一种CMOS型图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS型图像传感器及其制作方法，包括第二氧化层和位于该氧化层上一侧的基底，基底的一侧形成向下凹陷至第二氧化层的第一沟槽，在基底和第一沟槽上由下至上依次设有HIK层和第一氧化层，在设有高介电薄膜层和第一氧化层的第一沟槽上形成贯穿第一氧化层、高介电薄膜层和部分第二氧化层的接线槽，在第一氧化层上以及接线槽内设有第一金属层，在接线槽的第一金属层上设有铝接线板，铝接线板通过接线槽内的第一金属层和接线槽侧壁裸露出的高介电薄膜层电连接，以在铝接线板上施加电压时为高介电薄膜层提供电压，使高介电薄膜层和基底之间产生更大的电势差，使基底对电子的束缚能力更强，从而更好地减小白点和暗电流。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS型图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种CMOS型图像传感器及其制作方法。
技术介绍
随着对摄像头的小尺寸、高像素越来越高的需求，相应地对传感器的光学性能要求也越发苛刻。传统工艺通过采取HiK工艺将硅表面的电子束缚在表面并阻隔外界电子的注入以此提供产品的光学性能(Whitepixel,Darkcurrent，etc.)的方法已经不能满足高端客户的需求，图1所示为传统的CMOS型图像传感器。传统方法为了改善传感器的光学性能而增加高介电薄膜层(HiK层)。为了提升CMOS型图像传感器的光学性能和电学性能，在CMOS型图像传感器的像素单元区引入深沟槽隔离(DTI)工艺，形成用于像素单元隔离的第二沟槽，其制作方法包括：如图1和图2所示，提供一硅基底102和硅基底102下面的第二氧化层101，在图中的硅基底102上的右侧形成用于像素单元隔离的第二沟槽105，在形成有第二沟槽105的硅基底102上由下至上依次形成有高介电薄膜层103和第一氧化层104，如图1所示；再在硅基底102上的左侧刻蚀所述第一氧化层104、高介电薄膜层103、硅基底102和部分第二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS型图像传感器，其特征在于，包括：第二氧化层(401)和位于所述第二氧化层(401)上的基底(402)；所述基底(402)位于所述第二氧化层(401)的一侧，所述基底(402)上具有向下凹陷至所述第二氧化层(401)的第一沟槽(406)，在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)，在设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)，在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内设有...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS型图像传感器，其特征在于，包括：第二氧化层(401)和位于所述第二氧化层(401)上的基底(402)；所述基底(402)位于所述第二氧化层(401)的一侧，所述基底(402)上具有向下凹陷至所述第二氧化层(401)的第一沟槽(406)，在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)，在设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)，在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内设有第一金属层(405)，在所述接线槽(410)的所述第一金属层(405)上设有铝接线板(408)，所述铝接线板(408)通过所述接线槽(410)内的第一金属层(405)和所述接线槽(410)侧壁裸露出的所述高介电薄膜层(403)电连接，以在所述铝接线板(408)上施加电压时为所述高介电薄膜层(403)提供电压。2.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，在所述基底(402)上还形成有用于像素单元之间隔离的第二沟槽(407)。3.根据权利要求2所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，所述第二沟槽(407)的底部与所述基底(402)的底面之间具有预设距离。4.根据权利要求2-3中任一项所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，包括至少四个所述第二沟槽(407)，所述至少四个所述第二沟槽(407)中的每四个所述第二沟槽(407)组成一个矩形区域，每个所述矩形区域将一个像素单元包围在其中。5.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，所述第一金属层(405)为钨层。6.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，还包括形成在所述第二氧化层(401)中的第二金属层(409)；所述铝接线板(408)通过所述第一金属层(405)和所述第二金属层(409)电连接。7.一种CMOS型图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底(402)以及所述基底(402)下面的第二氧化层(401)；在所述基底(402)的上面涂覆光刻胶，利用一掩模板对所述基底(402)上的光刻胶进行曝光显影，以在所述基底(402)的光刻胶上形成第一图案；根据所述基底(402)的光刻胶上形成的第一图案对所述基底(402)进行刻蚀，除去所述基底(402)上的光刻胶，在所述基底(402)上形成第一沟槽(406)，所述第一沟槽(406)贯穿所述基底(402)和部分所述第二氧化层(401)；在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次沉积高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)；在沉积有所述高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)；在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内沉积第一金属层(405)，在所述接线槽(410)内的第一金属层(405)上沉积铝层，形成铝接线板(408)，所述铝接线板(408)通过所述接线槽(410)内...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵长林，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42