一种发光二极管的外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。本发明专利技术包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型半导体结构以及P型半导体结构。通过在P型半导体与N型半导体之间的交界面上设置多个凹陷区域，使得空穴或电子能够更深入地进入到N型半导体或P型半导体中，增大了空穴与电子的复合空间，提高了载流子的复合效率，进而提高了发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。
技术介绍
外延片作为制作发光二极管的基础结构，在发光二极管的制作过程中起到了非常重要的作用。外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，它包括P型半导体以及N型半导体，P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区称为PN结。当为外延片内的PN结加上正向偏压时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子会在PN结附近数微米内复合，因此产生自发辐射的荧光。现有的P型半导体与N型半导体的交界面通常设置为平面，因此大部分空穴与电子被限制在PN结附近数微米内的空间内复合，空穴与电子可复合的空间较小，复合的效率也较低，使得发光二极管的发光效率较低。
技术实现思路
为了解决现有的发光二极管的发光效率较低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法。所述技术方案如下：一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的N型半导体及P型半导体，所述P型半导体与所述N型半导体的交界面包括多个在垂直于衬底的方向上朝向所述衬底凹陷的凹陷区域。可选地，所述N型半导体或所述P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的N型半导体及P型半导体，所述P型半导体与所述N型半导体的交界面包括多个在垂直于衬底的方向上朝向所述衬底凹陷的凹陷区域。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的N型半导体及P型半导体，所述P型半导体与所述N型半导体的交界面包括多个在垂直于衬底的方向上朝向所述衬底凹陷的凹陷区域。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型半导体或所述P型半导体包括有源层，所述有源层包括交替生长的阱层与垒层，所述阱层与所述垒层的交界面和所述P型半导体与所述N型半导体的交界面平行相对设置。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述P型半导体包括电子阻挡层，所述有源层及所述电子阻挡层沿所述外延片的生长方向依次设置，所述有源层与所述电子阻挡层的交界面和所述有源层的阱层与所述有源层的垒层的交界面平行相对设置。4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述电子阻挡层包括第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和设置在所述第一电子阻挡层与所述第二电子阻挡层之间的低温P型GaN层，所述第一电子阻挡层、所述低温P型GaN层及所述第二电子阻挡层沿所述外延片的生长方向依次设置在所述有源层上。5.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述交界面与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林智远，吴志浩，张奕，董彬忠，魏柏林，林凡，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33