发光器件和包括发光器件的发光器件封装制造技术

实施例公开一种发光器件和包括该发光器件的发光器件封装，发光结构包括：第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，并且具有第一凹部和第二凹部，该第一凹部和第二凹部穿过第二导电半导体层和有源层并且被布置在第一导电半导体层的部分区域上；连接电极，该连接电极被布置在第一凹部内并且电连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层被布置在第二凹部内；以及绝缘层，该绝缘层被配置成使反射层和发光结构彼此电绝缘。

Light emitting device and light-emitting device package including light-emitting device

A light emitting device and a light emitting device including the first conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer, the active layer arranged between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, and the first concave part and the second concave part, and the first concave part, are disclosed. The second concave part passes through the second conductive semiconductor layer and the active layer and is arranged on the part of the first conductive semiconductor layer; the connecting electrode is arranged in the first concave part and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; the reflection layer is arranged in the second concave part; and the insulating layer is arranged. The insulating layer is configured to insulate the reflecting layer and the light emitting structure from each other.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件和包括发光器件的发光器件封装
实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
诸如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体由于其包括具有宽且容易调节的带隙能的优点而被广泛用于光电子和电子器件。特别地，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的发光器件可以由于薄膜生长技术和器件材料的发展而实现各种颜色，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线(UV)，还可以通过使用荧光材料或组合颜色来实现高效率的白光，并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比具有低功耗、半永久使用寿命、快速响应速度、安全以及环保的优点。因此，发光器件的应用已经被扩展到光通信装置的传输模块、作为组成液晶显示器(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代的发光二极管背光、能够代替荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明装置、车辆前照灯和交通信号灯。发光器件具有包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构，并且第一电极和第二电极分别被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层上。通过经由第一导电半导体层注入的电子和经由第二导电半导体层注入的空穴彼此相遇，发光器件发射具有由形成有源层的材料的独特能带确定的能量的光。从有源层发射的光可以根据形成有源层的材料的组成而变化，并且可以是蓝光、UV光、深UV光等。图1是图示传统的发光器件的视图。图1中图示的垂直发光器件具有发光结构(10)，其包括被布置在第二电极(16)上方的第一导电半导体层(12)、有源层(14)和第二导电半导体层(16)，并且具有被布置在第一导电半导体层(12)上方的第一电极(13)。在传统的发光器件中，光提取主要发生在水平方向上。在这种情况下，存在下述问题，当从发光器件的有源层(14)产生的光被提取到发光器件的外部的光路延长时，在发光二极管内部出现吸收，并且因此光提取效率降低。此外，存在下述问题，即，发光主要发生在电流扩散较弱的某部分，大部分发射的光在发射光的部分被吸收，并且因此光提取效率降低。
技术实现思路
技术问题实施例的一个方面是为了提供具有较高的光提取效率的发光器件。技术方案根据本公开的一个实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及第一凹部和第二凹部，该第一凹部和第二凹部穿过第二导电半导体层和有源层并且被布置成直到第一导电半导体层的部分区域；连接电极，该连接电极被布置在第一凹部内并且电连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层被布置在第二凹部内；以及绝缘层，该绝缘层被配置成使反射层和发光结构彼此电绝缘。有源层可以产生紫外波长范围中的光。反射层可以反射紫外波长范围中的光。第一凹部可以包括第一-第一凹部和第一-第二凹部，并且第二凹部可以布置在第一-第一凹部和第一-第二凹部之间。连接电极可以包括多个连接电极，并且发光器件可以包括第一导电层，该第一导电层被电连接到多个连接电极。发光器件可以包括第一电极，该第一电极被布置在连接电极和第一导电半导体层之间。第二凹部可以包括包围第一-第一凹部的第二-第一凹部和包围第一-第二凹部的第二-第二凹部，并且发光结构可以包括由第一-第一凹部和第二-第一凹部配置的第一发光区域和由第一-第二凹部和第二-第二凹部配置的第二发光区域。第一发光区域和第二发光区域中的每个可以包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，并且第一发光区域和第二发光区域中的每个的第二导电半导体层和有源层被第二凹部分开。第二-第一凹部和第二-第二凹部可以彼此连接。第二-第一凹部和第二-第二凹部可以彼此隔开。