半导体晶片的加工方法技术

首先将半导体单晶锭切片，制作薄圆板状的晶片(切片工序)，通过在该晶片的第一面整体涂覆固化性材料来形成平坦化的涂覆层后(涂覆层形成工序)，使该涂覆层固化(涂覆层固化工序)。接着，借助研磨装置将与晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨后，从晶片的第一面除去涂覆层。进而借助研磨装置将晶片的第一面平面研磨。对上述切片工序后且上述涂覆层形成工序前的晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在10~100mm的波长区域的晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时，重复多次涂覆层形成工序及涂覆层固化工序。

The processing method of semiconductor wafer

First, the semiconductor single crystal ingot is sliced to make a thin wafer like wafer (slicing process). The coating layer is solidified (coating solidification process) by coating the solidified material on the first surface of the wafer to form a flat coating (coating formation process). Then, with the aid of a grinding device, the coating is removed from the first side of the wafer after grinding the second surface of the opposite side of the first side of the wafer. The first surface of the wafer is then ground by means of a grinding device. The frequency analysis of the surface height of the first surface of the wafer before the above coating process is carried out. When the amplitude of the surface ripple of the first surface of the wafer in the wavelength region of 10~100mm is above 0.5 mu m, repeated coating layer forming process and coating layer solid chemical order are repeated.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的加工方法
本专利技术涉及加工半导体晶片的方法，特别涉及用于使半导体晶片的表面平坦化的加工方法。另外，本国际申请主张基于2015年10月20日申请的日本专利申请第206066号(日本特愿2015-206066)的优先权，将日本特愿2015-206066的全部内容引用于本国际申请。
技术介绍
以往，半导体晶片为了通过照相制版作成细微的图案，需要晶片的表面的平坦化。特别是被称作“纳米形貌”的表面波纹为空间波长成分存在于约0.2~20mm的晶片表面的凹凸，最近，用于通过减少该纳米形貌来使半导体晶片的平坦度提高的技术被提出。作为这样的晶片的平坦化加工方法公开了如下晶片的制造方法：将单晶锭切片，制作薄圆板状的晶片，在该晶片的第一面涂覆固化性材料，将涂覆于晶片的第一面的固化性材料平坦地形成，以该固化性材料固化后固化性材料的平坦面接触晶片保持机构的方式将晶片载置于晶片保持机构，将与第一面相反的一侧的第二面研磨，进而除去固化性材料后，以上述被研磨的第二面接触于晶片保持机构的方式将晶片载置于晶片保持机构，研磨第一面(例如参照专利文献1。)。在该晶片的制造方法中，涂覆工序中涂覆于晶片的第一面的固化性材料的厚度为40μm以上且不足300μm。这样构成的晶片的制造方法中，研磨晶片的第二面时，固化性材料被涂覆成40μm以上且不足300μm的厚度，所以能够将晶片的表面波纹充分吸收，研磨时表面波纹不会被转印于晶片的加工面。这样，晶片的第二面在不进行抛光工序或双头研磨工序的情况下，通过研磨工序，加工成除去表面波纹的均匀的平坦面。然后，除去涂覆于第一面的固化性材料后，研磨晶片的第一面时，接触于吸盘台的第二面为平坦面，所以表面波纹也不会转印至第一面，能够加工成厚度均匀的平坦面。另一方面，公开了如下晶片的制造方法：固化收缩率为7%以下且储能弹性模量的25℃下的值为1.0×106~3.0×109Pa的固化性树脂组合物以10μm~200μm的膜厚涂覆于由铸锭切片所得到的薄板状晶片的第一面，将涂覆有固化性树脂组合物的晶片的第二面借助推压机构推压，由此将涂覆于第一面的固化性树脂组合物层平坦化，对解除基于推压机构的推压后涂覆于晶片的固化性树脂组合物层照射活性能量线，在晶片表面使其固化，进而将在固化性树脂组合物层被固定的晶片的第二面平坦地研磨加工后，将通过表面加工工序被平坦化的晶片的第二面作为基准面，将第一面研磨加工(例如参照专利文献2。)。这样构成的晶片的制造方法中，将固化性树脂组合物涂覆于从铸锭切片所得到的晶片的第一面，由此形成固化性树脂组合物层，以固化性树脂组合物层存在的面为底面的方式将晶片借助平坦的板状部件等推压机构均等地推压来加工成平坦面，使推压机构从晶片离开后，对固化性树脂组合物层照射活性能量线来使其固化，将与平坦面相反的一侧的晶片的第二面研磨。这里，将储能弹性模量的25℃下的值为1.0×106~3.0×109Pa的固化性树脂组合物在晶片的第一面以厚度10μm~200μm涂覆，由此能够借助该固化性树脂组合物层将晶片的表面波纹充分吸收，表面波纹不会在研磨加工工序转印至晶片的加工面。然后，除去涂覆于第一面的固化性树脂组合物层后，研磨晶片的第一面。此时，接触于固定部件的第二面为平坦面，所以表面波纹也不会转印至第一面，能够加工成厚度均匀的平坦面。这样，在研磨工序中，能够除去在切片时产生的晶片的表面波纹。专利文献1:日本特开2006-269761号公报(权利要求1、[0012]段、[0013]段、图1)。专利文献2:日本特开2009-272557号公报(权利要求1、[0015]段、[0016]段、图1)。