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本发明公开了一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法，包括：p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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