【技术实现步骤摘要】
一种制备钕铁硼磁体的方法
本专利技术涉及一种高性能钕铁硼磁体方法，具体涉及一种火法冶金及晶界添加双相合金法制技术制备高性能钕铁硼磁体的方法。
技术介绍
近年来，随着钕铁硼磁体应用领域的迅速扩张，对钕铁硼磁体的需求已经变得越来越大，国内烧结钕铁硼磁体在磁性能的表现上与国外企业不断缩小差距，但由于设备和工艺技术的落后，在性能的稳定性和一致性方面还需要进一步提高，特别是在工作温度一般小于140摄氏度，无法满足超过140摄氏度工作要求，特别是工作温度在150摄氏度的情况国内现有烧结钕铁硼磁体基本无法工作。采用火法冶金生产高品质钕铁硼磁体，可以有效避免产生废水，减少对环境的压力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种制备钕铁硼磁体的方法，改变了现在火法冶金无法生产高品质钕铁硼磁体的问题，通过对磁粉颗粒的分选使钕铁硼磁体的抗弯强度大幅提高，在烧结工艺与时效工艺连续不间断(温度可控)不转炉的新型热处理工艺有效提高内禀矫顽力，其工作温度比同类产品高出15摄氏度以上，能在150摄氏度条件下依然保持着良好的工作状态。本专利技术的目的通过以下技术方案实现，一...
【技术保护点】
1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述方法包括配料、铸片、氢碎、气体分筛、制粉、压制成型、烧结；所述配料，重量比为Nd 19～20.5％、B 0.7～0.8％、Cu 0.3～0.35％、Co 1.2～1.5％、Ga 0.3～0.4％、Zr0.7～0.8％、Nb 0.6～0.7％、Pr 5～6％、Al 0.7～0.9％、余量为Fe，混合生成混合料；所述铸片，将混合料输送至铸片炉在真空下进行溶炼，溶炼温度为1350‑1480℃，并制成厚度为0.3‑0.4mm的片状体；所述氢碎，将片状体与添加剂混合后输入氢碎炉、并在真空状态下进行氢爆，真空度为1.06‑1.11×Pa,温...
【技术特征摘要】
1.一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述方法包括配料、铸片、氢碎、气体分筛、制粉、压制成型、烧结；所述配料，重量比为Nd19～20.5％、B0.7～0.8％、Cu0.3～0.35％、Co1.2～1.5％、Ga0.3～0.4％、Zr0.7～0.8％、Nb0.6～0.7％、Pr5～6％、Al0.7～0.9％、余量为Fe，混合生成混合料；所述铸片，将混合料输送至铸片炉在真空下进行溶炼，溶炼温度为1350-1480℃，并制成厚度为0.3-0.4mm的片状体；所述氢碎，将片状体与添加剂混合后输入氢碎炉、并在真空状态下进行氢爆，真空度为1.06-1.11×Pa,温度为400-600℃，生成初级品；所述气体分筛，将初级品输入气体分筛机，所述的气体分筛机包括重力箱，重力箱高度为6-8米，重力箱上端设有轻相出口、下端设有重相出口，轻相出口通过第一负压机与第一气流磨连接、重相出口通过第二负压机与第二气流磨连接，惰性气体通过重力箱中间的进料管将初级品吹入重力箱，所述惰性气体充气速度为每秒0.2至0.3米，第一负压机产生的负压为0.06±0.01MPa，第二负压机产生的负压为0.05±0.01MPa；所述制粉，第一气流磨生成第一细粉，第二气流磨生成第二细粉；所述压制成型，第一细粉输送至第一成型压机，第一成型压机将第一细粉静压成型，第二细粉直接输送第二成型压机，第二成型压机将第二细粉静压成型；所述烧结，第一成型压机压制料输入至第一真空烧结炉，第二成型压机压制料输入至第二真空烧结炉，第一真空烧结炉的真空度小于8Pa、烧结温度940-1070℃、烧结时间为13-15h，第二真空烧结炉的真空度小于10Pa、烧结温度940-1090℃、烧结时间为16-17h；经过以上步骤，第一真空烧炉生产出的产品经冷却后生成第一钕铁硼磁体，第二真空烧炉生产出的产品经冷却后生成第二钕铁硼磁体；测试温度20℃，第一钕铁硼磁体生成抗弯强度达到275MPa以上，剩磁(Br)≥1.27T，内禀矫顽力(Hcj)≥1670kA/m，磁能积(BHmax)为≥335kJ/m3；测试温度20℃，第二钕铁硼磁体生成抗弯强度达到278MPa以上，剩磁(Br)≥1.32T，内禀矫顽力(Hcj)≥1750kA/m，磁能积(BHmax)为≥363kJ/m3。2.根据权利要求1所述的一种制备钕铁硼磁体的方法，其特征是：所述添加剂为镨，镨重量为片状...
【专利技术属性】
技术研发人员：丰光耀，冯虎，许德强，陆先海，李洪梅，
申请(专利权)人：赣州市钜磁科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36
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