OLED器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED器件及其制作方法。本发明专利技术的OLED器件的衬底基板上设有与阳极层相间隔的阴极接触层，阴极层通过像素定义层上的阴极接触孔与阴极接触层相接触，OLED器件在工作时，阴极层和阴极接触孔层上施加相同的负电压，阴极接触孔层可以直接对阴极层提供电压电流补偿，进而能够防止OLED显示面板大面积出现IR Drop而导致的亮度不均问题。本发明专利技术的OLED器件的制作方法能够有效的防止OLED器件发生IR Drop，进而改善OLED显示面板的亮度不均问题。

OLED device and its making method

The invention provides a OLED device and a manufacturing method thereof. A cathode contact layer spaced from the anode layer is arranged on the substrate substrate of the OLED device of the invention. The cathode layer contacts the cathode contact layer through the cathode contact hole on the pixel definition layer. When the OLED device is working, the same negative voltage is applied on the cathode layer and the cathode contact hole layer, and the cathode contact hole layer can directly lift the cathode layer. The compensation of supply voltage and current can prevent the uneven brightness caused by IR Drop in large area of OLED display panel. The manufacturing method of the OLED device of the invention can effectively prevent the occurrence of IR Drop in the OLED device, thereby improving the uneven brightness of the OLED display panel.

