金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法，包括：p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p

【技术实现步骤摘要】
金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法
本专利技术涉及LED
，特别是涉及一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法。
技术介绍
众所周知，LED，即LightEmittingDiode的缩写，翻译为发光二极管，它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能，与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。目前，传统的LED主要包括p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p+和n+；在所述p+上设有p电极，在所述n+上设有n电极；在实际实验过程中发现，这种传统结构的LED出光效率与理论存在比较大的差距，因此，设计开发一种新型结构的LED，使其能够提高出光效率具有极大的价值。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED，包括：p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p

【技术特征摘要】
1.一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED，包括：p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p+和n+；在所述p+上设有p电极，在所述n+上设有n电极；其特征在于：所述p+为楔形结构，所述楔形结构的楔角为45°士0.5°；所述LED的发光区域位于楔角和n+之间；在所述发光区域的上表面设置有同取向的含Au纳米颗粒的纳米纤维；所述纤维纤维的直径为120士20nm，所述金属纳米颗粒直径大小为10士2nm；在所述纳米纤维为设有SiO2介质层。2.一种基于权利要求1所述金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤101、在p衬底上嵌入n阱，所述n阱的掺杂浓度为1.52×1017cm-3；步骤102、在所述n阱的上表面嵌入楔形结构的p+和矩形结构的n+，所述p+的掺杂浓度为1×1019cm-3，所述p+的楔角为45°，所述楔角位于靠近n+的一侧，所述LED的发光区域位于楔角和n+之间；步骤103、利用静电纺丝技术制备含金属纳米颗粒的纳米纤维，并将制备成型的纳米纤维设置在发光层的上表面；步骤104、在所述纳米纤维为设有SiO2介质层；步骤105、在所述p+上制备p电极，在所述n+上制备n电极。3.根据权利要求2所述金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED的制造方法，其特征在于：所述步骤103中，利用静电纺丝技术制备含金属纳米颗粒的纳米纤维的具体过程为：步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏伟，于丹丹，郭凯，李晓云，宁平凡，张建新，于莉媛，牛萍娟，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：天津,12