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提供了一种制造半导体器件的方法，其包括形成层间绝缘。层间绝缘膜包括第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层覆盖每个栅极电极的上表面。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。在所述层间绝缘膜中沟槽之间的位置处设置有接触孔。然后，在低于所述第一绝缘层...
该专利属于丰田自动车株式会社;株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社;株式会社电装授权不得商用。

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