电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔制造技术

本发明专利技术公开一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。抗氧化复合式电极箔包括一基底层、一导电薄膜结构以及一抗氧化薄膜结构。基底层具有一上表面以及一下表面。导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层，抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层，且多个第一导电薄膜层与多个第一抗氧化薄膜层交替地形成在基底层的上表面上。借此，本发明专利技术所提供的抗氧化复合式电极箔能通过导电薄膜结构以及抗氧化薄膜结构的相互配合，以降低抗氧化复合式电极箔的整体厚度与生产成本，并且也可以提升抗氧化复合式电极箔的抗氧化功能。

Capacitor packaging structure and its anti oxidation composite electrode foil

The invention discloses a capacitor packaging structure and an anti oxidation composite electrode foil. The anti-oxidation composite electrode foil comprises a substrate layer, a conductive film structure and an anti-oxidation film structure. The base layer has an upper surface and a surface. The conductive film structure comprises a plurality of first conductive film layers, and the antioxidant film structure comprises a plurality of first antioxidant film layers, and a plurality of first conductive film layers and a plurality of first antioxidant film layers are alternately formed on the upper surface of the base layer. Thus, the antioxidant composite electrode foil provided by the invention can reduce the overall thickness and production cost of the antioxidant composite electrode foil by the mutual cooperation of the conductive film structure and the antioxidant film structure, and can also enhance the antioxidant function of the antioxidant composite electrode foil.

【技术实现步骤摘要】
电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔
本专利技术涉及一种封装结构及其电极箔，特别是涉及一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。
技术介绍
电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途，有不同的型态，包括有铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、卷绕型或堆栈型固态电解电容器以及薄膜电容等等。现有技术中，卷绕型固态电解电容器包括有电容器组件、收容构件以及封口构件。电容器组件隔着绝缘件将一连接阳极端子的阳极箔与一连接阴极端子的阴极箔进行卷绕。收容构件具有开口部且可收容电容器组件。封口构件具有一可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔以及一可密封收容构件的封口部。然而，现有的卷绕型固态电解电容器的电容器组件的制作速度过慢且制作成本过高，并且也不具备有较佳的抗氧化功能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种抗氧化复合式电极箔，其包括：一基底层、一导电薄膜结构以及一抗氧化薄膜结构。所述基底层具有一上表面以及一下表面。所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层。所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层。其中，多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上。更进一步地，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上。更进一步地，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上。更进一步地，每一个所述第一导电薄膜层为一由单一第一金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第一金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，其中，每一个所述第一抗氧化薄膜层为一由单一第一抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第一抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种抗氧化复合式电极箔，其包括：一基底层、一导电薄膜结构以及一抗氧化薄膜结构。所述基底层具有一上表面以及一下表面。所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层以及多个第二导电薄膜层。所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层以及多个第二抗氧化薄膜层。其中，多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上，且多个所述第二导电薄膜层与多个所述第二抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述下表面上。更进一步地，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上；其中，多个所述第二导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述下表面上，多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第二导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第二导电薄膜层之中的最顶层上。更进一步地，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上；其中，多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述下表面上，多个所述第二导电薄膜层之中的最底层形成在多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最底层上，且多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第二导电薄膜层之中的最顶层上。更进一步地，每一个所述第一导电薄膜层为一由单一第一金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第一金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，且每一个所述第二导电薄膜层为一由单一第二金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第二金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，其中，每一个所述第一抗氧化薄膜层为一由单一第一抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第一抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层，且每一个所述第二抗氧化薄膜层为一由单一第二抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第二抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装壳体、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。所述卷绕型电容器包括两个抗氧化复合式电极箔以及一设置于两个所述抗氧化复合式电极箔之间的隔离纸，其中，两个所述抗氧化复合式电极箔分别为一正箔与一负箔。所述卷绕型电容器被封装在所述封装壳体内。所述第一导电接脚具有一电性接触其中一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的第一内埋部以及一穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的第一裸露部。所述第二导电接脚具有一电性接触另外一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的第二内埋部以及一穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的第二裸露部。其中，每一个所述抗氧化复合式电极箔包括：一基底层、一导电薄膜结构以及一抗氧化薄膜结构，所述基底层具有一上表面以及一下表面，所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层，所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层，且多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上。更进一步地，所述导电薄膜结构还进一步包括多个第二导电薄膜层，所述抗氧化薄膜结构还进一步包括多个第二抗氧化薄膜层，且多个所述第二导电薄膜层与多个所述第二抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述下表面上；其中，每一个所述第一导电薄膜层为一由单一第一金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第一金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，且每一个所述第二导电薄膜层为一由单一第二金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第二金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，其中，每一个所述第一抗氧化薄膜层为一由单一第一抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第一抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层，且每一个所述第二抗氧化薄膜层为一由单一第二抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第二抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层。本专利技术的有益效果在于，本专利技术技术方案所提供的电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔，其可通过“多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上”或者“多个所述第二导电薄膜层与多个所述第二抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述下表面上”的技术特征，以降低抗氧化复合式电极箔的整体厚度与生产成本，并且也可以提升抗氧化复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔包括：一基底层，所述基底层具有一上表面以及一下表面；一导电薄膜结构，所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层；以及一抗氧化薄膜结构，所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层；其中，多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上。

【技术特征摘要】
1.一种抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔包括：一基底层，所述基底层具有一上表面以及一下表面；一导电薄膜结构，所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层；以及一抗氧化薄膜结构，所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层；其中，多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上。2.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上。3.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上。4.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，每一个所述第一导电薄膜层为一由单一第一金属层所制成的单层导电薄膜层或者一由多个第一金属层依序堆栈所组成的多层导电薄膜层，其中，每一个所述第一抗氧化薄膜层为一由单一第一抗氧化层所制成的单层抗氧化薄膜层或者一由多个第一抗氧化层依序堆栈所组成的多层抗氧化薄膜层。5.一种抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔包括：一基底层，所述基底层具有一上表面以及一下表面；一导电薄膜结构，所述导电薄膜结构包括多个第一导电薄膜层以及多个第二导电薄膜层；以及一抗氧化薄膜结构，所述抗氧化薄膜结构包括多个第一抗氧化薄膜层以及多个第二抗氧化薄膜层；其中，多个所述第一导电薄膜层与多个所述第一抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述上表面上，且多个所述第二导电薄膜层与多个所述第二抗氧化薄膜层交替地形成在所述基底层的所述下表面上。6.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层上；其中，多个所述第二导电薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述下表面上，多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最底层形成在多个所述第二导电薄膜层之中的最底层上，且多个所述第二抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第二导电薄膜层之中的最顶层上。7.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层形成在所述基底层的所述上表面上，多个所述第一导电薄膜层之中的最底层形成在多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最底层上，且多个所述第一抗氧化薄膜层之中的最顶层形成在多个所述第一导电薄膜层之中的最顶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林清封，
申请(专利权)人：钰邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71