【技术实现步骤摘要】
OLED器件及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED器件及其制作方法。
技术介绍
有机电致发光二极体(OrganicLightEmittingDiodes，OLED)属于一种新型电流型半导体发光器件，是通过控制该器件载流子的诸如和符合激发有机材料发光显示，属于一种自主发光技术。与被动发光的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，自主发光的OLED显示器具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，被业内普遍看好，业界一致认为OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。有源矩阵有机电致发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)与LCD两种面板的显示原理基本相同，都是通过控制每个子像素的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)开关状态来实现显示的。两者的区别在于：AMOLED显示是通过TFT控制OLED上的电流改变其发光亮度；LCD显示是通过TFT控制加载在液晶盒两端的电压调整其背光的透射率。两者相比，对TFT的驱动电流能力，AMOLED显示器要求更高。OLED对其驱动电流非常灵敏，微弱的电流变化会影响其发光强度，因此要求TFT驱动管能持续稳定地提供工作电流。这对AMOLED驱动电路的稳定性提出了严格的要求，该要求也提高了对AMOLED驱动电路的设计目标。常温下，金属导体电阻为非零值，经过导体的电流会产生一定的电压降，这一现象被称为压降(IRDrop)。金属导线上的IRDrop会导致在距离输入端的不同位置存在电位差异。在大面积显示的面板上，这种IRDrop会使得处于不同位置的OLED上的电流产生差异，进而导致面板发光不均匀，影像图象显示质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED器件，能够有效的防止OLED器件发生IRDrop，进而改善OLED显示面板的亮度不均问题。本专利技术的目的还在于提供一种OLED器件的制作方法，能够有效的防止OLED器件发生IRDrop，进而改善OLED显示面板的亮度不均问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED器件，包括衬底基板、设于衬底基板上相间隔的阳极层和阴极接触层、设于衬底基板、阳极层及阴极接触层上的像素定义层、设于阳极层上的有机发光层、设于像素定义层及有机发光层上的阴极层；所述像素定义层在所述阴极接触层上方对应设有阴极接触孔；所述阴极层覆盖所述阴极接触层并通过阴极接触孔与阴极接触层相接触。所述阳极层和阴极接触层之间相隔10-20μm。所述像素定义层在所述阳极层上围出像素开口，所述有机发光层设于所述像素开口内。所述阴极接触层通过像素定义层同时与阳极层和有机发光层分离；所述阳极层和阴极接触层的材料为亲水性的导电材料，所述像素定义层的材料为疏水性材料。所述有机发光层包括由下至上依次设于所述阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层。本专利技术还提供一种OLED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在衬底基板上形成相间隔的阳极层和阴极接触层；步骤S2、在衬底基板、阳极层及阴极接触层上形成像素定义层，所述像素定义层在所述阴极接触层上方对应设有阴极接触孔；步骤S3、在所述阳极层上形成有机发光层，在所述像素定义层及有机发光层上形成阴极层，所述阴极层覆盖阴极接触层并通过阴极接触孔与阴极接触层相接触。所述步骤S1中，所述阳极层和阴极接触层之间相隔10-20μm。所述步骤S2中，所述像素定义层在所述阳极层上围出像素开口；所述步骤S3中，所述有机发光层形成于所述像素开口内。所述阴极接触层通过像素定义层同时与阳极层和有机发光层分离；所述阳极层和阴极接触层的材料为亲水性的导电材料，所述像素定义层的材料为疏水性材料。所述步骤S3中，所述有机发光层包括由下至上依次设于所述阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种OLED器件，衬底基板上设有与阳极层相间隔的阴极接触层，阴极层通过像素定义层上的阴极接触孔与阴极接触层相接触，在OLED器件工作时，阴极层和阴极接触孔层上施加相同的负电压，阴极接触孔层可以直接对阴极层提供电压电流补偿，进而能够防止OLED显示面板大面积出现IRDrop而导致的亮度不均问题。本专利技术提供的一种OLED器件的制作方法，在衬底基板上设置与阳极层相间隔的阴极接触层，在像素定义层上对应于阴极接触层的上方设置阴极接触孔，使阴极层通过像素定义层上的阴极接触孔与阴极接触层相接触，所制作的OLED器件在工作时，阴极层和阴极接触孔层上施加相同的负电压，阴极接触孔层可以直接对阴极层提供电压电流补偿，进而能够防止OLED显示面板大面积出现IRDrop而导致的亮度不均问题。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术的OLED器件的示意图；图2为本专利技术的OLED器件的制作方法的流程图；图3为本专利技术的OLED器件的制作方法的步骤1的示意图；图4为本专利技术的OLED器件的制作方法的步骤2的示意图；图5为本专利技术的OLED器件的制作方法的步骤3的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术首先提供一种OLED器件，包括衬底基板10、设于衬底基板10上相间隔的阳极层21和阴极接触层30、设于衬底基板10、阳极层21及阴极接触层30上的像素定义层40、设于阳极层21上的有机发光层22、设于像素定义层40及有机发光层22上的阴极层23；所述像素定义层40在所述阴极接触层30上方对应设有阴极接触孔45；所述阴极层23覆盖所述阴极接触层30并通过阴极接触孔45与阴极接触层30相接触。具体地，所述衬底基板10为玻璃基板。具体地，所述阳极层21和阴极接触层30之间相隔10-20μm。具体地，所述像素定义层40在所述阳极层21上围出像素开口41，所述有机发光层22设于所述像素开口41内。具体地，所述阴极接触层30通过像素定义层40同时与阳极层21和有机发光层22分离。具体地，所述阴极层23高于像素定义层40并且不受像素定义层40像素开口41的分离，所述阴极层23在像素定义层40的像素开口41上方和阴极接触孔45上方相连，为整面结构。具体地，所述阳极层21和阴极接触层30的材料为亲水性的导电材料，所述像素定义层40的材料为疏水性材料。具体地，所述有机发光层22包括由下至上依次设于所述阳极层21上的空穴注入层(HoleInjectLayer，HIL)、空穴传输层(HoleTransportLayer，HTL)、发光层(Emittinglayer，EML)及电子传输层(ElectronTransportLayer，ETL)。本专利技术的OLED器件的衬底基板10上设有与阳极层21相间隔的阴极接触层30，阴极层23通过像素定义层40上的阴极接触孔45与阴极接触层30相接触，当应用于OLED显示面板且OLED器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上相间隔的阳极层(21)和阴极接触层(30)、设于衬底基板(10)、阳极层(21)及阴极接触层(30)上的像素定义层(40)、设于阳极层(21)上的有机发光层(22)、设于像素定义层(40)及有机发光层(22)上的阴极层(23)；所述像素定义层(40)在所述阴极接触层(30)上方对应设有阴极接触孔(45)；所述阴极层(23)覆盖所述阴极接触层(30)并通过阴极接触孔(45)与阴极接触层(30)相接触。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上相间隔的阳极层(21)和阴极接触层(30)、设于衬底基板(10)、阳极层(21)及阴极接触层(30)上的像素定义层(40)、设于阳极层(21)上的有机发光层(22)、设于像素定义层(40)及有机发光层(22)上的阴极层(23)；所述像素定义层(40)在所述阴极接触层(30)上方对应设有阴极接触孔(45)；所述阴极层(23)覆盖所述阴极接触层(30)并通过阴极接触孔(45)与阴极接触层(30)相接触。2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极层(21)和阴极接触层(30)之间相隔10-20μm。3.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述像素定义层(40)在所述阳极层(21)上围出像素开口(41)，所述有机发光层(22)设于所述像素开口(41)内。4.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述阴极接触层(30)通过像素定义层(40)同时与阳极层(21)和有机发光层(22)分离；所述阳极层(21)和阴极接触层(30)的材料为亲水性的导电材料，所述像素定义层(40)的材料为疏水性材料。5.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有机发光层(22)包括由下至上依次设于所述阳极层(21)上的空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层。6.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供衬底基板(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邴一飞，吴聪原，吴小玲，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44