【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片结构及其制作方法
本专利技术属于半导体照明领域，特别是涉及一种发光二极管芯片结构及其制作方法。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管LED通常是由如GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。现有的LED倒装芯片一般是在透明导电层(如：...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；局部缺陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；第一电流阻挡层，形成于所述外延结构的部分表面；电流扩展层，包裹所述第一电流阻挡层，并与部分的所述外延结构表面接合；第二电流阻挡层，形成于所述电流扩展层表面，所述第二电流阻挡层具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层的预留窗口；第一P电极，形成于所述预留窗口；分布布拉格反射层，包裹所述第一P电极表面、所述...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；局部缺陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；第一电流阻挡层，形成于所述外延结构的部分表面；电流扩展层，包裹所述第一电流阻挡层，并与部分的所述外延结构表面接合；第二电流阻挡层，形成于所述电流扩展层表面，所述第二电流阻挡层具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层的预留窗口；第一P电极，形成于所述预留窗口；分布布拉格反射层，包裹所述第一P电极表面、所述第二电流阻挡层表面及所述外延结构侧壁，且所述分布布拉格反射层中具有P电极通孔以及N电极通孔；第二P电极，形成于所述P电极通孔中，与所述第一P电极连接；以及N电极，形成于所述N电极通孔中，与所述第一导电型半导体层台面连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述第一电流阻挡层及所述第二电流阻挡层的至少一者表面形成有图案化的粗糙结构。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述图案化的粗糙结构包含若干凸起结构。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述凸起结构包括半圆球形凸起结构、圆锥形凸起结构及圆台形凸起结构中的至少一种。5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述凸起结构的高度不小于100nm，所述凸起结构的直径或边长不大于50μm，相邻所述凸起结构之间的间距不大于20μm。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述电流扩展层表面形成有图案化的粗糙结构。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述分布布拉格反射层的厚度不小于3μm。8.一种发光二极管芯片结构的制作方法，其特征在于，包括：1)提供一衬底，于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾江斌，何安和，洪灵愿，彭康伟，林素慧，张家宏，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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