等离子蚀刻方法技术

提供等离子蚀刻方法，抑制带与保持面之间产生气泡，防止带焦糊。该等离子蚀刻方法在对下表面上粘贴有带(T)的晶片(W)进行了磨削加工之后，对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法包含如下的工序：干燥工序，对带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在干燥工序之后，对静电卡盘(4)的电极(44)提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在静电保持工序之后，对减压室(C)进行减压，利用等离子化后的反应气体对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。

Plasma etching method

A plasma etching method is provided to prevent bubbles from occurring between the belt and the holding surface and prevent coke from burning. After grinding the wafer (W) with tape (T) on the lower surface, the plasma etching method includes the following processes: drying process, giving heat to the tape and removing moisture in the tape; electrostatic holding process, in the drying process. After that, the electrodes (44) of the electrostatic chuck (4) are supplied with direct current electricity to generate static electricity, and the wafer is kept static; and the etching process, after the electrostatic holding process, the vacuum chamber (C) is decompressed, and the grinded surface of the wafer is etched by plasma using the plasma reaction gas.

【技术实现步骤摘要】
等离子蚀刻方法
本专利技术涉及等离子蚀刻方法。
技术介绍
在磨削装置进行了磨削后的晶片的被磨削面上残留有磨削痕，该磨削痕成为晶片的抗弯强度降低的原因。因此，提出了通过等离子蚀刻将磨削痕从晶片的被磨削面去除的装置(例如，参照专利文献1)。等离子蚀刻装置经由开闭门将晶片从外部搬入至减压室(腔室)内，在对减压室内进行了减压的状态下提供蚀刻气体。并且，使等离子化后的蚀刻气体与晶片发生反应而将磨削痕从被磨削面去除，从而抑制磨削完成的晶片的磨削痕所导致的抗弯强度的降低。专利文献1：日本特开2016-143785号公报在基于磨削装置的磨削中，向晶片和磨削磨具提供磨削水而将磨削加工带来的热去除。特别是磨削后的晶片是湿润的，因此在将该晶片投入至减压室之前需要预先使其干燥。因此，考虑对晶片和带吹送干燥空气而预先将正面的水去除。但是，虽然通过干燥空气的吹送将晶片和带的正面干燥，但内部的干燥并不充分。因此，有时当进行减压时存在于内部的水分发生气化而在带与静电卡盘之间形成气泡(间隙)。对于静电卡盘而言，在其内部形成有使冷却水流通的冷却水路，该冷却水用于将蚀刻气体与晶片反应的反应热去除。当在形成有该气泡的状态下实施等离子蚀刻时，由于气泡会导致带不与静电卡盘接触，因此带不被冷却而是暴露在反应热所导致的高温下，其结果是，带的粘接剂熔化，当将带从晶片剥离时，粘接剂粘附在器件上。另外，当带进一步暴露在高温下时，担心产生带熔化而开孔的所谓的“带焦糊”现象。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供能够防止带焦糊的等离子蚀刻方法。根据本专利技术，提供等离子蚀刻方法，在一边对一个面上粘贴有带的晶片的另一个面提供磨削水一边利用磨削磨具进行了磨削之后，利用等离子蚀刻装置对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，其中，该等离子蚀刻装置包含：静电卡盘，其对配设在内部的电极提供直流电力，利用静电力隔着该带对晶片进行保持；以及减压室，其收纳对晶片进行保持的该静电卡盘，对该减压室进行减压并使所提供的反应气体等离子化，从而对晶片进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法具有如下的工序：干燥工序，对该带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在该干燥工序之后，对该静电卡盘的该电极提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在该静电保持工序之后，对该减压室进行减压，利用等离子化后的反应气体对该静电卡盘所保持的晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。根据该结构，即使由于磨削加工而在带中吸收了磨削水，也能够通过对带进行积极地加热而将带内的水分去除。由此，即使在蚀刻工序时减压室进行减压，水分也不会从带中流出，能够防止带与静电卡盘的保持面之间产生气泡。由此，能够利用等离子蚀刻防止产生带焦糊。根据本专利技术，能够抑制带与静电卡盘的保持面之间产生气泡，能够防止带焦糊。附图说明图1的(A)、(B)、(C)是利用以往的方法对晶片进行保持时的局部放大剖视图。图2是示出本实施方式的干燥工序的一例的示意性剖视图。图3是示出本实施方式的静电保持工序和蚀刻工序的一例的示意性剖视图。