一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED及其制备方法，该钙钛矿LED包括：衬底、Ga2O3电子注入层、CH3NH3PbBr3发光层、空穴注入层以及电极；Ga2O3电子注入层、CH3NH3PbBr3发光层、空穴注入层以及电极从下至上依次设置在衬底上；电极包括正电极和负电极，正电极设置于空穴注入层上，负电极设置于衬底上；正电极通过导线分别与电源的正极相连；负电极通过导线与电源负极相连。该发明专利技术能够实现能级势垒将电子空穴对限制其中，提高外量子效率。

Gallium oxide electron injection layer perovskite LED and preparation method thereof

The invention discloses a perovskite LED with gallium oxide electron implantation layer and a preparation method thereof. The perovskite LED comprises a substrate, a Ga2O3 electron implantation layer, a CH3NH3PbBr3 luminous layer, a hole implantation layer and an electrode; a Ga2O3 electron implantation layer, a CH3NH3PbBr3 luminous layer, a hole implantation layer and an electrode arranged on the substrate from bottom to top in turn. The electrode consists of a positive electrode and a negative electrode. The positive electrode is arranged on the cavity injection layer and the negative electrode is arranged on the substrate. The positive electrode is connected with the positive electrode of the power supply through a wire, and the negative electrode is connected with the negative electrode of the power supply through a wire. The invention can realize the energy barrier to restrict the electron hole pair and increase the external quantum efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED及其制备方法
本专利技术涉及半导体发光器件
，特别是一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED及其制备方法。
技术介绍
近些年来，有机/无机复合钙钛矿材料(CH3NH3PbX3，X＝Cl/Br/I)以其直接带隙、高内量子效率、发光谱线窄、制备成本低、与柔性衬底兼容以及带宽从蓝光到近红外区域连续可调等优良特征，在发光器件领域初现光芒，潜在应用已开始引起人们的广泛关注。然而，目前基于钙钛矿材料的发光器件研究仅仅处于初期阶段，有许多因素限制了钙钛矿LED在发光效率上的提升，如载流子注入层的优化选择以及钙钛矿层覆盖率的提升等问题。在已报道的器件结构中，大多数使用反型结构的有机层做钙钛矿LED的空穴和电子注入层。此外，在正置结构钙钛矿(钙钛矿层生长在电子注入层上)LED中，合适电子注入层的选择非常重要。除了保证电子层的电学性能好之外，其能级匹配会直接影响钙钛矿LED的性能。如果电子注入层的导带低于钙钛矿材料，电子空穴对将缺少能阱的限制，易于被缺陷捕捉发生非辐射复合，钙钛矿层的成膜性较差，其较低的表面覆盖率将会导致器件漏电流的产生，从而增加了载流子发生非辐射复合的几率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED，其特征在于，包括：衬底、Ga2O3电子注入层、CH3NH3PbBr3发光层、空穴注入层以及电极；所述Ga2O3电子注入层、所述CH3NH3PbBr3发光层、所述空穴注入层从下至上依次设置在所述衬底上；所述电极包括正电极和负电极，所述正电极设置于所述空穴注入层上，所述负电极设置于所述衬底上；所述正电极通过导线与电源的正极相连；所述负电极通过导线与电源负极相连。

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓电子注入层钙钛矿LED，其特征在于，包括：衬底、Ga2O3电子注入层、CH3NH3PbBr3发光层、空穴注入层以及电极；所述Ga2O3电子注入层、所述CH3NH3PbBr3发光层、所述空穴注入层从下至上依次设置在所述衬底上；所述电极包括正电极和负电极，所述正电极设置于所述空穴注入层上，所述负电极设置于所述衬底上；所述正电极通过导线与电源的正极相连；所述负电极通过导线与电源负极相连。2.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其特征在于，所述衬底为FTO导电玻璃衬底；所述衬底厚度为120～150纳米；所述衬底的电阻率为10-3～10-4欧姆·厘米。3.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其特征在于，所述Ga2O3电子注入层为n型；所述Ga2O3电子注入层的厚度为300～500纳米。4.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其特征在于，所述CH3NH3PbBr3发光层的厚度为200～300纳米；所述CH3NH3PbBr3发光层中晶粒的尺寸为100～500纳米。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李述体，罗潇，戚明月，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44