【技术实现步骤摘要】
一种复合图形化衬底的制备方法
本专利技术属于发光二极管领域，尤其涉及一种复合图形化衬底的制备方法。
技术介绍
现在主流LED都是利用图形化衬底来进行外延生长，一方面表面的图形为后期GaN生长提供多种生长晶相的选择，使GaN由传统的二维生长变为三维生长，从而有效的降低GaN基LED材料中的位错密度，避免裂纹的产生，进而能提高LED的内量子发光效率，另一方面，由于阵列图形结构增加了光的散射，改变了LED的光学线路，形成漫反射，进而提升光提取效率。但蓝宝石衬底和GaN存在14%晶格失配率，很难形核，生长困难，为了克服形核难的问题，将衬底片1000℃左右烤片后，外延普遍处理办法是生长一层厚度20-40nm的质量较差的低温buffer层，然后转入高温3D生长高质量的GaN，此过程中存在高低温转换，会降低MOCVD的使用效率、GaN和衬底之间的晶格失配率高线位错较多、不同层间温差大会导致不同层间的应力影响晶体性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种复合图形化衬底的制备方法。一种复合图形化衬底的制备方法，包括以下步骤：S1：制备蓝宝石基础衬...
【技术保护点】
一种复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备蓝宝石基础衬底，以蓝宝石晶片为基底，在其表面依次进行刻胶、曝光显影、坚膜处理以及ICP刻蚀，制得带有凸起的蓝宝石基础衬底；S2：在S1步骤中制备的蓝宝石基础衬底表面的相邻凸起点之间以及蓝宝石衬底四边分别固定支撑体，待支撑体稳固后，在支撑体表面镀2～6层金属合金层，每层金属合金层生成时间间隔2～8小时，并通过打磨、抛光工艺将金属合金层外的氧化膜去除，同时将每层金属合金层的厚度控制在为1～5nm，再将各支撑体去除，即得空腔结构的蓝宝石衬底；S3：在S2步骤中制备的蓝宝石衬底的空腔中填充纳米复合材料，同时在金属合金...
【技术特征摘要】
1.一种复合图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备蓝宝石基础衬底，以蓝宝石晶片为基底，在其表面依次进行刻胶、曝光显影、坚膜处理以及ICP刻蚀，制得带有凸起的蓝宝石基础衬底；S2：在S1步骤中制备的蓝宝石基础衬底表面的相邻凸起点之间以及蓝宝石衬底四边分别固定支撑体，待支撑体稳固后，在支撑体表面镀2～6层金属合金层，每层金属合金层生成时间间隔2～8小时，并通过打磨、抛光工艺将金属合金层外的氧化膜去除，同时将每层金属合金层的厚度控制在为1～5nm，再将各支撑体去除，即得空腔结构的蓝宝石衬底；S3：在S2步骤中制备的蓝宝石衬底的空腔中填充纳米复合材料，同时在金属合金层外表面通过化学气体沉积或者磁控溅射一层厚度为15～35nm的AlN层；S4：在AlN层上涂布光刻胶，再进行坚膜处理，然后在氧气或氮气气氛中ICP刻蚀，至光刻胶的厚度为15～100nm，然后在BCL3或CF3...
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