【技术实现步骤摘要】
一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。
技术介绍
Cu2O是一种良好的半导体材料，不同条件下制备的Cu2O可能为n型或p型半导体。Cu2O不仅具有廉价、易生产、无毒、方便储存等优点，同时禁带宽度为1.9~2.1eV，能够直接利用太阳光可见光段能量95%以上，比单晶硅更具优势。Cu2O理论光电转换效率可以达到20%。是一种非常有潜力的太阳能电池材料。但是目前Cu2O的光电转换率仅为9%左右，为了提高Cu2O的光电性能，采用Ag和Cu2O构成异质结是一种有效的方法。由于Ag+的局部表面离子共振效应能增加对光的吸收，同时Cu2O的费米能级比Ag高，为使两者费米能级相等，在Cu2O和Ag之间会产生电子转移，促进Cu2O中光电子-空穴对分离，从而提高Cu2O的光电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。具体步骤为：（1）先在反应釜中加入纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/LCu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，即在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜。（2）在装有步骤（1）所得的Cu2O薄膜的反应釜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于80℃~120℃的烘箱内反应2~8小时；即获得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本专利技术与其他相关技术相比，最显著的特点是通过两步水热法，即首先利用...
【技术保护点】
1.一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）先在反应釜中加入纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，即在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；（2）在装有步骤（1）所得的Cu2O薄膜的反应釜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的 Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的 AgNO3溶液，于80℃~120℃的烘箱内反应2~8小时；即获得光电压值为0.3273V ~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）先在反应釜中加入纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/LCu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，即在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；（2）在装有步...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍泳斌，钟福新，高云鹏，黎燕，莫德清，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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