但是，在上述以往的专利文献1及2所示的晶片的制造方法中，形成于晶片的表面的固化性树脂组合物层仅为一层，所以有固化性树脂组合物在固化时收缩、晶片的表面波纹被转印至固化性树脂组合物层的不利情况。若将转印有该晶片的表面波纹的固化性树脂组合物层的表面作为基准来研磨晶片表面，则有在研磨后的晶片残留上述固化性树脂组合物层的表面波纹的问题。因此，为了减少由于上述固化性树脂组合物的固化收缩的影响，考虑使固化性树脂组合物层的厚度变厚的方法。但是，若使固化性树脂组合物层的厚度变厚，则容易受到固化性树脂组合物固化前的流动性(容易流动性)的影响，所以在上述以往的专利文献1及2所示的晶片的制造方法中，有难以使固化性树脂组合物层表面平坦、在固化性树脂组合物层表面产生凹凸的问题。若以在该表面有凹凸的固化性树脂组合物层的表面为基准研磨晶片，则有上述固化性树脂组合物层表面的凹凸被转印至研磨后的晶片表面的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种半导体晶片的加工方法，前述半导体晶片的加工方法为，通过在具有比较大的表面波纹的半导体晶片表面形成多个涂覆层，减少作为半导体晶片的研磨时的基准的最外侧的涂覆层的表面波纹来使该表面平坦化，由此能够除去研磨后的半导体晶片的表面波纹，能够使其表面平坦化。本专利技术的另外的目的在于，提供一种半导体晶片的加工方法，前述半导体晶片的加工方法为，在半导体晶片表面分多次形成涂覆层，使各涂覆层的厚度变薄，由此能够缓和用于形成涂覆层的树脂等固化性材料的固化收缩的影响，并且能够缓和树脂等固化性材料的流动性的影响，能够使多个涂覆层的最外侧的涂覆层表面稳定来形成平坦的面。通常，以半导体晶片的表面波纹的除去、即纳米形貌的改善为目的，将软质的的树脂等固化性材料涂覆于晶片的一方的面(第一面)来形成涂覆层，由此形成平坦的基准面，吸附该基准面，由此在不使晶片弹性变形的情况下进行支承，将上述晶片的另一方的面(第二面)研磨。但是，相对于表面波纹较大的晶片，涂覆层仅为一层的话，不能将晶片的表面波纹充分地完全吸收而晶片的表面波纹被转印至涂覆层表面，不能充分地进行晶片的表面波纹的除去、即纳米形貌的改善。因此，本专利技术人发现，在借助一层的涂覆层缓和表面波纹的该涂覆层表面进一步形成涂覆层，由此能够除去半导体晶片的表面波纹，即能够改善纳米形貌，作出本专利技术。本专利技术的第1方案为一种晶片的加工方法，前述晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序，在前述切片工序，借助线锯装置将半导体单晶锭切片，得到薄圆板状的半导体晶片，在前述涂覆层形成工序，在该晶片的第一面整体涂覆固化性材料，由此形成平坦化的涂覆层，在前述涂覆层固化工序，使该涂覆层固化，在前述第1平面研磨工序，以已固化的该涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将晶片载置于工作台，接着借助研磨装置将与晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨，在涂覆层除去工序，将已固化的上述涂覆层从晶片的第一面除去，在前述第2平面研磨工序，以已除去该涂覆层的晶片的第二面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将晶片载置于工作台，接着借助研磨装置将晶片的第一面平面研磨，其特征在于，对切片工序后且涂覆层形成工序前的晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在10~100mm的波长区域的晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时，重复多次涂覆层形成工序及涂覆层固化工序。本专利技术的第2方案是基于第1方案的专利技术，其特征在于，进而对切片工序后且涂覆层形成工序前的晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的加工方法，前述半导体晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序，在前述切片工序，借助线锯装置将半导体单晶锭切片，得到薄圆板状的半导体晶片，在前述涂覆层形成工序，在前述晶片的第一面整体涂覆固化性材料，由此形成平坦化的涂覆层，在前述涂覆层固化工序，使前述涂覆层固化，在前述第1平面研磨工序，以已固化的前述涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台，接着借助前述研磨装置将与前述晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨，在涂覆层除去工序，将已固化的前述涂覆层从前述晶片的第一面除去，在前述第2平面研磨工序，以已除去前述涂覆层的前述晶片的第二面抵接于前述研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台，接着借助前述研磨装置将前述晶片的第一面平面研磨，其特征在于，对前述切片工序后且前述涂覆层形成工序前的前述晶片的第一面的表面高度进行频率分析，在10~100mm的波长区域的前述晶片的第一面的表面波纹的振幅为0.5μm以上时，重复多次前述涂覆层形成工序及前述涂覆层固化工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.20 JP 2015-2060661.一种半导体晶片的加工方法，前述半导体晶片的加工方法包括切片工序、涂覆层形成工序、涂覆层固化工序、第1平面研磨工序、涂覆层除去工序、第2平面研磨工序，在前述切片工序，借助线锯装置将半导体单晶锭切片，得到薄圆板状的半导体晶片，在前述涂覆层形成工序，在前述晶片的第一面整体涂覆固化性材料，由此形成平坦化的涂覆层，在前述涂覆层固化工序，使前述涂覆层固化，在前述第1平面研磨工序，以已固化的前述涂覆层的表面抵接于研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台，接着借助前述研磨装置将与前述晶片的第一面相反的一侧的第二面平面研磨，在涂覆层除去工序，将已固化的前述涂覆层从前述晶片的第一面除去，在前述第2平面研磨工序，以已除去前述涂覆层的前述晶片的第二面抵接于前述研磨装置的工作台的基准面的方式将前述晶片载置于前述工作台...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中利幸，桥本靖行，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP