【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】覆盖率提高的导电聚合物分散体相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月15日提交的待决美国临时专利申请No.62/267,707的优先权。
本专利技术涉及形成固体电解电容器的改进方法以及由此形成的改进的电容器。更具体而言,本专利技术涉及用于改进固体电解电容器的边角覆盖率(cornerandedgecoverage)的材料和方法。本专利技术还公开了该固体电解电容器的制造方法。
技术介绍
已有大量文献记载了固体电解电容器的结构和制造。在固体电解电容器的结构中,将阀金属用作阳极。阳极本体可以为多孔小球,其通过压制和烧结高纯度粉末而制成;或者阳极本体也可以为箔,其经过蚀刻以提供更高的阳极表面积。经电解而形成阀金属的氧化物,以覆盖阳极的全部表面,并且用作电容器的电介质。固体阴极电解质通常选自种类非常有限的材料,包括:二氧化锰或者导电有机材料,例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及其衍生物。具有本征导电聚合物作为阴极材料的固体电解电容器由于有利的低等效串联电阻(ESR)和“非燃烧/非引燃”故障模式而被广泛用于电子工业中。在导电聚合物阴极的情况下,通常通过化学氧化聚合、电化学氧化聚合或喷雾技术、以及其他被报道的不太期望的技术来施加导电聚合物。导电聚合物的主链包括共轭键合结构。聚合物大体上以两种状态存在,即未掺杂的非导电状态和掺杂的导电状态。在掺杂状态下,聚合物具有导电性,但由于沿聚合物链的高共轭度,导致其加工性较差。在其未掺杂的形式中,同样的聚合物失去了其导电性,但由于其溶解性更高,因此可以更容易地将其加工。当掺杂时,聚合物在其带正电荷的主链上引入阴离子部分作为组成部分。尽管 ...
【技术保护点】
1.一种形成电解电容器的方法,包括:提供阳极,其具有从所述阳极本体延伸的阳极线;在所述阳极上形成电介质,以形成经阳极化的阳极;施加第一浆料,从而形成第一浆料层,其中所述第一浆料包含导电聚合物和聚阴离子,其中所述聚阴离子和导电聚合物的重量比为第一重量比;以及在所述第一浆料层上施加第二浆料,其中所述第二浆料包含所述导电聚合物和所述聚阴离子,并且其中所述聚阴离子和所述导电聚合物的重量比为第二重量比,其中所述第二重量比低于所述第一重量比。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.15 US 62/267,7071.一种形成电解电容器的方法,包括:提供阳极,其具有从所述阳极本体延伸的阳极线;在所述阳极上形成电介质,以形成经阳极化的阳极;施加第一浆料,从而形成第一浆料层,其中所述第一浆料包含导电聚合物和聚阴离子,其中所述聚阴离子和导电聚合物的重量比为第一重量比;以及在所述第一浆料层上施加第二浆料,其中所述第二浆料包含所述导电聚合物和所述聚阴离子,并且其中所述聚阴离子和所述导电聚合物的重量比为第二重量比,其中所述第二重量比低于所述第一重量比。2.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比不超过6。3.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比不超过4。4.根据权利要求3所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比不超过3.4。5.根据权利要求4所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比为3.0至3.4。6.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比不超过3。7.根据权利要求6所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比不超过2。8.根据权利要求7所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比不超过1。9.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比低至少5%。10.根据权利要求9所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比低至少6%。11.根据权利要求10所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比低至少8%。12.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,还包括在所述的施加所述第一浆料之前,在所述电介质上形成导电聚合物层。13.根据权利要求12所述的形成电解电容器的方法,其中所述的形成所述导电聚合物层包括原位聚合。14.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一浆料或所述第二浆料中的至少一者包含交联剂。15.根据权利要求14所述的形成电解电容器的方法,其中所述聚阴离子和所述交联剂在相同的分子中。16.根据权利要求14所述的形成电解电容器的方法,其中所述交联剂为胺。17.根据权利要求16所述的形成电解电容器的方法,其中所述胺选自二胺以及单胺。18.根据权利要求17所述的形成电解电容器的方法,其中所述优选的二胺为二氨基硅烷。19.根据权利要求17所述的形成电解电容器的方法,其中所述单胺为三(羟甲基)氨基甲烷。20.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述导电聚合物包括噻吩。21.根据权利要求20所述的形成电解电容器的方法,其中所述噻吩包括聚亚乙基二氧噻吩。22.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述聚阴离子包括磺酸。23.根据权利要求22所述的形成电解电容器的方法,其中所述磺酸为甲苯磺酸或聚苯乙烯磺酸。24.根据权利要求1所述的形成电解电容器的方法,其中所述阳极包含阀金属。25.根据权利要求24所述的形成电解电容器的方法,其中所述阀金属包括选自由Al、W、Ta、Nb、Ti、Zr和Hf构成的组中的材料。26.一种电容器,其是通过权利要求1所述的方法制成的。27.一种形成电解电容器的方法,其包括:提供阳极,其具从该阳极延伸的阳极引出端;在所述阳极上形成电介质;在所述第一导电聚合物层上由第一分散体形成第一分散体层,其中所述第一分散体包含导电聚合物和聚阴离子,所述聚阴离子与所述导电聚合物的重量比为第一重量比,并且该第一重量比不超过6;以及在所述第一分散体层上由第二分散体形成第二分散体层,其中所述第二分散体包含所述导电聚合物和所述聚阴离子,所述聚阴离子与所述导电聚合物的重量比为第二重量比,并且该第二重量比低于所述第一重量比,并且所述第二重量比不超过3。28.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,还包括在所述的形成所述第一分散体层之前,在所述电介质上形成第一导电聚合物层。29.根据权利要求28所述的形成电解电容器的方法,其中所述的形成所述第一导电聚合物层包括原位聚合。30.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一浆料或所述第二浆料中的至少一者包含交联剂。31.根据权利要求30所述的形成电解电容器的方法,其中所述交联剂为胺。32.根据权利要求31所述的形成电解电容器的方法,其中所述胺选自二胺以及单胺。33.根据权利要求32所述的形成电解电容器的方法,其中所述二胺为二氨基硅烷。34.根据权利要求32所述的形成电解电容器的方法,其中所述单胺为三(羟甲基)氨基甲烷。35.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述导电聚合物包括噻吩。36.根据权利要求35所述的形成电解电容器的方法,其中所述噻吩包括聚亚乙基二氧噻吩。37.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述聚阴离子包括磺酸。38.根据权利要求37所述的形成电解电容器的方法,其中所述磺酸为甲苯磺酸或聚苯乙烯磺酸。39.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比不超过4。40.根据权利要求39所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比不超过3.4。41.根据权利要求40所述的形成电解电容器的方法,其中所述第一重量比为3.0至3.4。42.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比不超过2。43.根据权利要求42所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比不超过1。44.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比低至少5%。45.根据权利要求44所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比至少低6%。46.根据权利要求45所述的形成电解电容器的方法,其中所述第二重量比相比于所述第一重量比至少低8%。47.根据权利要求27所述的形成电解电容器的方法,其中所述阳极包含阀金属。48.根据权利要求47所述的形...
【专利技术属性】
技术研发人员:安东尼·P·查科,菲利普·M·莱斯纳,约翰·约瑟夫·奥尔斯,史亚茹,陈庆平,
申请(专利权)人:凯米特电子公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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