一种二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；去除外延片表面覆盖的Au金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；分别制作正负两个接触电极；将外延片切割成发光二极管芯片，本发明专利技术在保证不破坏外延结构的前提下，一方面可以利用简单的方法实现半导体发光层表面的粗化，另一方面可以实现表面粗化效果的良好控制，使发光二极管的亮度得到显著提高。

Method for manufacturing diode

The invention discloses a manufacturing method of a diode, which comprises the following steps: growing a light emitting layer on a substrate and two connecting electrodes in turn, making a starting light diode epitaxial sheet; evaporating an Au metal layer on the surface of the epitaxial sheet, annealing after the evaporation, and annealing with aqua regia, hydrochloric acid or nitric acid after the annealing. Corrosion of the metal layer; removal of the Al metal layer on the surface of the epitaxial sheet, thus realizing the coarsening of the surface of the light-emitting diode; respectively making positive and negative contact electrodes; cutting the epitaxial sheet into a light-emitting diode chip; the invention can make use of simplicity on the one hand without destroying the epitaxial structure, on the other hand On the other hand, the surface roughening effect can be well controlled, and the brightness of LED can be significantly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种二极管的制造方法
本专利技术涉及电子元器件制造
，尤其涉及一种二极管的制造方法。
技术介绍
发光二极管具有省电、环保和寿命长等诸多优点。目前全世界处于能源紧缺的时代，因此发光二极管的各种制备方法被广泛研究。表面粗化作为一种提高器件发光效率的一种手段已经被广泛应用，单个发光二极管晶粒的亮度有限，需组合多个发光二极管才能满足高亮度照明需求。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供了一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；步骤二：在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；步骤三：去除外延片表面覆盖的Au金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；步骤四：分别制作正负两个接触电极；步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。对本专利技术的进一步描述，所述的金属层的材料选自Au、Sn、Ge、Be、Ti、Al或In中的一种或者其中两种金属的合金。采用上述技术方案，具有如下有益效果：本专利技术在保证不破坏外延结构的前提下，一方面可以利用简单的方法实现半导体发光层表面的粗化，另一方面可以实现表面粗化效果的良好控制，使发光二极管的亮度得到显著提高。具体实施方式实施例1：一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；步骤二：在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；步骤三：去除外延片表面覆盖的Au与Be的金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；步骤四：分别制作正负两个接触电极；步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。对本专利技术的进一步描述，所述的金属层的材料选自Au、Sn、Ge、Be、Ti、Al或In中的一种或者其中两种金属的合金。实施例2：一种二极管的制造方法，制造方法包括如下步骤：步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；步骤二：在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；步骤三：去除外延片表面覆盖的Ti与Al的金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；步骤四：分别制作正负两个接触电极；步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。本专利技术在保证不破坏外延结构的前提下，一方面可以利用简单的方法实现半导体发光层表面的粗化，另一方面可以实现表面粗化效果的良好控制，使发光二极管的亮度得到显著提高。以上描述了本专利技术的基本原理和主要特征，本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内，专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管的制造方法，其特征在于，制造方法包括如下步骤：步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；步骤二：在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；步骤三：去除外延片表面覆盖的Au金属层，这样就实现了对发光二极管表面的粗化处理；步骤四：分别制作正负两个接触电极；步骤五：将外延片切割成发光二极管芯片。

【技术特征摘要】
1.一种二极管的制造方法，其特征在于，制造方法包括如下步骤：步骤一：在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，制作出发光二极管外延片；步骤二：在外延片的表面蒸镀一层Au金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；步骤三：去除外延片表面覆盖的A...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓民，
申请(专利权)人：江苏奥尼克电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32