一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。本发明专利技术可有效控制氮化镓晶锭首片的切割厚度。

Directional cutting device and processing method for gallium nitride crystal

The present invention provides a directional cutting device and a processing method for a crystal of gallium nitride, which comprises a clamp holding a crystal ingot, an image monitoring system for controlling the thickness of the first piece, and a multi wire cutting machine for cutting the ingot of the crystal, which includes a bracket and a base supporting the support. The image monitoring system compares the line spacing of the multi wire cutting machine with the comparison of the thickness of the first slice of the crystal ingots to be adjusted, so as to adjust the cutting position. The invention can effectively control the cutting thickness of the gallium nitride ingot head sheet.

【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法
本专利技术涉及一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，更具体地说，本专利技术涉及一种利用影像监测装置控制首片厚度及利用夹具控制定向偏差的用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法。
技术介绍
氮化镓作为第三代半导体的代表，其化学性质非常稳定，在室温下不溶于水、酸和碱，且熔点高达1700℃，硬度较大。由以上基本性质就可知用氮化镓做成的材料具有耐高温，耐酸碱腐蚀和抗外力变形等优越的性能。目前，氮化镓和氮化镓基半导体材料已经成为了世界各国研究的热点。将氮化镓晶体应用于器件需加工成一定尺寸的晶片，基本工艺包括晶体生长、晶锭裁切与检测、外径研磨、切片、倒边、表层研磨、蚀刻、抛光等步骤。由于氮化镓晶体硬度很高，这为晶体加工带来很大的困难，特别是目前HVPE(氢化物气相外延，HydrideVaporPhaseEpitaxy)法生长的氮化镓晶体应力较大，在机械加工过程中极易开裂。而晶片的切割加工过程无疑是晶体遭受外来机械加工应力最大的一个过程，如何控制切割过程的开裂率严重影响到氮化镓晶体的最终出片率。由于生长工艺的限制，目前生长的氮化镓晶体普遍偏薄，且近籽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将所述多线切割机的线间距与待切的所述晶锭的首片厚度的图谱比对以调整切割位置。2.根据权利要求1所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，所述支架的基准面与所述晶锭粘接，所述晶锭与所述支架底部接触并粘合。3.根据权利要求1所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，所述定向切割装置还具备用于调节粘接误差的定向仪；所述多线切割机具有十字微调平台；所述支架上开有定向孔；通过所述定向孔确定晶向偏差，切割时调节所述多线切割机的所述十字微调平台补偿偏差。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，所述支架的基准面下方开有凹槽。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置，其特征在于，所述基座采用模具钢或经过锻打、调质后的铸铁进行制作。6.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于氮化镓晶体的定向切割装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，庄击勇，黄维，卓世异，王乐星，施尔畏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31