The present invention relates to a silicon controlled rectifier with a cathode coupled to a diode trigger, exposing a silicon controlled rectifier, an electrostatic discharge circuit, and a method for producing a silicon controlled rectifier for an electrostatic discharge circuit. The device structure for the silicon controlled rectifier consists of a first trap of the first conductive type in the semiconductor layer, a second conductive type second well located in the semiconductor layer, a cathode coupled with the first well, and an anode coupled to the second well. The first and two body contacts are coupled to the first well, and the first and two body contacts respectively have the first conductive type. The trigger device can be coupled to the first contact.
【技术实现步骤摘要】
具有通过接触与二极管触发器耦接的阴极的硅控整流器
本专利技术通常涉及半导体制造及集成电路,尤其涉及硅控整流器、静电放电电路,以及制造用于静电放电电路的硅控整流器的方法。
技术介绍
集成电路可能暴露于静电放电(electrostaticdischarge;ESD)事件,该ESD事件可将潜在大的、破坏性的ESD电流引导至芯片的集成电路。ESD事件包括短时间内自源例如人体或金属物体的电性放电,且可向集成电路输送大量电流。通过例如在芯片中纳入ESD保护电路可保护集成电路免受ESD事件影响。当发生ESD事件时,该ESD保护电路触发功率钳制装置进入低阻抗、导电状态,从而提供将ESD电流引导至地并远离该集成电路的路径。该ESD保护装置将该功率钳制装置保持于其导电状态直至ESD电流耗散并使ESD电压放电至可接受的水平。硅控整流器(silicon-controlledrectifier;SCR)是多层固态装置,在ESD保护电路中常被用作功率钳制装置。在其高阻抗状态下,该硅控整流器将电流传导限于漏电流。不过,触发信号可将该硅控整流器切换至低阻抗状态,以在其阳极与阴极之间传导电流。在移除该触发信号以后,只要来自ESD事件的传导电流超过保持电流,该SCR就保持于其低阻抗状态。当传导电流降至低于该保持电流时,该SCR返回其高阻抗状态。需要改进的硅控整流器、静电放电电路,以及制造用于静电放电电路的硅控整流器的方法。
技术实现思路
依据一个实施例,一种用于硅控整流器的装置结构包括位于半导体层中的第一导电类型的第一阱,位于该半导体层中的第二导电类型的第二阱,与该第一阱耦接的阴极,以及与该第二 ...
【技术保护点】
1.一种用于硅控整流器的装置结构,该装置结构包括:第一导电类型的第一阱,位于半导体层中;第二导电类型的第二阱,位于该半导体层中;阴极,与该第一阱耦接;阳极,与该第二阱耦接;第一体接触,与该第一阱耦接,该第一体接触具有该第一导电类型;以及第二体接触,与该第一阱耦接,该第二体接触具有该第一导电类型。
【技术特征摘要】
2017.01.05 US 15/398,9461.一种用于硅控整流器的装置结构,该装置结构包括:第一导电类型的第一阱,位于半导体层中;第二导电类型的第二阱,位于该半导体层中;阴极,与该第一阱耦接;阳极,与该第二阱耦接;第一体接触,与该第一阱耦接,该第一体接触具有该第一导电类型;以及第二体接触,与该第一阱耦接,该第二体接触具有该第一导电类型。2.如权利要求1所述的装置结构,其中,该第一体接触包括位于该第一阱中的该第一导电类型的第一掺杂区,该第二体接触包括位于该第一阱中的该第一导电类型的第二掺杂区,且该第一掺杂区及该第二掺杂区分别具有大于该第一阱的掺杂物浓度的掺杂物浓度。3.如权利要求2所述的装置结构,其中,该第一掺杂区通过该第一阱的部分与该第二掺杂区隔开。4.如权利要求2所述的装置结构,其中,该阴极包括位于该第一阱中的该第二导电类型的第三掺杂区,且该阳极包括位于该第二阱中的该第一导电类型的掺杂区。5.如权利要求1所述的装置结构,其中,该第一体接触包括自该第一阱突出的第一半导体鳍片,该第二体接触包括自该第一阱突出的第一半导体鳍片,且该第一体接触的该第一半导体鳍片及该第二体接触的该第一半导体鳍片分别具有大于该第一阱的掺杂物浓度的掺杂物浓度。6.如权利要求5所述的装置结构,其中,该第一体接触的该第一半导体鳍片通过该第一阱的部分与该第二体接触的该第一半导体鳍片隔开。7.如权利要求5所述的装置结构,其中,该第一体接触的该第一半导体鳍片与该第二体接触的该第一半导体鳍片沿长度平行排列。8.如权利要求5所述的装置结构,其中,该阴极包括自该第一阱突出的半导体鳍片,该阳极包括自该第二阱突出的半导体鳍片,该阴极的该半导体鳍片由具有该第二导电类型的半导体材料组成,以及该阳极的该半导体鳍片由具有该第一导电类型的半导体材料组成。9.如权利要求5所述的装置结构,其中,该第一体接触包括自该第一阱突出的第二半导体鳍片,该第二体接触包括自该第一阱突出的第二半导体鳍片,且该第一体接触的该第二半导体鳍片及该第二体接触的该第二半导体鳍片分别具有大于该第一阱的该掺杂物浓度的该掺杂物浓度。10.一种静电放电保护电路,包括:硅控整流器,包括位于半导体层中的第一导电类型的第一阱,位于该半导体层中的第二导电类型的第二阱,与该第一阱耦接的阴极,与该第二阱耦接的阳极,与该第一阱耦接的第一体接触,以及与该第一阱耦接的第二体接触,该第一体接触及该第二体接触分别具有该第一导电类型;以及触发装置,与该...
【专利技术属性】
技术研发人员:李由,M·普拉布,M·穆罕默德,J·B·小坎皮,罗伯特·J·葛乐尔二世,索夫克·米拉,
申请(专利权)人:格芯公司,
类型:发明
国别省市:开曼群岛,KY
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