半导体器件及其制造方法技术

提供了一种制造半导体器件的方法，其包括形成层间绝缘。层间绝缘膜包括第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层覆盖每个栅极电极的上表面。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。在所述层间绝缘膜中沟槽之间的位置处设置有接触孔。然后，在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的接触孔起倾斜，以便朝向对应的沟槽的中央向上移位。

Semiconductor devices and their manufacturing methods

A method of manufacturing semiconductor devices is provided, including forming interlayer insulation. The interlayer insulating film comprises a first insulating layer and a second insulating layer. The first insulating layer covers the upper surface of each grid electrode. The second insulating layer is positioned on the first insulating layer. A contact hole is arranged at the position between the grooves in the interlayer insulating film. Then, the interlayer insulation film is heated under the softening temperature below the first insulating layer and higher than the softening temperature of the second insulating layer so that the surface of the second insulating layer becomes a surface so that the surface of the end of the second insulating layer is tilted from the corresponding contact hole so as to be oriented. The center of the groove is shifted upwards.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及其制造方法
本申请要求于2015年10月19日提交的日本专利申请第2015-205759号的优先权，其全部内容通过引用并入本申请。本说明书中公开的技术涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
专利文献1公开了包括多个沟槽型栅极电极的半导体器件。每个栅极电极的上表面被层间绝缘膜(在此为BPSG膜(硼磷硅酸盐玻璃))覆盖。接触孔设置在层间绝缘膜中两个相邻的沟槽之间的位置处。上电极层设置成覆盖层间绝缘膜和接触孔。上电极层在接触孔内连接到半导体基板。栅极电极通过层间绝缘膜与上电极层绝缘。在该半导体器件的制造工序中，层间绝缘膜形成为在形成沟槽型栅极电极之后覆盖各栅极电极的上表面和半导体基板的上表面。之后，在层间绝缘膜中形成接触孔。当形成接触孔时，在层间绝缘膜的上表面和接触孔的底表面之间产生台阶。接下来，通过加热层间绝缘膜使层间绝缘膜软化。由于层间绝缘膜(BPSG膜)的软化温度低，所以层间绝缘膜容易因加热而软化。由此，层间绝缘膜的表面弯曲，并且层间绝缘膜的端部(即，接触孔的侧表面)的表面倾斜从而扩大了接触孔的开口。相应地，通过使层间绝缘膜的表面弯曲，与加热之前相比，层间绝缘膜的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板的上表面中形成多个沟槽；在每个所述沟槽中形成栅极绝缘膜；在每个所述沟槽中通过所述栅极绝缘膜形成与所述半导体基板绝缘的栅极电极；形成包括第一绝缘层和第二绝缘层的层间绝缘膜，其中，所述第一绝缘层覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并且具有比所述第一绝缘层的软化温度低的软化温度，并且在所述层间绝缘膜中于每对相邻的两个所述沟槽之间的位置处设置有接触孔；在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.19 JP 2015-2057591.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板的上表面中形成多个沟槽；在每个所述沟槽中形成栅极绝缘膜；在每个所述沟槽中通过所述栅极绝缘膜形成与所述半导体基板绝缘的栅极电极；形成包括第一绝缘层和第二绝缘层的层间绝缘膜，其中，所述第一绝缘层覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并且具有比所述第一绝缘层的软化温度低的软化温度，并且在所述层间绝缘膜中于每对相邻的两个所述沟槽之间的位置处设置有接触孔；在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的所述接触孔起倾斜，以便朝向对应的所述沟槽的中央向上移位，形成上电极层以覆盖所述层间绝缘膜和所述接触孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层间绝缘膜的形成包括：形成所述第一绝缘层以覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面；在所述第一绝缘层上形成所述第二绝缘层；在每对相邻的两个所述沟槽之间的范围内蚀刻所述第二绝缘层；以及通过在比蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊泽辉显，宫原真一朗，青井佐智子，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP