a) is carried out on the top surface, the second area (3a) on the side of the chip pad, and the first area (4) on the peripheral side of the sealing solid. Therefore, in each pin joint, it is possible to distinguish the types of electroplating applied to the most surface by region 1 and region 2, and to connect the thick Al conductor (6b) to the second area of the second lead (3bb), and the thin Au conductor (6a) to the first area of the first lead (3ba). As a result, it is possible to avoid the use of Au coating only, so as to achieve the low cost of encapsulation (7).
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法本申请是申请日为2013年11月04日、申请号为201310538497.8、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件及其制造技术，涉及适用于使用例如两种直径的导线的半导体器件及其组装的有效技术。
技术介绍
作为半导体器件中的引线框架组装体，如下构造例如被日本特开2003-209132号公报(专利文献1)公开，所述构造为：在各引线端子的焊盘部的导出部侧的二分之一区域形成有由以镍为主成分的金属构成的第1电镀面，在焊盘部的靠近支承板的缘部的二分之一区域形成有由以银为主成分的金属构成的第2电镀面。另外，在引线框架组装体中如下构造例如被日本特开2007-294530号公报(专利文献2)公开，所述构造为：在五条引线端子的焊盘部的前端面上形成有镀银面，在引线端子之一上连接有铝细线及金细线，铝细线与镀镍面连接，金细线与镀银面连接。另外，在具有包含功率MOSFET或功率双极型晶体管的半导体芯片的半导体器件中，如下构造例如被日本特表2000-503491号公报(专利文献3)公开，所述构造为：上述MOSFE...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：芯片焊盘，其具有上表面及与所述上表面相反侧的下表面；半导体芯片，其具有主面及与所述主面相反侧的背面，在所述主面形成有多个电极焊盘，并且以所述背面与所述芯片焊盘的所述上表面相对的方式搭载在所述芯片焊盘上；多条引线，其在所述芯片焊盘的侧旁并列配置；第1导线，其将所述半导体芯片的所述多个电极焊盘中的第1电极焊盘和所述多条引线中的第1引线电连接；和第2导线，其直径比所述第1导线粗，并且将所述半导体芯片的所述多个电极焊盘中的第2电极焊盘和所述多条引线中的第2引线电连接，所述多条引线分别在所述芯片焊盘侧的前端具有导线接合部，所述多条引线各自的所述导...
【技术特征摘要】
2012.11.05 JP 2012-2432891.一种半导体器件，其特征在于，包括：芯片焊盘，其具有上表面及与所述上表面相反侧的下表面；半导体芯片，其具有主面及与所述主面相反侧的背面，在所述主面形成有多个电极焊盘，并且以所述背面与所述芯片焊盘的所述上表面相对的方式搭载在所述芯片焊盘上；多条引线，其在所述芯片焊盘的侧旁并列配置；第1导线，其将所述半导体芯片的所述多个电极焊盘中的第1电极焊盘和所述多条引线中的第1引线电连接；和第2导线，其直径比所述第1导线粗，并且将所述半导体芯片的所述多个电极焊盘中的第2电极焊盘和所述多条引线中的第2引线电连接，所述多条引线分别在所述芯片焊盘侧的前端具有导线接合部，所述多条引线各自的所述导线接合部具有：配置在所述芯片焊盘侧且与所述第2导线连接的第2区域、和配置在比所述第2区域远离所述芯片焊盘的位置且与所述第1导线连接的第1区域，所述第2引线的所述导线接合部的所述第2区域具有比所述第1引线的所述导线接合部的所述第2区域向接近所述芯片焊盘的方向延伸的延伸部。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片焊盘在所述芯片焊盘的与所述第2引线的所述延伸部相对的位置具有切缺部。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第2引线的所述延伸部在与所述芯片焊盘的所述切缺部相对的位置，具有以在俯视观察下相对于所述芯片焊盘的与所述第2引线相对的边倾斜的方式设置的倾斜部。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第2导线横截所述延伸部的所述倾斜部。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在由所述多条引线组成的引线列的中心配置有支承所述芯片焊盘的悬垂引线，关于所述第1引线的所述导线接合部的所述第1区域，所述第1区域的宽度方向的中心线比所述第1引线的宽度方向的中心线位于所述悬垂引线侧。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，由所述多条引线组成的引线列和所述芯片焊盘的一条边相对而配置。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在由所述多条引线组成的引线列中，所述第...
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