CMOS图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术技术方案公开了一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述CMOS图像传感器包括：基底层，包括多个光电器件；金属互连层，位于所述基底层上；多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。本发明专利技术技术方案提高了CMOS图像传感器的填充因子，减小了光线的串扰，由此提高了CMOS图像传感器的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器及其形成方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及CMOS图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器分为电荷耦合器件(CCD，Charge-coupledDevice)和互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS，CMOSImageSensor)，与CCD相比，CIS具有更方便的驱动模式并且能够实现各种扫描类型。而且，将信号处理电路集成到单个芯片中使得小型化CIS成为可能。此外，通过使用广泛兼容的CMOS技术，CIS有助于更低的功耗并降低制造成本。因而，CIS具有更广泛的应用。为了增强CIS的光敏性，一种技术可以是提高CIS的填充因子(FF，fillfactor)，填充因子定义为光电二极管(PD，photodiode)面积和图像传感器的整个面积之比。另一种技术是改变入射到不是光电二极管的区域的光的路径，以将光聚焦到光电二极管的技术。聚焦技术的典型例子包括微透镜(ML，microlens)形成。在微透镜形成中，凸起的微透镜由光电二极管上的优异光透射材料所形成，使得可以通过折射入射光将光引导到光电二极管区。图1是现有的一种CIS的结构示意图，所示的CIS包括：基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底层，包括多个光电器件；金属互连层，位于所述基底层上；多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底层，包括多个光电器件；金属互连层，位于所述基底层上；多个间隔排列的微透镜，位于所述金属互连层上且分别对应于所述多个光电器件；多个滤色片，对应覆盖所述多个微透镜；隔离介质，填充所述微透镜之间的间隔，所述隔离介质的厚度大于或等于所述微透镜的高度和滤色片的厚度之和，所述隔离介质的折射率小于所述滤色片的折射率。2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜顶部的滤色片的厚度范围为500nm至700nm。3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜上的滤色片具有均匀厚度。4.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜的高度范围为1μm至2.5μm。5.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离介质的宽度小于或等于400nm。6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离介质的材料包括氧化物、氮化硅或有机材料。7.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底层，所述基底层包括多个光电器件；在所述基底层上形成金属互连层；在所述金属互连层上形成多个间隔排列的微透镜，所述多个微透镜分别对应于所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙康，林宗德，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32