X射线传感器的阵列基板、制造方法及X射线传感器技术

本公开涉及传感器技术领域，提出一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，该制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在第一平坦化层之上形成第二电极层，第二电极层能够遮挡薄膜晶体管器件；在第二电极层之上形成光电二极管器件。使用该制造方法制造的阵列基板像素填充率较高、灵敏度较高。

【技术实现步骤摘要】
X射线传感器的阵列基板、制造方法及X射线传感器
本公开涉及传感器
，具体而言，涉及一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器。
技术介绍
X射线传感器的阵列基板在每个像素区通常包括：光电二极管器件和薄膜晶体管器件。其中，光电二极管器件的主要作用是接收光，并通过光伏效应把光信号转换成电信号，而薄膜晶体管器件的主要作用是作为控制开关和传递光伏效应产生的电信号。参照图1所示的现有技术中X射线传感器的阵列基板的结构图。X射线传感器的阵列基板包括设于衬底基板1上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件。薄膜晶体管器件包括栅极层2、栅极绝缘层3、有源层4、第一电极层5以及第一钝化层6等等；光电二极管器件包括半导体层10、透明电极层11、第三钝化层12、第三电极13、第二平坦化层14以及第四钝化层15等等。薄膜晶体管器件和光电二极管器件是同层设计，那么薄膜晶体管器件上面将不能设置光电二极管器件，光电二极管器件的面积较小；而且光电二极管器件的第三电极13不仅需要连接走线与光电二极管器件，还需要作为遮挡层挡住光线避免光线射入薄膜晶体管器件，因此，需要将第三电极13设计的较宽，较宽的第三电极13会遮挡光线射入光电二极管器件。因此，这种设计的X射线传感器的阵列基板的像素填充率较低，大部分在55％-60％，从而造成X射线传感器的灵敏度较低。因此，有必要研究一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种X射线传感器的阵列基板、X射线传感器的阵列基板的制造方法及安装有该X射线传感器的阵列基板的X射线传感器，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的像素填充率较低以及灵敏度较低的问题。根据本公开的一个方面，提供一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，所述制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；在所述第二电极层之上形成光电二极管器件。在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一平坦化层之后，所述制造方法还包括：在所述第一平坦化层之上形成第二钝化层。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述第一钝化层时，在所述第一钝化层中形成第一通孔；在形成所述第一平坦化层时，在所述第一平坦化层中形成第二通孔；在形成所述第二钝化层时，在所述第二钝化层中形成第三通孔；其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，使所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。在本公开的一种示例性实施例中，在所述第二电极层之上形成光电二极管器件，包括：在所述第二电极层之上形成半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的投影能够覆盖所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影；在所述半导体层之上形成透明电极层。根据本公开的一个方面，提供一种X射线传感器的阵列基板，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，所述阵列基板还包括：第一平坦化层，形成于所述薄膜晶体管器件的第一钝化层之上；第二电极层，形成于所述第一平坦化层之上，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件，所述光电二极管器件形成于所述第二电极层之上。在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：第二钝化层，形成于所述第一平坦化层与所述第二电极层之间。在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：第一通孔，形成于所述第一钝化层中；第二通孔，形成于所述第一平坦化层中；第三通孔，形成于所述第二钝化层其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述光电二极管器件包括：半导体层，形成于所述第二电极层之上，所述半导体层在衬底基板上的投影能够覆盖所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影；透明电极层，形成于所述半导体层之上。在本公开的一种示例性实施例中，所述光电二极管器件还包括：第三钝化层，形成于所述透明电极层之上；第四通孔，形成于所述第三钝化层中；第三电极，形成于所述第三钝化层之上，并贯穿所述第四通孔与所述透明电极层连接，所述第三电极在所述衬底基板上的投影与所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影相隔离开。根据本公开的一个方面，提供一种X射线传感器，包括：上述任意一项所述的X射线传感器的阵列基板。本公开的X射线传感器的阵列基板的制造方法，在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层，在第一平坦化层之上形成第二电极层，第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；在第二电极层之上形成光电二极管器件。一方面，通过设置在光电二极管器件下方的第二电极层遮挡薄膜晶体管器件，避免在光电二极管器件的上方设置遮挡，使光电二极管器件的感光面积增大，提高阵列基板的灵敏度。另一方面，光电二极管器件与薄膜晶体管器件没有设置在同一层，光电二极管器件的设计面积可以增大很多，使阵列基板像素填充率提高，导致灵敏度提高。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示意性示出现有技术中X射线传感器的阵列基板的结构图。图2示意性示出本专利技术的X射线传感器的阵列基板的制造方法的流程图。图3示意性示出本专利技术的X射线传感器的阵列基板的结构图。图中：1、衬底基板；2、栅极层；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、第一电极层；6、第一钝化层；7、第一平坦化层；8、第二钝化层；9、第二电极层；10、半导体层；11、透明电极层；12、第三钝化层；13、第三电极；14、第二平坦化层；15、第四钝化层。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。此外，附图仅为本公开的示意性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所述制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；在所述第二电极层之上形成光电二极管器件。

【技术特征摘要】
1.一种X射线传感器的阵列基板的制造方法，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所述制造方法包括：在薄膜晶体管器件的第一钝化层之上形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层之上形成第二电极层，所述第二电极层能够遮挡所述薄膜晶体管器件；在所述第二电极层之上形成光电二极管器件。2.根据权利要求1所述的X射线传感器的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述第一平坦化层之后，所述制造方法还包括：在所述第一平坦化层之上形成第二钝化层。3.根据权利要求2所述的X射线传感器的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在形成所述第一钝化层时，在所述第一钝化层中形成第一通孔；在形成所述第一平坦化层时，在所述第一平坦化层中形成第二通孔；在形成所述第二钝化层时，在所述第二钝化层中形成第三通孔；其中，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔之间依次连通，使所述第二电极层依次贯穿所述第三通孔、所述第二通孔以及所述第一通孔与所述薄膜晶体管器件的第一电极层连接。4.根据权利要求1所述的X射线传感器的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二电极层之上形成光电二极管器件，包括：在所述第二电极层之上形成半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的投影能够覆盖所述薄膜晶体管器件在所述衬底基板上的投影；在所述半导体层之上形成透明电极层。5.一种X射线传感器的阵列基板，X射线传感器的阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电二极管器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘琨，张文余，李晓东，佟硕，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11