无边框显示器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种无边框显示器件的制作方法，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路；在所述外围驱动电路上覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列，并在所述绝缘层上设置通孔；在所述薄膜晶体管驱动阵列上形成第二介质层；在所述第二介质层上设置OLED显示结构，并在所述第二介质层上设置通孔。使用上述方法得到的无边框显示器件，由于外围驱动电路设置在显示器件的下方，无需占据显示器件正面的左右两侧边框，从而能够实现显示器件的无框结构。

【技术实现步骤摘要】
无边框显示器件及其制造方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种无边框显示器件及其制造方法。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode)为有源矩阵有机发光二极体面板，AMOLED显示面板具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。AMOLED的发光器件为有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，以下简称：OLED)，在AMOLED外围驱动电路的驱动下，当有电流流过有机发光二极管OLED时OLED发光。然而，目前AMOLED上的外围驱动电路均设置在显示屏的正面并位于显示屏的正面的左右两侧，占据了空间，影响后期显示屏结构的大屏高清设计。由于外围驱动电路的阵列结构设计导致显示屏的屏体边框较宽，而客户端对手机等显示屏窄边框的要求越来越高。因此，急需提出一种无边框的显示屏结构，以迎合显示屏的发展趋势。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述为达到无边框的显示屏结构的问题，提供一种可以使显示屏达到无边框结构的无边框显示器件及其制造方法。一种无边框显示器件的制作方法，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路；在所述外围驱动电路上覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列，并在所述绝缘层上设置通孔；在所述薄膜晶体管驱动阵列上形成第二介质层；在所述第二介质层上设置OLED显示结构，并在所述第二介质层上设置通孔。使用上述方法得到的无边框显示器件，由于外围驱动电路设置在显示屏的下方，无需占据显示屏正面的左右两侧边框，从而能够实现显示屏的无框结构。上述外围驱动电路通过转印的方式转印至所述衬底，且转印外围驱动电路芯片的母版具有多个可选择转印的位置，这样，可以根据实际需要选择不同转印位置将外围驱动电路芯片转印至衬底的对应位置，以形成外围驱动电路，节省制造成本。在其中一个实施方式中，所述在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路的步骤包括：在具有多个转印位置的母版上选择一个或多个所需转印位置的沉积多晶硅材料层，以形成外围驱动电路芯片；将形成在母版对应位置的外围驱动电路芯片转印到所述衬底上并形成外围驱动电路。在其中一个实施方式中，在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列的步骤包括：在所述绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成栅极层；在所述第一介质层及栅极层的表面形成隔离层；在所述隔离的表面形成源极和漏极。在其中一个实施方式中，在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列的步骤包括：在具有多个转印位置的母版上选择一个或多个所需转印位置形成薄膜晶体管驱动阵列芯片；将形成在母版对应位置的薄膜晶体管驱动阵列芯片通过转印的方式转印至所述绝缘层上以形成薄膜晶体管驱动阵列。在其中一个实施方式中，所述有源层为氧化物半导体层。一种无边框显示器件，包括：衬底；外围驱动电路，设置于所述衬底上；绝缘层，形成于所述衬底及外围驱动电路的表面；薄膜晶体管驱动阵列，形成于所述绝缘层上，包括依次设置的有源层、第一介质层、栅极层、隔离层、源极、漏极，所述第一介质层和所述绝缘层中均设有通孔，所述栅极层通过所述通孔与所述外围驱动电路电性连接。上述无边框显示器件由于外围驱动电路通过通孔与栅极层组成的电路设置在显示屏的下方，外围驱动电路位于衬底的表面，无需占据显示屏正面的左右两侧边框，从而能够实现显示屏的无框结构。在其中一个实施方式中，所述外围驱动电路包括层叠设置的低温多晶硅材料层、绝缘层、金属层。所述外围驱动电路采用低温多晶硅材料层，这样，由于形成该低温多晶硅材料层的温度较低，这样便避免了因在衬底上形成导电层而导致衬底的损坏，进而导致整个上述无边框显示器件的发光不良。在其中一个实施方式中，所述栅极层位于所述有源层的上方并正对所述有源层的位置。在其中一个实施方式中，所述有源层为氧化物半导体层。在其中一个实施方式中，所述无边框显示器件还包括：第二介质层，覆盖所述源极和漏极；OLED结构，形成于所述第二介质层上，并与所述第一金属线或第二金属线电性连接。