The invention discloses a cutting method of a wafer chip, including the steps: the cutting tool cuts the first cut on the wafer based on the first knife height according to the predetermined knife direction, and the first cut depth is less than the thickness of the wafer. On the basis of the first cut, the cutting tool is based on the reverse direction of the feed direction by second. The knife cut the second cut on the wafer, and the thickness of the second cut is greater than the thickness of the wafer. The cutting tool cuts the wafer in the predetermined order of feed, and the tool only has hard particles on one side. The invention reduces the edge collapse caused by the traditional glass wafer cutting method, avoids the falling of the black film and remains on the blue film, and can minimize the back crack and chip breakage in the cutting chip, and effectively improve the flexural strength of the chip.
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆芯片的切割方法
本专利技术涉及芯片加工领域,尤其涉及一种晶圆芯片的切割方法。
技术介绍
传统轮锯切割晶圆的方法,就是用刀具(如金刚石刀具)逐一对需要切割的切割道进行横向和纵向的完全切割从而实现晶粒的分离;刀具主要是由硬质颗粒和粘合剂组成。刀具的制作工艺会使刀具两面的硬质颗粒分布不一,一面有裸露硬质颗粒而另一面没有裸露的硬质颗粒,因此会导致两面的切割效果不一,且对芯片切割后会存在大量的崩边;由于切割道的宽度过大,如果产品的布局设计为之扩大切割道的宽度就会造成面积浪费,并且影响芯片使用寿命,且在单边切割时,其切割痕迹偏差过大。
技术实现思路
为此,需要提供一种芯片刀具切割方法用于解决传统刀具在切割芯片时产生大量崩边、切割痕迹偏差等问题,从而提高玻璃晶圆切割效率;为实现上述目的,专利技术人提供了一种晶圆芯片的切割方法,优选的包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割,所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。进一步优化,所述第一刀高小于第二刀高。进一步优化,所述预设的进刀顺序为相对晶圆的0°、90°、180°、270°四个角度的先后顺序在同一切割道上以不同刀高进行往返切割。区别于现有技术,上述技术方案解决了单边切割产生痕迹偏差、切割道面积浪费、传统芯片切割良率和寿命低等问题,可最大限度地抑制切割芯片时产生的背面崩裂及芯片破损,有效提高了提高芯片抗 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆芯片的切割方法,其特征在于,包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆工件进行切割,所述刀具只有一侧裸露有硬质颗粒。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆芯片的切割方法,其特征在于,包括步骤:刀具根据预设的进刀方向以第一刀高在晶圆工件上切开第一切痕,该第一切痕深度小于所述晶圆工件的厚度;刀具在所述第一切痕的基础上根据预设进刀方向的反方向以第二刀高在晶圆工件上切开第二切痕,第二切痕的厚度大于所述晶圆工件的厚度;刀具以预设的进刀顺序对晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈智伟,黄琮诗,池育维,
申请(专利权)人:福建省福联集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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