一种光栅LED芯片及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种光栅LED芯片及制作方法，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结构。该光栅LED芯片出光效率高、出光面积大且亮度高。

【技术实现步骤摘要】
一种光栅LED芯片及制作方法
本专利技术涉及LED芯片制作
，更具体地说，尤其涉及一种光栅LED芯片及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的LED芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。但是目前芯片外延层结构与空气接触的表面存在折射率差太大的问题，导致芯片大部分光无法射出，以使芯片亮度较低。那么，如何提供一种出光效率高、出光面积大且亮度高的芯片是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种光栅LED芯片及制作方法，该光栅LED芯片出光效率高、出光面积大且亮度高。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种光栅LED芯片，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结构。优选的，在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光栅LED芯片，其特征在于，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结构。

【技术特征摘要】
1.一种光栅LED芯片，其特征在于，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结构。2.根据权利要求1所述的光栅LED芯片，其特征在于，所述预设光栅常数d＝mλ/(sinα+sinβ)，其中，α为所述光栅LED芯片发出的光入射至所述光栅层的入射角，β为所述光栅层预设的衍射角，m为衍射级数，λ为所述光栅LED芯片发出的光的波长。3.根据权利要求1所述的光栅LED芯片，其特征在于，所述光栅层包括：第一光栅层和第二光栅层；其中，所述第一光栅层包括多个相同的第一条形单元，每个所述第一条形单元在第一方向上的宽度与相邻两个所述第一条形单元之间的间距之和为所述预设光栅常数；所述第二光栅层包括多个相同的第二条形单元，相邻两个所述第一条形单元之间均设置一个所述第二条形单元，所述第二条形单元在所述第一方向上的宽度与相邻两个所述第一条形单元之间的间距相等；所述第一条形单元在第二方向上的高度大于所述第二条形单元在所述第二方向上的高度；所述第一方向平行于所述衬底，所述第二方向垂直于所述衬底。4.根据权利要求3所述的光栅LED芯片，其特征在于，所述第一光栅层的材料为MgF2材料。5.根据权利要求3所述的光栅LED芯片，其特征在于，所述第二光栅层的材料为ITO材料。6.根据权利要求1所述的光栅LED芯片，其特征在于，所述外延层结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炆兼，贾钊，曹广亮，郭冠军，王宇，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32