附图说明图1为本专利技术一优选实施方式的无边框显示器件的结构示意图；图2为本专利技术一优选实施方式的无边框显示器件的制作方法的流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。结合图1及图2所示，本专利技术还提供了一种上述无边框显示器件100的制作方法，其主要包括以下步骤：S111：形成衬底。在本步骤中，形成的衬底110为柔性衬底，具体地，在玻璃基板上形成柔性衬底，该柔性衬底的材质为聚酰亚胺。可以理解的是，所述衬底不限于柔性衬底，还可以是刚性衬底，比如是玻璃衬底。该衬底110主要用于承载电路及OLED显示结构等器件。S112：在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路。在本步骤中，具体在衬底110上形成外围驱动电路120的方法为：首先，在具有多个并列紧密排列的转印位置的母版上选择一个或多个所需转印位置沉积形成多晶硅材料层，进而沉积绝缘层及金属层，最终形成外围驱动电路芯片；接着，将沉积在母版对应位置的外围驱动电路芯片转印到上述衬底110上以形成外围驱动电路120。更详细地说，在母版所需转印的位置的表面依次沉积隔热层、保温层及界面层等，接着在上述界面层上制作多晶硅材料层，本实施例中多晶硅材料层为经过低温多晶硅(LTPS)工艺形成的低温多晶硅材料层。可以理解的是，在其他实施例中所述多晶硅材料层也可以用其他工艺形成，本专利技术对此不作限定。接着，通过掩膜工艺，对上述低温多晶硅材料层进行光刻显影，达到对应的图案，然后在所述低温多晶硅材料层上沉积绝缘层及金属层以形成对应的驱动上述显示器件的外围驱动电路芯片。然后，将位于母版上的外围驱动电路芯片通过转印的方式转印至上述衬底110上，且转印外围驱动电路芯片的母版具有多个可选择转印的位置，这样，工作人员可根据实际工作环境的需要，选择不同转印位置将外围驱动电路芯片转印至对应的衬底110的对应位置，以形成驱动上述显示器件100的外围驱动电路120，节省了制造的成本。S113：在所述外围驱动电路上覆盖绝缘层。在上述衬底110及外围驱动电路120的表面形成绝缘层130，所述绝缘层130包括氮化硅层131和氧化硅层132，所述氧化硅层132形成于所述氮化硅层131的表面，所述绝缘层130一方面用于其绝缘作用，另一方面作为缓冲作用。S114：在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列，并在所述绝缘层上设置通孔。在本步骤中，具体在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列的方法为：在上述绝缘层130上形成有源层141，所述有源层为氧化物半导体层。所述氧化物半导体载流子迁移率高，具有良好的半导体特性，且特性不均现象也较小，使得器件显示性能优异。可以理解的是，所述有源层不限于是氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无边框显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路；在所述外围驱动电路上覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列，并在所述绝缘层上设置通孔；在所述薄膜晶体管驱动阵列上形成第二介质层；在所述第二介质层上设置OLED显示结构，并在所述第二介质层上设置通孔。

【技术特征摘要】
1.一种无边框显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成衬底；在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路；在所述外围驱动电路上覆盖绝缘层；在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列，并在所述绝缘层上设置通孔；在所述薄膜晶体管驱动阵列上形成第二介质层；在所述第二介质层上设置OLED显示结构，并在所述第二介质层上设置通孔。2.根据权利要求1所述的无边框显示器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上以转印的形式形成一个或多个外围驱动电路的步骤包括：在具有多个转印位置的母版上选择一个或多个所需转印位置沉积多晶硅材料层，以形成外围驱动电路芯片；将形成在母版对应位置的外围驱动电路芯片转印到所述衬底上以形成外围驱动电路。3.根据权利要求1所述的无边框显示器件的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列的步骤包括：在所述绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成栅极层；在所述第一介质层及栅极层的表面形成隔离层；在所述隔离的表面形成源极和漏极。4.根据权利要求1所述的无边框显示器件的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成薄膜晶体管驱动阵列的步骤包括：在具有多个转印位置的母版上选择一个或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32