有机发光二极管（OLED）阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，该OLED阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与第二电极并联的辅助电极，该有机材料功能层位于第一电极和第二电极之间；该驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，该第一电极与源极或漏极电连接；辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置。本发明专利技术的实施例将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中形成辅助电极，节省了工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术的实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光器件)显示器是新一代的显示器，与液晶显示器相比，具有自发光，响应速度快以及视角宽等优点，可以用于柔性显示，透明显示，3D显示等。OLED显示器件由阳极、阴极以及有机材料功能层构成，OLED显示器件主要的工作原理是有机材料功能层在阳极和阴极形成的电场的驱动下，通过载流子注入和复合而发光。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与所述第二电极并联的辅助电极，其中，所述有机材料功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。例如，本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板，还包括设置在所述第二电极和所述辅助电极之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构中设置有多个过孔结构，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极并联。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一金属导电层的厚度为80～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～20nm。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。例如，本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板，还包括遮光部，所述遮光部与所述第一电极同层同材料设置，所述遮光部与所述辅助电极连接或者不连接。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。例如，本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板还包括开关晶体管，其中，所述遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述开关晶体管在所述衬底基板上的正投影重合。例如，在本专利技术至少一实施例提供的OLED阵列基板中，所述有机材料功能层包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。例如，本专利技术至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一所述的OLED阵列基板。本专利技术至少一实施例还提供一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成驱动晶体管、第一电极、有机材料功能层、第二电极和辅助电极，其中，所述有机材料功能层形成在所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一在同一构图工艺中形成。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。例如，本专利技术至少一实施例提供的制备方法，还可以包括：在所述第二电极和所述辅助电极之间形成绝缘结构；在所述绝缘结构中形成多个过孔结构；其中，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极连接。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。例如，在本专利技术至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属导电层的厚度为80～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～20nm。本专利技术的至少一个实施例通过将辅助电极与第一电极、栅极和漏极中的至少之一同层设置，在形成OLED阵列基板的第一电极、栅极和/或漏极的步骤中形成辅助电极，节省了工艺步骤；辅助电极通过多个过孔结构和第二电极并联，以降低第二电极的电阻，且不会增加工艺步骤；辅助电极的材料可以包括金属导电材料和透明导电材料形成的双层叠层结构；将辅助电极延长并遮挡住驱动晶体管和开关晶体管，可以防止外界光照射到驱动晶体管和开关晶体管上，进而避免了漏电流的产生。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为一种有机发光二极管(OLED)阵列基板的截面结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的一种OLED阵列基板的平面结构示意图；图3为图2中OLED阵列基板的截面结构示意图；图4为本专利技术一实施例提供的再一种OLED阵列基板的平面结构示意图；图5为图4中OLED阵列基板的截面结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的又一种OLED阵列基板的平面结构示意图；图7为图6中OLED阵列基板的截面结构示意图；图8为本专利技术一实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图；图9为本专利技术一实施例提供的再一种OLED阵列基板的截面结构示意图；图10为本专利技术一实施例提供的又OLED阵列基板的截面结构示意图；图11为本专利技术一实施例提供的一种OLED阵列基板的制备方法的流程图。附图标记：101-衬底基板；102-驱动晶体管；1021-栅极；1022-源极；1023-漏极；1024-有源层；1026-第一绝缘层；103-第一电极；104-第二电极；105-有机材料功能层；106-辅助电极；107a,107b-遮光部；108-开关晶体管；109-过孔结构；110-像素界定层；111-钝化层；112-数据线；113-电源线；114-封装层；115-第二绝缘层；116-栅线。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与所述第二电极并联的辅助电极，其中，所述有机材料功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管(OLED)阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的驱动晶体管、第一电极、第二电极、有机材料功能层以及与所述第二电极并联的辅助电极，其中，所述有机材料功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述源极或所述漏极电连接；所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极中的至少之一同层设置。2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述栅极均同层设置。3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极和所述漏极均同层设置。4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述栅极和所述漏极均同层设置。5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其中，所述辅助电极与所述第一电极、所述栅极和所述漏极均同层设置。6.根据权利要求1-5中任一项所述的OLED阵列基板，还包括设置在所述第二电极和所述辅助电极之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构中设置有多个过孔结构，所述第二电极通过所述多个过孔结构与所述辅助电极并联。7.根据权利要求6所述的OLED阵列基板，其中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重合。8.根据权利要求7所述的OLED阵列基板，其中，所述第一电极包括第一金属导电层、透明导电层或者第一金属导电层和透明导电层形成的叠层结构，所述第二电极包括第二金属导电层。9.根据权利要求8所述的OLED阵列基板，其中，所述第一金属导电层的厚度为40～120nm，所述第二金属导电层的厚度为3～30nm。10.根据权利要求7或8所述的OLED阵列基板，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，或者，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极。11.根据权利要求1-3和5中任一项所述的OLED阵列基板，还包括遮光部，其中，所述遮光部与所述第一电极同层同材料设置，所述遮光部与所述辅助电极连接或者不连接。12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，张玉欣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11