第一凹部在平面图中可以具有多边形形状或圆形形状。第二凹部的突起高度可以大于或等于第一凹部的突起高度，并且第一凹部和第二凹部的突起高度可以分别是从有源层到第一凹部的上表面的距离以及从有源层到第二凹部的上表面的距离。多个第一凹部和第二凹部可以在第一方向上延伸，并且第一方向可以是与发光结构的厚度方向垂直的方向。第二凹部的第一方向上的长度可以大于邻近第二凹部的至少一个第一凹部的第一方向上的长度。绝缘层可以包括第一绝缘层和第二绝缘层，并且反射层可以被布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间。发光器件可以包括第二导电层，该第二导电层被布置在第二导电半导体层下方；以及第一导电层，该第一导电层被布置在第二导电层下方，在其间布置有第二绝缘层。发光器件可以包括电连接到第一导电半导体层的第一导电层，第一导电层可以包括被布置在第二凹部的第一导电突起，并且反射层可以被布置在第一导电突起上。第一导电层可以连接到连接电极。根据本公开的一个实施例的发光器件封装包括：主体，该主体包括至少一个焊盘；以及发光器件，该发光器件被布置在主体上并且电连接到焊盘，其中发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层并且被布置成直到第一导电半导体层的部分区域的第一凹部和第二凹部；连接电极，该连接电极被布置在第一凹部内并且电连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层被布置在第二凹部内；以及绝缘层，该绝缘层被配置成使反射层和发光结构彼此电绝缘。有益效果根据实施例，能够提高光提取效率。此外，能够提高光输出。此外，能够提高工作电压。本公开的各种有益效果不限于以上效果，并且在描述本公开的详细实施例的过程中应更容易地理解本公开的各种有益效果。附图说明图1是图示传统的发光器件的视图。图2是图示根据第一实施例的发光器件的视图。图3是图示根据第二实施例的发光器件的视图。图4是图示根据第三实施例的发光器件的视图。图5是图示根据第四实施例的发光器件的视图。图6是图示根据一个实施例的发光器件封装的视图。图7是根据本公开的第五实施例的发光器件的横截面图。图8是示出光被反射层向上反射的过程的概念图。图9是图7中的部分A的放大视图。图10是描述第一凹部与第二凹部的高度差的视图。图11是根据本公开的第七实施例的发光器件的平面图。图12是示出发光器件的电流密度的分布的视图。图13a是图11中的部分B的放大图。图13b是图13a的第一修改示例。图14是示出第一凹部的视图。图15是图13的第二修改示例。图16是根据本公开的第八实施例的发光器件的平面图。图17是图16中的部分C的放大图。图18是被施加电力的发光结构的照片。图19是根据本公开的第九实施例的发光器件的平面图。图20a和20b是示出根据本公开的第十实施例的发光器件的视图。图21是示出根据本公开的第十一实施例的发光器件的视图。图22是示出根据本公开的第十二实施例的发光器件的视图。具体实施方式本实施例可以以不同形式修改，或者各种实施例可以彼此组合，并且本公开的范围不限于下面描述的每个实施例。即使当关于另一实施例没有描述关于特定实施例描述的事项时，该事项也可以被理解为与其他实施例有关的描述，只要不存在与关于其他实施例的事项相反或矛盾的描述。例如，当关于特定实施例描述元件A的特征并且关于另一实施例描述元件B的特征时，即使没有明确地提及元件A和元件B被组合的实施例，该实施例也应被理解为属于本专利技术的范围，只要不存在与实施例相反或矛盾的描述。在根据本公开的实施例的描述中，在元件被描本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及第一凹部和第二凹部，所述第一凹部和所述第二凹部穿过所述第二导电半导体层和所述有源层并且被布置成直到所述第一导电半导体层的部分区域；连接电极，所述连接电极被布置在所述第一凹部内并且电连接到所述第一导电半导体层；反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内；以及绝缘层，所述绝缘层被配置成使所述反射层和所述发光结构彼此电绝缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.25 KR 10-2015-0119636;2016.07.29 KR 10-2011.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；以及第一凹部和第二凹部，所述第一凹部和所述第二凹部穿过所述第二导电半导体层和所述有源层并且被布置成直到所述第一导电半导体层的部分区域；连接电极，所述连接电极被布置在所述第一凹部内并且电连接到所述第一导电半导体层；反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内；以及绝缘层，所述绝缘层被配置成使所述反射层和所述发光结构彼此电绝缘。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层产生紫外波长范围中的光。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层反射紫外波长范围中的光。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：所述第一凹部包括第一-第一凹部和第一-第二凹部；以及所述第二凹部被布置在所述第一-第一凹部和所述第一-第二凹部之间。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：所述连接电极包括多个连接电极；以及所述发光器件包括第一导电层，所述第一导电层被电连接到所述多个连接电极。6.根据权利要求1所述的发光器件，包括第一电极，所述第一电极被布置在所述连接电极和所述第一导电半导体层之间。7.根据权利要求4所述的发光器件，其中：所述第二凹部包括包围所述第一-第一凹部的第二-第一凹部和包围所述第一-第二凹部的第二-第二凹部，以及所述发光结构包括由所述第一-第一凹部和所述第二-第一凹部配置的第一发光区域和由所述第一-第二凹部和所述第二-第二凹部配置的第二发光区域。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中：所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每个包括所述第一导电半导体层、所述第二导电半导体层和所述有源层；以及所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每个的所述第二导电半导体层和所述有源层分别被所述第二凹部分开。9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第二-第一凹部和所述第二-第二凹部彼此连接。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴修益，金珉成，成演准，李容京，崔光永，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR