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本发明公开了一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统，所述方法包括如下步骤：确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入...
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