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本发明提供一种CMOS型图像传感器及其制作方法，包括第二氧化层和位于该氧化层上一侧的基底，基底的一侧形成向下凹陷至第二氧化层的第一沟槽，在基底和第一沟槽上由下至上依次设有HIK层和第一氧化层，在设有高介电薄膜层和第一氧化层的第一沟槽上形成贯...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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