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本发明公开了一种光栅LED芯片及制作方法，所述光栅LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的GaP层；设置在所述GaP层背离所述外延层结构一侧的预设光栅常数的光栅层；设置在所述光栅层上的电极结...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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