一种预溅射基板及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种预溅射基板及其制作方法，该所述预溅射基板包括：主基板，主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成；主基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。

A pre sputtering substrate and its fabrication method

An embodiment of the present invention provides a presputtering substrate and a preparation method, including a main substrate, mainly using alumina and / or zirconium silicide material; the sputtering side surface of the main substrate is a concave and convex adsorption surface with a concave and convex structure; and / or the surface of the sputtering side of the main substrate is sequentially provided with an intermediate layer and a melt. The surface roughness of the middle layer is greater than or equal to 3 m.

【技术实现步骤摘要】
一种预溅射基板及其制作方法
本专利技术涉及溅射领域，尤其涉及一种预溅射基板及其制作方法。
技术介绍
采用PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)技术作为电子产品生产过程中的一种常用沉积薄膜(成膜)工艺，其中，在PVD真空设备开机前期调试以及长时间闲置、停机等工况下都需要进行预溅射(Dummy)工艺。具体的，Dummy工艺通过在用于预溅射的玻璃(Dummyglass，还可称为虚设基板、白玻璃等)上溅射成膜，来完成工艺调试，使设备真空度、气体成分、气体流量等内部环境和相关工艺参数等达到工艺要求后，才能进行正常品生产。如果靶材表面有氧化层等杂质，则往往在采用Dummyglass进行溅射前，先采用预溅射的托盘(DummyTray)设备进行溅射，以将靶材表面的氧化层或者其他杂质成分消耗完。其中，由于Dummyglass上镀膜在一定厚度(相应工艺厚度)就要更换下一张，更换需要时间，造成dummy工艺耗时较长，因此，现有技术中为了减少Dummyglass的使用量，以降低成本并提高生产效率，如上述，在对Dummyglass进行溅射之前，通常先采用预溅射的托盘(DummyTray)设备进行溅射(将靶材表面的氧化层或者其他杂质成分消耗完)；尽管如此，现有技术中采用的Dummyglass的数量仍然高达几十张甚至上百张，其中，Dummyglass在进行预溅射成膜之后，需要将表面的薄膜通过刻蚀工艺去除，以进行循环利用。然而，在Dummyglass的循环使用中，如果Dummyglass的循环使用次数过小，会导致生产成本的增加；如果Dummyglass的循环使用次数过大，Dummyglass因反复进行酸碱刻蚀而产生应力集中或者结构变化等问题，容易导致Dummyglass在真空腔室内发生碎片的现象，从而造成生产效率降低以及生产成本的进一步增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种预溅射基板及其制作方法，该预溅射基板能够避免现有技术中采用预溅射玻璃发生破片而带来的弊端。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种预溅射基板，所述预溅射基板包括：主基板，主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成；所述主基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，所述主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，所述中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。进一步的，所述凹凸吸附面中的凹凸结构均匀分布。进一步的，所述凹凸吸附面中凸起部分与凹陷部分的面积比为1:4至1:2之间。进一步的，所述中间层为喷砂层。进一步的，所述喷砂层主要由氧化铝组成。进一步的，所述熔射层主要由铝材质组成。进一步的，所述熔射层的厚度为0.1mm～0.2mm。进一步的，所述预溅射基板的厚度为0.4mm～0.8mm；和/或，所述预溅射基板的重量为5.0kg～8.0kg。本专利技术实施例另一方面还提供一种预溅射基板的制作方法，所述制作方法包括：采用包括氧化铝和/或硅化锆材料形成主基底；在所述主基板上形成溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，在所述主基板的溅射侧表面依次形成中间层和熔射层，其中，所述中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。进一步的，所述在所述主基板的溅射侧表面依次形成中间层和熔射层包括：在所述主基板的溅射侧表面依次形成主要由氧化铝组成的中间层以及主要由铝材质组成的熔射层。本专利技术实施例提供一种预溅射基板及其制作方法，该预溅射基板包括：主基板，主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成；主基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。这样一来，一方面，由于该预溅射基板主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成，从而使得该预溅射基板除了具有普通玻璃的电学性能，还具有熔点高、强度大以及极强的耐热性，并且该预溅射基板在高真空高温环境下持续镀膜以及后续反复酸碱刻蚀后不会产生应力集中或者结构变化(变形、尺寸变化)，从而降低了该预溅射基板在真空腔室内发生破片的几率，并且使用寿命延长；另一方面，该预溅射基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面，和/或，在溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层，确保了预溅射基板对溅射膜层具有足够的吸附性；也即本专利技术中的预溅射基板在满足对溅射膜层具有足够的吸附性的基础上，能够大幅降低发生破片的几率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种预溅射基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种预溅射基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种预溅射基板的制作流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种预溅射基板形成过程的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种预溅射基板，一方面，该预溅射基板的主基板主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成，能够使得该预溅射基板除了具有普通玻璃的电学性能，还具有熔点高、强度大以及极强的耐热性，并且在高真空高温环境下持续镀膜以及后续反复酸碱刻蚀后不会产生应力集中或者结构变化(变形、尺寸变化)，进而降低了该预溅射基板在真空腔室内发生破片的几率，同时使用寿命延长。另一方面，如图1所示，该主基板10的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面(也即AET面)；和/或，主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。当然，此处主基板的溅射侧表面是指，主基板中位于溅射镀膜一侧的表面，该表面并不必然为溅射镀膜时，与溅射膜层直接接触的表面。此处需要说明的是，上述“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。具体的，对于“该主基板10的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面”而言，一方面，将预溅射基板的溅射侧表面设置为具有凹凸结构的凹凸吸附面，保证了该预溅射基板通过凹凸吸附面对溅射膜层的吸附性；另一方面，相比于现有的Dummyglass而言，其主要成分为二氧化硅(SiO2)的密度为2.22～2.64g/cm3，本申请中主基板采用氧化铝(Al2O3，密度为3.5～3.0g/cm3)和/或硅化锆(ZrSi2，密度为4.88g/cm3)，或者包含氧化铝和/或硅化锆的复合材料；可以看出为了保证Al2O3和ZrSi2的密度均大于SiO2的密度，如果设置该主基板的结构与Dummyglass一致，为厚度均匀的平板状，则会出现因重量较大而不能通过机械手(RobotFork)进行自由移取的弊端，因此，采用上述主基板的一侧设置凹凸结构(也即在主基板表面形成凹陷结构)，能够减小预溅射基板的重量，从而利于预本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种预溅射基板，其特征在于，所述预溅射基板包括：主基板，主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成；所述主基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，所述主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，所述中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。

【技术特征摘要】
1.一种预溅射基板，其特征在于，所述预溅射基板包括：主基板，主要采用氧化铝和/或硅化锆材料形成；所述主基板的溅射侧表面为具有凹凸结构的凹凸吸附面；和/或，所述主基板的溅射侧表面依次设置有中间层和熔射层；其中，所述中间层的表面粗糙度大于或等于3μm。2.根据权利要求1所述的预溅射基板，其特征在于，所述凹凸吸附面中的凹凸结构均匀分布。3.根据权利要求1或2所述的预溅射基板，其特征在于，所述凹凸吸附面中凸起部分与凹陷部分的面积比为1:4至1:2之间。4.根据权利要求1所述的预溅射基板，其特征在于，所述中间层为喷砂层。5.根据权利要求1所述的预溅射基板，其特征在于，所述喷砂层主要由氧化铝组成。6.根据权利要求1或5所述的预溅射基板，其特征在于，所述熔射层主要由铝材质组成。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：房伟华，张勋泽，焦东晟，肖亮，王效坤，蔡登刚，段龙龙，王健，常浩，张文俊，李立，曹金要，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11