【技术实现步骤摘要】
一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统
本专利技术涉及半导体器件失配
，特别是涉及一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统。
技术介绍
在集成电路设计和生产过程中，由于不确定性、随机误差、梯度误差等原因，一些设计时完全相同的半导体器件生产后却存在偏差，这便称为半导体器件的失配(mismatch)。器件失配会引起器件结构参数和电学参数变化，从而极大地影响模拟电路的特性。随着半导体生产工艺发展，器件尺寸不断缩小，器件失配主要由随机误差造成，而这种随机误差通常是由集成电路生产工艺引起的。SPICE(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)是一款通用的集成电路仿真软件。由于器件失配对集成电路的影响很大，有必要通过软件仿真及早发现并加以修正。目前SPICE软件中缺少针对MOS晶体管的器件失配模型。传统的失配模型中加入面积因子geo_fac，分别对阈值电压vth、沟道长度lef、沟道宽度wef、栅氧厚度tox进行修正得到阈值电压相关量dvthmis、沟道长度相关量dxlmis、沟道宽度相关量dxwmis...
【技术保护点】
1.一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，包括如下步骤：步骤一，确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；步骤二，于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入相关性系数alphavth；步骤三，根据失配数据调节部分工艺失配参数，以使饱和电流idsat和阈值电压vth的失配只有部分相关性。
【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，包括如下步骤：步骤一，确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；步骤二，于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入相关性系数alphavth；步骤三，根据失配数据调节部分工艺失配参数，以使饱和电流idsat和阈值电压vth的失配只有部分相关性。2.如权利要求1所述的一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，其特征在于：于步骤一中，所述工艺失配参数包括阈值电压、沟道长度、沟道宽度、栅氧厚度、参数偏置电压、界面电容、迁移率、饱和速度。3.如权利要求2所述的一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，其特征在于：于步骤一中，通过加入面积因子geo_fac，分别对阈值电压、沟道长度、沟道宽度、栅氧厚度、参数偏置电压、界面电容、迁移率、饱和速度进行修正得到阈值电压相关量dvthmis、沟道长度相关量dxlmis、沟道宽度相关量dxwmis、栅氧厚度相关量dtoxmis、参数偏置电压voff相关量、界面电容cit相关量、迁移率u0相关量，饱和速度vsat相关量。4.如权利要求3所述的一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，其特征在于：所述阈值电压相关量dvthmis、沟道长度相关量dxlmis、沟道宽度相关量dxwmis、栅氧厚度相关量dtoxmis、参数偏置电压voff相关量、界面电容cit相关量、迁移率u0相关量、饱和速度vsat相关量通过如下公式获得：面积因子geo_fac＝1/sqrt(count*lef*wef*1012)阈值电压相关量dvthmis＝avth*geo_fac*agauss(0,1,1)沟道长度相关量dxlmis＝adl*geo_fac*lef*agauss(0,1,1)沟道宽度相关量dxwmis＝adw*geo_fac*wef*agauss(0,1,1)栅氧厚度相关量dtoxmis＝atox*geo_fac*tox*agauss(0,1,1)界面电容相关量dcitmis＝acit*geo_fac*agauss(0,1,1)偏置电压相关量dvoffmis＝avoff*geo_fac*agauss(0,1,1)迁移率相关量du0mis＝au0*geo_fac*agauss(0,1,1)饱和速度相关量dvsatmis＝avsat*geo_fac*agauss(0,1,1)其中，coun...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖梦星，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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