标号说明T：带；W：晶片；B：气泡；C：减压室；4：静电卡盘；44：电极。具体实施方式在等离子蚀刻装置中，通过配设在减压室内的静电卡盘对磨削后的晶片进行吸附保持。在对减压室内进行了减压之后，提供反应气体(蚀刻气体)。然后，对反应气体提供高频电力从而使反应气体等离子化，利用等离子化后的反应气体对晶片进行等离子蚀刻。在这样的等离子蚀刻装置中，如上所述需要对减压室内进行减压。减压室的减压时间取决于减压室内的湿度，因此不太优选将加工后(例如磨削加工后)的湿润的晶片搬送至减压室内。因此，考虑利用干燥空气对加工后的晶片进行吹气(airblow)等而对正面预先进行干燥。图1是利用以往的方法对晶片进行保持时的局部放大剖视图。图1的(A)示出晶片刚被磨削加工后的状态，图1的(B)示出对减压室进行了减压的状态，图1的(C)示出蚀刻中的状态。如图1所示，在晶片W的下表面上，作为保护部件粘贴有带。带T是在基材的正面上涂布糊料而形成的，糊料侧作为带T的粘贴面(粘接面)。基材例如由聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚烯烃等合成树脂形成，略微具有吸水性(吸湿性)。如图1的(A)所示，磨削加工中，晶片W隔着带T被吸引保持在磨削装置的保持工作台6上，因此带T的基材侧不直接向外部露出，但是磨削水等加工水会从外周部分被吸收到基材内。因此，即使在搬送至减压室内时对晶片W的正面进行吹气，被吸收在带(基材)中的水分也无法被去除。其结果是，如图1的(B)所示，减压室被减压从而水分从基材内部流出并发生气化，有可能在带T与静电卡盘4的保持面41之间形成气泡B。当以在带T与保持面41之间残留有气泡B的状态实施等离子蚀刻时，在工件(晶片W和带T)的一部分从保持面41浮起的状态下，气泡B的周边因蚀刻的热量而被加热。特别是如图1的(C)所示，蚀刻中，冷却水在静电卡盘4的内部所形成的水套(未图示)中流动，能够抑制静电卡盘4和晶片W的异常的温度上升。但是，如上所述，产生了气泡B的部位的带T的下表面不与保持面41接触，因此该带T无法被适当地冷却。其结果是，有可能产生气泡B附近的带T暴露在高温下而焦糊、开孔的所谓的“带焦糊”的现象。因此，本申请专利技术人着眼于带T(基材)的材质，发现带T的种类不同则吸水性不同，其结果是，在使减压室减压时带T内的水分从带T内流出而气化，在带T与静电卡盘4之间形成有气泡B。即，本专利技术的要点在于，考虑到带T吸收了磨削加工时的水，从而在蚀刻前预先对带T进行积极地加热而将带T内的水分去除。具体而言，在本实施方式中，构成为：在利用静电卡盘4对晶片W进行保持之前，预先将晶片W载置于加热器工作台3，从加热器工作台3对带T赋予热量而将带T内的水分去除(参照图2)。由此，预先对带T进行干燥，因此在将晶片W搬送至静电卡盘4之后，即使减压室C被减压，也不会从带T中流出水分，不会在带T与静电卡盘4之间形成气泡。由此，即使实施等离子蚀刻，也能够防止产生带焦糊。以下，参照附图对本实施方式的等离子蚀刻方法进行说明。图2是示出本实施方式的干燥工序的一例的示意性剖视图。图3是示出本实施方式的静电保持工序和蚀刻工序的一例的示意性剖视图。在本实施方式中，例示出电容耦合型等离子体(CCP:CapacitiveCoupledPlasma)的等离子蚀刻装置1作为减压处理装置来进行说明，但减压处理装置也可以是感应耦合型等离子体(ICP:InductiveCoupledPlasma)的等离子蚀刻装置或其他各种等离子蚀刻装置。另外，减压处理装置只要是在减压状态下对晶片进行处理的装置即可，例如可以是使膜在晶片的正面上生长的成膜装置。本实施方式的等离子蚀刻方法是如下的方法：在利用磨削磨具对一个面(下表面)上粘贴有带T的晶片W的另一个面(上表面)进行了磨削之后，对晶片W的上表面(被磨削面)进行等离子蚀刻。具体而言，等离子蚀刻方法中，在提供磨削水而对晶片W的被磨削面进行了磨削加工之后，经由如下的工序来实施：干燥工序(参照图2)，对晶片W的下表面的带T进行干燥；静电保持工序(参照图3)，利用静电卡盘4对晶片W进行静电保持；以及蚀刻工序(参照图3)，利用等离子化后的反应气体对晶片W的被磨削面进行等离子蚀刻。另外，作为本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子蚀刻方法，在一边对一个面上粘贴有带的晶片的另一个面提供磨削水一边利用磨削磨具进行了磨削之后，利用等离子蚀刻装置对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，其中，该等离子蚀刻装置包含：静电卡盘，其对配设在内部的电极提供直流电力，利用静电力隔着该带对晶片进行保持；以及减压室，其收纳对晶片进行保持的该静电卡盘，对该减压室进行减压并使所提供的反应气体等离子化，从而对晶片进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法具有如下的工序：干燥工序，对该带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在该干燥工序之后，对该静电卡盘的该电极提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在该静电保持工序之后，对该减压室进行减压，利用等离子化后的反应气体对该静电卡盘所保持的晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。

【技术特征摘要】
2017.02.17 JP 2017-0274771.一种等离子蚀刻方法，在一边对一个面上粘贴有带的晶片的另一个面提供磨削水一边利用磨削磨具进行了磨削之后，利用等离子蚀刻装置对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，其中，该等离子蚀刻装置包含：静电卡盘，其对配设在内部的电极提供直流电力，利用静电力隔着该带对晶片进行保持；以及减压室，其收纳对晶片进行保...

【专利技术属性】
技术研发人员：千东谦太，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP